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[发明专利]一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法-CN201810768268.8有效
发明人：杨学林;沈波;宋春燕;纪攀峰;唐军;齐胜利;潘尧波 -专利权人：北京大学;合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法，通过外延方法制备的降低氮化镓基外延层中漏电的结构包括，衬底；成核层，设置于所述衬底的上表面；应力和缺陷控制层，设置于所述成核层的上表面；下缓冲层，设置于所述应力和缺陷控制层的上表面；电子阻挡层，设置于所述下缓冲层的上表面；上缓冲层，设置于所述电子阻挡层的上表面；沟道层，设置于所述上缓冲层的上表面；以及势垒层，设置于所述沟道层的上表面。利用本发明，通过在上缓冲层和下缓冲层中引入电子阻挡层，利用电子阻挡层的势垒阻挡特性，能够有效的阻挡衬底中的电子注入到上缓冲层中，有效减少氮化镓基外延层中的纵向漏电流，提高氮化镓基外延层的可靠性。
一种降低氮化外延漏电结构及其制备方法

[发明专利]白光发光二极管的调光方法-CN201910096408.6有效
发明人：陈志忠;聂靖昕;焦飞;康香宁;党卫民;童玉珍;张国义;沈波;唐军;刘亚柱;齐胜利;潘尧波 -专利权人：北京大学;合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H05B45/325 文献下载
摘要：本发明提供一种白光发光二极管的调光方法，所述方法包括：分别测量红色发光二极管、黄色发光二极管、蓝色发光二极管以及绿色发光二极管在额定电流工作状态下单独发光的光谱功率；计算所述红色发光二极管、所述黄色发光二极管、所述蓝色发光二极管以及所述绿色发光二极管的相对混光比例；根据所述相对混光比例，利用控制单元对所述红色发光二极管、所述黄色发光二极管、所述蓝色发光二极管以及所述绿色发光二极管输出不同占空比的控制信号；其中，所述红色发光二极管的峰值波长是介于670nm到700nm之间。本发明制备出的白光发光二极管显色性高、蓝光危害低、同时可调节色温，满足在任何色温下都可得到显色性高且蓝光危害低的白光发光二极管。
白光发光二极管调光方法

[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法-CN201910179765.9有效
发明人：唐军;齐胜利;刘亚柱;潘尧波;陈志忠;詹景麟;康香宁;焦飞;张国义;沈波 -专利权人： 合肥彩虹蓝光科技有限公司;北京大学
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；其中，所述外延结构依次包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；形成金属层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；形成绝缘层于所述第一金属电极以及所述第二金属电极之间；其中，形成绝缘层的步骤包括：形成一层光敏性材料于所述外延结构的表面上；对所述光敏材料进行图案化步骤及热固化处理，以形成所述绝缘层。本发明提出的发光二极管芯片制造方法，工艺简单，能够提高产品良率，提高产品性能。
一种发光二极管芯片及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法-CN201910179543.7有效
发明人：陈志忠;詹景麟;康香宁;焦飞;张国义;沈波;唐军;齐胜利;刘亚柱;潘尧波 -专利权人：北京大学;合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；移除部分所述第一金属电极以及所述外延结构，形成多个纳米柱。本发明提出的发光二级管芯片优化了纳米柱的结构，改善了出光效率，具有较大的推广应用价值。
一种发光二极管芯片及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法-CN201910179563.4有效
发明人：陈志忠;詹景麟;康香宁;焦飞;张国义;沈波;唐军;齐胜利;刘亚柱;潘尧波 -专利权人：北京大学;合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上，其中，所述外延结构依次包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；形成金属层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；移除部分所述第一金属电极以及所述外延结构，以形成纳米柱；形成绝缘层于所述纳米柱之间，以及于所述第一金属电极与第二金属电极之间；制备第一金属电极焊盘于所述第一金属电极上以及第二金属电极焊盘于所述第二金属电极上，形成互相连接的纳米柱结构；形成倒装焊接板于所述发光二极管芯片对应的位置上。
一种发光二极管芯片及其制造方法

[发明专利]一种氮化铝外延层生长方法-CN201811397338.X有效
发明人：周陈;唐军;潘尧波 -专利权人： 合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化铝外延层生长方法，包括在衬底上利用物理气相沉积法生长氮化铝薄膜，烘烤所述氮化铝薄膜，氮化所述衬底上的所述氮化铝薄膜，利用金属有机物化学气相沉积法在所述氮化铝薄膜上生长氮化铝外延层。本发明所生长氮化铝薄膜的成本低，无污染，稳定。本发明提供了一种生长稳定的、位错密度低和表面平整的高晶体质量氮化铝外延层生长方法。
一种氮化外延生长方法

[发明专利]一种半导体结构-CN201910535189.7有效
发明人：吴永军;刘亚柱;唐军;齐胜利 -专利权人： 合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体结构，包括：基板；多个半导体层，设置在所述基板上；多个导电引线，位于所述多个半导体层上，所述导电引线与所述半导体层形成一夹角，所述夹角在85°‑115°。本发明提出的半导体结构能够提高半导体的发光效率，本发明还提出一种半导体结构的制造方法。
一种半导体结构

[发明专利]一种GaN基HEMT器件外延结构及其生长方法-CN201710137877.9有效
发明人：唐军;潘尧波 -专利权人： 合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基HEMT器件外延结构及其生长工艺，生长工艺包括以下步骤：S1：提供一Si衬底，在其表面制作出多个凹坑；S2：在所述Si衬底表面上形成AlN薄膜，使所述AlN薄膜填充满所述凹坑；S3：在所述AlN薄膜表面上生长AlGaN过渡层；S4：在所述AlGaN过渡层表面上生长GaN耐压层；S5：在所述GaN耐压层表面上生长AlN插入层；S6：在所述AlN插入层表面上生长InAlN势垒层；S7：在所述InAlN势垒层表面上生长GaN盖层。本发明获得的具有InAlN结构的势垒层的HEMT器件外延结构不仅具有高的迁移率，并且具有显著提高的高频、高功率器件性能。
一种 gan hemt 器件外延结构及其生长方法

[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法-CN201910535164.7有效
发明人：吴永军;刘亚柱;唐军;齐胜利 -专利权人： 合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，该制造方法包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上，所述外延结构包括第一半导体层，第二半导体层；形成图案化电流阻挡层于所述外延结构上；形成电流扩展层于所述外延结构上，并移除部分所述电流扩展层及外延结构，形成凹槽，所述凹槽暴露出部分所述第二半导体层，所述电流扩展层覆盖所述图案化电流阻挡层；形成第一电极于所述电流扩展层上，以及形成第二电极于所述暴露的第二半导体层上；形成第一导电引线于所述第一电极上，以及形成第二导电引线于第二电极上，所述第二导电引线还位于发光二极管芯片的切割道上；形成钝化层于所述第一电极及第二电极两侧。该制造方法设计合理，成本较低。
一种发光二极管芯片及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法-CN201811510747.6有效
发明人：张洪波;吴化胜;刘亚柱 -专利权人： 合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片制备方法，该制备方法包括，提供一衬底；于所述衬底上形成第一半导体层；于所述第一半导体层上形成发光层；于所述发光层上形成第二半导体层；于所述第二半导体层上形成透明导电层；于所述第一半导体层上形成第一电极，所述透明导电层上形成第二电极，其中所述第一电极和第二电极的结构包括多个导电层，所述多个导电层中的最外一层为金属钛层，所述金属钛层的厚度为根据该制备方法制备出的发光二极管芯片，可改善芯片老化性能，有效的降低电压。
一种发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]一种半导体元件的切割方法及制造方法-CN201811416176.X有效
发明人：吕振兴;张德;齐胜利;刘亚柱;程常占;唐军 -专利权人： 合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体元件的切割方法及制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底上包括多个半导体元件；进行粘片步骤，粘片膜与所述衬底的底面上进行粘合；覆盖保护膜于所述半导体元件上；进行隐形切割步骤，以在所述衬底内部形成变质层结构；进行劈裂步骤，以获得相互分隔的所述半导体元件。本发明提出的切割方法能够解决现有技术在切割过程中半导体元件脱落的问题，有效地提高了生产良率及作业效率，同时本发明工艺简单稳定，可操作性强，能够在工业上进行推广应用。
一种半导体元件切割方法制造

[发明专利]一种隔离槽的制造方法及其应用-CN201910400487.5有效
发明人：吕振兴;李鑫鑫;刘亚柱;王晓燕;齐胜利 -专利权人： 合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种隔离槽的制造方法及其应用，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；通过多次曝光形成图案化光阻层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成隔离槽；所述隔离槽暴露所述衬底；其中，进行多次曝光时，第二次曝光时光罩与光阻层之间的距离大于第一次曝光时光罩与光阻层之间的距离。本发明提出的隔离槽的制造方法能够提供高压发光二极管芯片的产品良率。
一种隔离制造方法及其应用

[发明专利]一种金属有机物化学气相沉积设备的反应腔体的清洁方法-CN201811415026.7有效
发明人：唐军;周陈;齐胜利;潘尧波 -专利权人： 合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开一种金属有机物化学气相沉积设备的反应腔体的清洁方法，本发明包括将所述反应腔体升温到第一温度，并向所述反应腔体内通入氢气，以去除所述反应腔体内的水气，将所述反应腔体升温到第二温度，并持续向所述反应腔体内通入氢气，以利用所述氢气烘烤所述反应腔体，将所述反应腔体保持在所述第二温度，并持续向所述反应腔体内通入氢气，且利用脉冲循环方式向所述反应腔体内通入氨气，向所述反应腔体内通入氮气，在氮气环境下将所述反应腔体的温度逐渐降低到常温。本发明能够有效对腔体内部的覆盖层进行去除，并对腔体内的金属镓、铝等原子进行钝化，保证连续生长过程中的外延片表面正常并且不会发生表面粗化现象。
一种金属有机物化学沉积设备反应清洁方法

[外观设计]便携式餐具盒-CN202030081138.5有效
发明人：孙质彬;刘亚柱;齐胜利 -专利权人： 合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：便携式餐具盒。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于筷子、勺子等餐具的杀菌消毒及便携使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
便携式餐具

[发明专利]一种提高发光面占比的高压LED芯片制备方法-CN201810312186.2有效
发明人：吴永军;刘亚柱;齐胜利;潘尧波;唐军 -专利权人： 合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提高发光面占比的高压LED芯片制备方法，所述制备方法包括以下步骤：步骤1)在基片上使用侧壁陡直的第一掩膜刻蚀出侧壁陡直的深刻蚀沟槽；步骤2)在所述深刻蚀沟槽中需要金属桥接处使用侧壁平缓的第二掩膜刻蚀出缓坡部。本发明的高压LED芯片制备方法既能保证斜坡处金属连接正常，又能使发光面积最大化，提升芯片性能；实际增大的发光面积视芯片大小及串联次数多少而定，芯片越小，串联次数越多，发光面积增加越多；总体上，发光面积可增大10‑30％，亮度增加3‑10％；电压降低0.03‑0.1V；寿命测试光衰减少1‑3％。
一种提高光面高压 led 芯片制备方法

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