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[发明专利]非极性AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法-CN202011017651.3在审
发明人：高芳亮;杨金铭 -专利权人：深圳市昂德环球科技有限公司;深圳市三航工业技术研究院
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了非极性AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法，所述非极性AlGaN基深紫外LED外延片包括：生长在r面蓝宝石衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的非掺杂a面AlGaN缓冲层、生长在所述非掺杂a面AlGaN层上的n型掺杂a面AlGaN层、生长在所述n型掺杂a面AlGaN层上的a面AlGaN多量子阱层、生长在所述a面AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN薄膜，本发明所制备的非极性AlGaN基深紫外LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能佳。
极性 algan 深紫 led 外延制备方法

[发明专利]发光二极管的外延片及其制备方法-CN202110164469.9在审
发明人：丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：该制备方法包括：提供一衬底；在衬底上依次外延生长高温AlN缓冲层、过渡层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层，过渡层为周期性结构，周期性结构包括交替层叠的AlN层和AlGaN层，沿外延片生长的方向，生长各个AlGaN层时的Ⅴ/Ⅲ摩尔比逐层降低。AlN层促使高温AlN缓冲层延伸上来的位错缺陷弯曲，增加位错相互湮灭几率，达到减少位错缺陷的目的，在较高的Ⅴ/Ⅲ摩尔比下AlGaN层呈现三维岛状生长，在较低的Ⅴ/Ⅲ摩尔比下AlGaN层二维生长，Ⅴ/Ⅲ摩尔比逐层降低使AlGaN层从三维生长过渡到二维生长，减小位错密度，提高晶体质量。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管的外延片及其制备方法-CN202110164464.6在审
发明人：丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该制备方法包括：提供一衬底；在衬底上依次外延生长高温AlN缓冲层、过渡层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层，过渡层为周期性结构，周期性结构包括交替层叠的AlN层和AlGaN层，沿外延片生长的方向，各个AlGaN层的生长压力逐渐降低。过渡层中的AlN层能够促使高温AlN缓冲层延伸上来的位错缺陷弯曲，增加位错相互湮灭几率，从而达到减少位错缺陷的目的，先生长的AlGaN层的生长压力较高，促使AlGaN层的三维岛状生长，后生长的AlGaN层的生长压力较低，使AlGaN层逐渐从三维生长过渡到二维生长，减小位错密度，提高晶体质量。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种紫外-可见双波段光电探测器-CN201910635101.9有效
发明人：庄喆;李成;张雄;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开一种紫外‑可见双波段光电探测器，包括由下至上设置的衬底层、低温AlN成核层、高温AlN缓冲层、n型AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、i型AlGaN吸收层、AlGaN倍增层、P型AlGaN层、AlGaN渐变层、n型AlGaN层、n型GaN层、InGaN倍增层、i型InGaN吸收层、P型InGaN层和P型GaN层。在n型AlGaN层(105)和n型GaN层侧面有一外露区域，外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极，在P型GaN上表面设置P型欧姆接触层。
一种紫外可见波段光电探测器

[实用新型]一种UVC外延结构、UVC芯片及电子设备-CN202123411054.1有效
发明人：阚钦 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种UVC外延结构，所述UVC外延结构包括P型GAN层、P型ALGAN层、UVC MQW层、N型ALGAN层和基层，所述P型GAN层、P型ALGAN层、UVC MQW层、N型ALGAN层和基层自上而下依次铺设，其特征在于，所述N型ALGAN层和基层之间通过物理气相沉积铺设有缓冲层。本实用新型所提出的UVC外延结构通过设置缓冲层作为UVC生长外延前的缓冲，在进入MOCVD后可直接进行后续外延层生长，降低了MOCVD对生长缓冲层的需求，避免了对MOCVD的高温需求，可采用常规设备进行
一种 uvc 外延结构芯片电子设备

[发明专利]一种发光二极管外延片及其生长方法-CN201610247660.9有效
发明人：姚振;从颖;胡加辉 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、缺陷阻挡层、有源层、电子阻挡层、P型层，缺陷阻挡层包括第一子层和第二子层，第一子层包括交替层叠的第一AlGaN层和GaN层，第二子层包括交替层叠的第二AlGaN层和第三AlGaN层；第一AlGaN层中的Al含量沿所述发光二极管外延片的生长方向逐渐变化，第二AlGaN层中的Al含量和第三AlGaN层中的Al含量均保持不变，且第二AlGaN层中的Al含量与第三AlGaN层中的Al含量不同且均小于第一AlGaN层中的Al含量。
发光二极管外延子层交替层叠阻挡层半导体技术领域低温缓冲层电子阻挡层高温缓冲层蓝宝石生长方向逐渐变化生长衬底源层阻挡延伸

[发明专利]基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法-CN201811009797.6有效
发明人：罗伟科;李忠辉;陈鑫龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法，包括如下步骤：1）准备材料；2）依次进行高温烘烤、成核层生长、高质量GaN剥离层生长；3）生长p型Mg掺杂的高铝组分AlGaN光电发射层；4）在AlGaN表面键合石英窗口材料；5）利用激光分解技术将GaN层彻底分解，剥离衬底；6）AlGaN表面进行Cs或者Cs/O层激活。优点：1）采用GaN代替AlN作为紫外光电阴极缓冲层，降低了缓冲层生长难度，提高了p型AlGaN发射层的晶体质量，有利于制备更高灵敏度的光电阴极；2）采用缓冲层激光分解技术，充分分解GaN层，实现衬底剥离，可以避免衬底和缓冲层对紫外入射光线的吸收，保证了光电发射层对紫外光线的高效探测；3）激光剥离的衬底可以重复使用，经济节约。
基于衬底剥离透射 algan 紫外光电阴极制备方法

[发明专利]紫外GaN基LED外延结构及其制造方法-CN201610114866.4在审
发明人：冯猛;陈立人;刘恒山 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外GaN基LED外延结构及其制造方法，LED外延结构依次包括：衬底；低温缓冲层；高温u‑GaN层；高温n‑GaN层；低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层；高温p‑AlGaN电子阻挡层；高温p‑GaN层。本发明通过设计紫外GaN基LED外延结构中的量子阱发光层结构，降低了材料中自发和压电极化效应的影响，能够提升紫外LED器件的内部量子效率。
紫外 gan led 外延结构及其制造方法

[发明专利]一种高出光率SiC衬底LED芯片及其制备方法-CN200910018157.6无效
发明人：吴德华;朱学亮;曲爽;张鸿月;李树强;徐现刚;任忠祥 -专利权人：山东华光光电子有限公司
申请日： 2009-09-08 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该高出光率SiC衬底LED芯片包括SiC衬底、AlN缓冲层、UGaN层、N型GaN层、MQW层、P型AlGaN层和P型GaN层，在UGaN层和N型GaN层之间设有10-20个循环层的AlGaN与GaN交替的DBR层，每个循环的DBR层厚度是104.1nm-111.6nm。其制备方法的步骤是在900℃-1100℃下在SiC衬底上沉积一层高温AlN缓冲层；在高温AlN缓冲层上生长1um厚的UGaN层；生长10-20个循环的AlGaN与GaN的DBR层，每个循环的DBR层厚度是104.1nm-111.6nm；生长N型GaN层；在600℃-900℃之间生长MQW；生长一层P型AlGaN；生长P-GaN层。本发明利用多个循环DBR层，使得发光强度提高了30％-50％。
一种高出光率 sic 衬底 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种增强型高迁移率氮化镓半导体器件及其制备方法-CN202110299527.9有效
发明人：孙慧卿;谭秀洋;夏凡;夏晓宇;马建铖;张淼;郭志友 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种增强型高迁移率氮化镓半导体器件及其制备方法，该器件包括依次层叠的蓝宝石衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlGaN梯度缓冲层、GaN/In0.12GaN超晶格背垒层、AlGaN中间层及InAlGaN势垒层，位于势垒层上的源极金属、漏极金属和p‑AlGaN栅极，位于p‑AlGaN栅极表面的p‑GaN栅极层与栅极金属的自对准结构，p‑GaN栅极层位于p‑AlGaN栅极表面靠近源极的一侧。本发明的器件具有电子迁移率高，击穿电压高，缓冲漏电流小，开关稳定，抑制短沟道效应，器件可靠性高的优势，可应用于短栅电子器件以及高温大功率器件。
一种增强迁移率氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件-CN202210708221.9在审
发明人：葛永晖;陈张笑雄;肖云飞;陆香花;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述HEMT外延片包括：Si衬底、依次层叠在所述Si衬底上的复合过渡层、AlGaN缓冲层、AlGaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层与GaN盖帽层，所述复合过渡层包括依次层叠在所述Si衬底上的低温BP成核层、高温BP成核层和预铺Al层，所述低温BP成核层的生长温度低于所述高温BP成核层的生长温度。
hemt 外延及其制备方法器件

[实用新型]紫外GaN基LED外延结构-CN201620155185.8有效
发明人：冯猛;陈立人;刘恒山 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种紫外GaN基LED外延结构，LED外延结构依次包括：衬底；低温缓冲层；高温u‑GaN层；高温n‑GaN层；低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层；高温p‑AlGaN电子阻挡层；高温p‑GaN层，低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层包括层叠设置的低温Al_xIn_yGa_1‑x‑yN量子阱层和低温Al_zGa_1‑_zN量子垒层。本实用新型通过设计紫外GaN基LED外延结构中的量子阱发光层结构，降低了材料中自发和压电极化效应的影响，能够提升紫外LED器件的内部量子效率。
紫外 gan led 外延结构

[发明专利]LED外延接触层生长方法-CN201610413857.5在审
发明人：林传强 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED外延接触层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂的u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长多量子阱MQW发光层、生长P型AlGaN层、生长高温P型GaN层、生长掺杂Si的AlGaN接触层、降温冷却。在生长掺杂Mg的P型GaN层后引入掺杂Si的AlGaN接触层的生长，即在LED外延最后的接触层设计AlGaN：Si结构，能够很好的匹配ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜电流扩展层，以降低接触电阻，从而能够降低
led 外延接触生长方法

[发明专利]一种HEMT外延结构及其制备方法-CN201811526199.6在审
发明人：丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：AlGaN缓冲层中Al的组分沿AlGaN缓冲层的层叠方向逐渐降低，使得AlN成核层上的AlGaN缓冲层的质量较好。AlGaN缓冲层包括n个依次层叠在AlN成核层上的AlGaN缓冲子层，每个AlGaN缓冲子层设置为包括底层结构与设置在底层结构上的多个锥形凸起，使第n个AlGaN缓冲子层在底层结构上逐渐向远离衬底的第一表面的方向纵向生长时，第n个AlGaN缓冲子层会同时朝向平行第一表面的方向横向生长。第n个AlGaN缓冲子层纵向生长时产生的部分位错缺陷会与第n个AlGaN缓冲子层横向生长时产生的部分位错缺陷相抵消，缺陷的减少可提高第n个AlGaN缓冲子层的晶体质量。整体AlGaN缓冲层质量提高，进而提高在AlGaN缓冲层上生长的GaN层的质量。
缓冲子层缓冲层底层结构第一表面外延结构位错缺陷成核层制备生长光电技术领域层叠方向方向横向方向纵向横向生长依次层叠逐渐降低锥形凸起纵向生长衬底半导体抵消平行

[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片的制造方法-CN201611161065.X有效
发明人：李红丽;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：包括：在衬底上依次形成缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、N型阻挡层、应力释放层、量子阱、P型电子阻挡层、P型GaN层；N型阻挡层由高温AlGaN层和低温GaN层组成，高温AlGaN层和低温GaN层中均掺杂有N型掺杂剂，高温AlGaN层的生长温度高于低温GaN层的生长温度。本发明通过高温AlGaN层有效限制电子的迁移，减小电子的迁移速率，提高发光阱区载流子的浓度，最终提升发光效率；同时通过低温GaN层阻隔缺陷，改变V形坑的大小和开口位置，减少由于晶格失配产生的位错，减少漏电
一种 gan 发光二极管外延制造方法