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[发明专利]发光二极管的外延片及其制备方法-CN202011609269.1在审
发明人：丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的高温AlN缓冲层、过渡层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层，过渡层包括依次层叠的第一周期结构、第二周期结构和第三周期结构，三个周期结构均包括交替层叠的AlN层和Al0.6Ga0.4N层；三个周期结构中的AlN层的厚度呈递减的形式设置，Al0.6Ga0.4N层的厚度呈递增的形式设置，使外延片中的晶体从AlN逐渐过渡为AlGaN，从而从高温AlN缓冲层逐渐过渡到n型AlGaN层，有利于减小晶格失配导致的位错缺陷
发光二极管外延及其制备方法

[实用新型]一种p-GeS2-CN202320402149.7有效
发明人：王文樑;刘嘉杰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本实用新型涉及紫外光探测器的技术领域，具体公开了一种p‑GeS2/AlGaN/n‑AlGaN II型异质结自驱动紫外光探测器，由下至上依次包括：Si衬底层、AlN/AlGaN缓冲层、GaN缓冲层、n‑AlGaN层，n‑AlGaN层的掺杂元素为Si；n‑AlGaN层上有SiO2窗口层、AlGaN本征层和第一金属电极；AlGaN本征层上有GeS2层，GeS2层上有第二金属电极。通过在AlGaN本征层上引入GeS2层，利用GeS2层、AlGaN本征层与n‑AlGaN层构成pin型异质结结构，在界面上形成内建电场
一种 ges base sub

[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片的制备方法-CN202011195139.8有效
发明人：王群;郭炳磊;葛永晖;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-10-31 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次沉积AlN成核层；在所述AlN成核层上生长AlGaN缓冲层，所述AlGaN缓冲层采用间断生长方式依次通入NH3和Al源；在所述AlGaN缓冲层上依次生长高阻缓冲层、沟道层、AlGaN势垒层和P型GaN帽层。通过优化AlGaN缓冲层的生长方式，可以有效缓解由于物理气相沉积技术制作AlN，引入的缺陷和应力积累，从而可以制备出外观和晶体质量极大改善的高迁移率晶体管。
氮化镓基高电子迁移率晶体管外延制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法-CN201610591175.3有效
发明人：杨兰;万林;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述制备方法包括：升高温度将衬底在纯氢气气氛下进行热处理；降低温度沉积缓冲层；进行多个阶段的升温，再生长过渡层，过渡层为从二维生长先转为三维生长再转为二维生长的AlGaN层，同一层AlGaN层的生长压力恒定，至少两层AlGaN层的生长压力随时间的增长而降低，同一阶段的温度恒定，且不同阶段的温度随时间的增长而升高；升高温度沉积非掺杂GaN层；生长N型层；交替生长InGaN层和GaN层，形成多量子阱层；生长P型电子阻挡层；生长P型层；生长P型接触层。
一种发光二极管外延制备方法

[发明专利]硅基氮化镓半导体晶片及其制作方法-CN201410845388.5在审
发明人：张森;金小亮 -专利权人：中晟光电设备（上海）股份有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基氮化镓半导体晶片及其制作方法，在Si衬底层上形成AlN薄膜；在含AlN薄膜的Si衬底层上，形成多个AlGaN层及至少一个SiNx夹层作为AlGaN缓冲层；以及，在所述AlGaN缓冲层上形成GaN层；其中，所述SiNx夹层位于AlGaN层中，或位于相邻AlGaN层的界面之间，或位于AlGaN层与GaN层的界面之间。本发明通过在AlGaN层中引入SiNx夹层，抑制了Si衬底上AlN薄膜中的位错传播，从而提高了Si基GaN的晶体质量。
氮化半导体晶片及其制作方法

[发明专利]紫外发光二极管外延片及其制备方法-CN202010970745.6有效
发明人：刘旺平;梅劲;张武斌;刘春杨 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：将衬底与n型AlGaN层之间的缓冲层设置为包括交替层叠的AlGaN子层与SiN子层。SiN子层则可以抑制AlGaN子层生长时存在的缺陷进一步向上延伸至n型AlGaN层与GaN/AlGaN多量子阱层中。AlGaN子层与SiN子层交替层叠，可释放底层AlGaN子层与SiN子层积累的应力，使得最靠近n型AlGaN层与GaN/AlGaN多量子阱层的AlGaN子层与SiN子层中的应力与缺陷相对较少。使生长在缓冲层上的n型AlGaN层与GaN/AlGaN多量子阱层的质量得到进一步提高，最终得到的发光二极管中的发光效率得到提高。
紫外发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]垂直型发光二极管及其制造方法-CN201911329562.X有效
发明人：蒋振宇;闫春辉 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该方法包括：在生长衬底的一侧主表面上生长第一缓冲层，第一缓冲层的材料为GaN、InGaN以及AlInGaN中的任意一种或组合；在第一缓冲层上生长第二缓冲层，其中第二缓冲层为AlGaN以及AlN中的任意一种或组合；在第二缓冲层上生长基于AlGaN材料体系的发光外延层，发光外延层包括与第二缓冲层接触的n型AlGaN半导体层；以第一缓冲层作为剥离牺牲层，以从第一缓冲层和生长衬底的接触面剥离生长衬底；去除第二缓冲层以外露n型AlGaN半导体层。通过上述方式，第一缓冲层作为牺牲层，帮助完成从生长衬底的接触面剥离生长衬底，能够在确保基于AlGaN材料体系发光外延层的生长质量的前提下，有效降低该发光外延层从生长衬底的剥离难度。
垂直发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种改善GaN基LED芯片电流扩展的外延方法-CN201510056425.9有效
发明人：唐军 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种改善GaN基LED芯片电流扩展的外延方法，其外延结构，从下向上的顺序依次包括蓝宝石衬底、低温GaN成核层、高温GaN缓冲层、高温u型GaN层、复合n型GaN层、复合电流扩展层、多量子阱发光层、p型AlGaN电子阻挡层、高温p型GaN层、p型GaN接触层，所述复合n型GaN层生长结束后，生长复合电流扩展层；复合电流扩展层由15‑20组u‑GaN/n‑GaN超晶格和5‑10组n‑GaN/n‑AlGaN
一种改善 gan led 芯片电流扩展外延方法

[发明专利]具有原子级厚超薄发射层的GaN反射式光电阴极-CN201910637382.1有效
发明人：刘磊;田健;刁煜;陆菲菲;夏斯浩 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有原子级厚超薄发射层的GaN反射式光电阴极，结构自下而上分别为衬底层、p型AlGaN缓冲层、原子级厚GaN超薄发射层以及位于发射层上的Cs/O激活层。所述p型AlGaN缓冲层采用均匀掺杂结构，所述原子级厚GaN超薄发射层由若干厚度相等的GaN单原子层堆叠而成。本发明采用GaN单原子层作为发射层，可以使光电阴极工作在高温、高电压、强辐射以及深紫外条件下并保持耐久性，同时还能增加发射层激子浓度，减少电子输运时间和距离，最终提高光电阴极的量子效率。
具有原子超薄发射 gan 反射光电阴极

[发明专利]一种紫外光发光二极管外延片及其制备方法和应用-CN202010608784.1在审
发明人：李娇;张义颖 -专利权人：苏州匠笃机电科技有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种紫外光发光二极管外延片及其制备方法和应用，该外延片包括衬底及依次设置在所述衬底上的缓冲层、P型层、电子阻挡层、多量子阱发光层及N型层，所述缓冲层位于所述衬底和P型层之间，所述缓冲层为不掺杂的AlN缓冲层或不掺杂的AlGaN缓冲层，所述P型层为P型掺杂的GaN层或P型掺杂的AlGaN层，所述N型层为N型掺杂的AlGaN层。本发明的外延片，在后续加工成UV‑LED的芯片时，不需通过倒装GaN/AlGaN‑LED芯片加工工艺或者使用键合基板、剥离衬底等复杂工艺以形成垂直兼倒装的GaN/AlGaN‑LED芯片，只需要相对简易的正装GaN/AlGaN‑LED加工工艺即可制作出高质量的UV‑LED芯粒，大大方便装配工艺。
一种紫外光发光二极管外延及其制备方法应用

[发明专利]MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法-CN201210131045.3无效
发明人：张进成;张琳霞;郝跃;王冲;马晓华;党李莎;鲁明;周昊;孟凡娜;侯耀伟;姜腾 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-04-29 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)和N型AlGaN主势垒层(4)；N型AlGaN主势垒层(4)顶端两侧为源极(9)和漏极(10)，中间为栅电极(13)，GaN主缓冲层(3)的中间刻蚀有凹槽(5)，凹槽的底面为0001极性面，凹槽侧面为非0001面，凹槽内壁依次外延有GaN次缓冲层(6)、AlGaN次势垒层(7)和介质层(8)；介质层(8)上淀积有栅电极(13)。本发明具有阈值电压高、调控性好，电流密度高，夹断特性优良，制作工艺简单成熟、重复性好的优点，可用于高温大功率应用场合及数字电路中。
mis gan 增强 hemt 器件制作方法

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310064301.X在审
发明人：聂虎臣;刘兆;霍丽艳;崔晓慧 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括依次层叠的Si衬底、第一缓冲层、第二缓冲层和由第一型GaN层、多量子阱层以及第二型GaN层组成的GaN发光层，其中，第一缓冲层为AlN层，第二缓冲层包括多层AlGaN层，从而通过AlN层和AlGaN层使Si衬底逐渐过渡到GaN发光层；并且，在第二缓冲层中，在相邻两层AlGaN层之间插入一层缺陷阻挡层，且缺陷阻挡层至少包括SiN层，从而利用SiN层抑制AlGaN层中的部分位错和缺陷，并有效引导AlGaN层中应力的释放，以提高后续生长的GaN发光层的内应力状况和晶体质量，降低缺陷密度，改善LED芯片的波长均匀性和内量子效率，提升亮度。
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种提高LED生产效率的复合缓冲层外延结构-CN201810947741.9在审
发明人：孙一军;程志渊;盛况;周强;孙颖 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提出一种提高LED生产效率的复合缓冲层外延结构，所述外延结构为由蓝宝石衬底、复合缓冲层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层依次层叠的层叠结构本发明的外延结构在蓝宝石衬底与非故意掺杂高温GaN层之间没有低温GaN缓冲层，只有复合缓冲层，且复合缓冲层为采用非MOCVD方法制备的Al₂O₃/AlN周期性结构
复合缓冲层外延结构高温GaN层蓝宝石衬底掺杂低温GaN缓冲层周期性结构层叠结构发光效率生产效率依次层叠与非制备

[发明专利]N极性GaN/AlGaN异质结外延结构及其制备方法-CN202111407956.X在审
发明人：王文樑;江弘胜;李国强;李林浩;黄星悦 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种N极性GaN/AlGaN异质结外延结构及其制备方法，所述N极性GaN/AlGaN异质结外延结构包括在硅衬底上依次生长的低温N极性AlN缓冲层、非掺杂N极性AlGaN缓冲层、非掺杂N极性AlGaN层和非掺杂N极性GaN层。本发明提供的N极性GaN/AlGaN异质结外延结构，是一种高质量N极性GaN/AlGaN异质结的外延结构，能够实现高效率的功率电子器件。
极性 gan algan 异质结外延结构及其制备方法

[发明专利]带量子垒层硅掺杂结构的LED外延片、生长方法及其制造方法-CN202111640216.0在审
发明人：刘宝琴;朱剑峰;陈淼清;张蔚;徐扣琴 -专利权人：南通同方半导体有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种带量子垒层硅掺杂结构的LED外延片、生长方法及其制造方法；外延片结构包括从下往上依次设置的蓝宝石衬底上生长的外延层、AlGaN缓冲层、非掺杂GaN层、AlGaN缺陷阻挡层、n型GaN层、高温InGaN/GaN应力释放层、低温InGaN/GaN量子阱发光层、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层。本发明通过量子阱发光层的垒层中硅掺杂方式及垒层结构的优化，加强量子阱外延晶体质量和阱垒的界面质量，有效改善空穴的分布与运输，增强电流的横向扩展性，减小极化电场，有效改善绿光LED的光输出及电特性。
量子垒层硅掺杂结构 led 外延生长方法及其制造