专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]自适应关盖平衡机构-CN202320386673.X有效
  • 雍晓龙;张义颖;何奇 - 披刻半导体(苏州)有限公司
  • 2023-03-06 - 2023-09-05 - C23C16/455
  • 本实用新型涉及自适应关盖平衡机构,包括设备外壳,所述设备外壳的内侧设置有升降盖,所述升降盖的下端部固定连接有轴套,所述轴套的内侧滑动连接有端块,所述端块的下端部固定连接有一端贯穿轴套并延伸至设备外壳外侧的升降轴,所述端块的下端部与轴套的内侧之间固定连接有位于升降轴外侧的压缩弹簧,所述升降轴的下端部固定连接有升降板。该自适应关盖平衡机构,通过巧妙的将升降轴、端块、压缩弹簧组装在轴套内,使得升降轴在关闭腔盖的时候有一段压缩弹簧进行缓冲,如果腔盖和设备外壳内腔面不平,压缩弹簧可以左右纠正不平的行程,自适应使得腔盖和腔室无缝隙,从而提高整个腔室的密闭性。
  • 自适应平衡机构
  • [实用新型]可均匀进气的原子层沉积装置-CN202320953263.9有效
  • 张义颖;张良;雍晓龙;何奇 - 披刻半导体(苏州)有限公司
  • 2023-04-25 - 2023-08-11 - C23C16/455
  • 本实用新型提供可均匀进气的原子层沉积装置,涉及原子层沉积技术领域。该可均匀进气的原子层沉积装置转动轴转动带动转动板转动,此时可以使通过进气筒进入到真空反应腔内部的反应气体与真空反应腔内部微粒进行充分的均匀地接触混合,使反应气体布满在真空反应腔内部的各个区域,以此在微粒表面形成一层均匀的薄膜,此结构有益于使反应气体均匀分布在微粒表面形成均匀薄膜。该可均匀进气的原子层沉积装置包括支撑板,所述支撑板顶部设置有转动杆,所述转动杆一侧固定连接有反应槽,所述反应槽内部设置有真空反应腔,所述反应槽内部固定连接有齿圈,所述齿圈内部啮合连接有多个齿轮。
  • 均匀原子沉积装置
  • [实用新型]尾气管升降微调装置-CN202320257732.3有效
  • 雍晓龙;张义颖;何奇 - 披刻半导体(苏州)有限公司
  • 2023-02-20 - 2023-07-18 - F16L3/10
  • 本实用新型公开了尾气管升降微调装置,具体涉及升降微调装置领域,包括安装垫,所述安装垫的顶部固定有金属套,所述金属套的顶部放置有原子层沉积设备尾气管体;本装置设置有管道安装装置,在将原子层沉积设备尾气管体放置在对应的金属套后,通过加固套和转动套对原子层沉积设备尾气管体进行夹持固定,实现了原子层沉积设备尾气管体便于定位和安装的目的,实现了原子层沉积设备尾气管体和加固套之间定位装配较为方便的目的;本装置设置有升降微调机构,螺纹柱转动后可对安装板外侧的支撑高度进行调整,从而实现对原子层沉积设备尾气管体升降微调的目的,并便于让原子层沉积设备尾气管体的首尾位置对准。
  • 尾气升降微调装置
  • [实用新型]真空升降和平移关盖机构-CN202320576470.7有效
  • 雍晓龙;张义颖;何奇 - 披刻半导体(苏州)有限公司
  • 2023-03-22 - 2023-07-18 - E06B3/50
  • 本实用新型涉及真空升降和平移关盖机构,包括底板,所述底板的顶部固定连接有两个竖板,两个所述竖板相对的一侧均固定连接有导向条,两个所述导向条之间滑动连接有滑套,所述底板和滑套上设置有升降组件,所述升降组件的顶部固定连接有门板,两个所述竖板相对的一侧均固定连接有限位器。该真空升降和平移关盖机构,当气缸往上打开行程时,随动轮推着连接板向上移动,由于复位组件拉着门板,此时门板跟随向上移动,水平方向没有移动,当门板上升到限位器阻挡位置时,随动轮继续向上运动,此时随动轮推力克服复位组件的拉力,门板被水平推动,实现水平关门动作,整体结构实现了真空升降和平移关盖机构节能的作用。
  • 真空升降平移机构
  • [实用新型]一种用于原子层沉积设备进气管路-CN202223345111.5有效
  • 张义颖;张良;雍晓龙;何奇 - 披刻半导体(苏州)有限公司
  • 2022-12-13 - 2023-06-09 - F17D1/02
  • 本实用新型公开了一种用于原子层沉积设备进气管路,包括主管路,主管路右侧连接有反应室,主管路靠左侧设置有氮气吹扫阀,主管路左端连接有进气管路,进气管路上设置有进气管口,主管路底端靠近氮气吹扫阀一侧设置有防护箱,防护箱右侧设置有第二单向阀,第二单向阀底端通过管路连接有源瓶B,第二单向阀右侧设置有第一单向阀,第一单向阀底端通过管路连接有源瓶B,第一单向阀下方设置有第一ALD手动阀,第一ALD手动阀底部设置有第一气动阀,第二单向阀下方设置有第二ALD手动阀,第二ALD手动阀下方设置有第二气动阀;本一种用于原子层沉积设备进气管路具有结构设计合理、操作使用方便、避免管路堵塞的优点。
  • 一种用于原子沉积设备管路
  • [实用新型]真空双层进气机构-CN202320095612.8有效
  • 雍晓龙;张义颖;何奇 - 披刻半导体(苏州)有限公司
  • 2023-02-01 - 2023-04-14 - C23C16/455
  • 本实用新型公开了真空双层进气机构,涉及进气设备技术领域,包括第一进气板、第二进气板、导向轴、弹簧、滑套、第二密封圈。本实用新型巧妙的通过导向轴、弹簧和滑套将内外腔进气板进行了整体设计,通过弹簧的压力将内腔进气板压在内腔上进行密封,采用了巧妙的弹簧结构将进气进行了设计,既解决了进气的问题又安装维护简便;可有效保证对真空室进气机构的双重密封处理,可有效保证真空双层进气机构的密封性能,导向轴沿着通槽向内运动,导向轴将第二密封圈向外顶,第二密封圈从安装槽内伸出,进一步加强第二进气板和真空室内腔壁之间的密封性能,进气机构无需反复调试即可保证密封性能。
  • 真空双层机构
  • [实用新型]一种原子层沉积设备的快速沉积腔室-CN202222935074.7有效
  • 张义颖;张良;雍晓龙;何奇 - 披刻半导体(苏州)有限公司
  • 2022-11-04 - 2023-03-24 - C23C16/455
  • 本实用新型公开了一种原子层沉积设备的快速沉积腔室,属于原子层沉积技术领域,包括升降架,所述升降架顶端安装有下底板,所述下底板顶端活动安装有沉积腔体,所述沉积腔体顶端安装有上盖板,所述沉积腔体一端嵌入安装有真空抽气管,所述真空抽气管外表面一端连接有真空泵,所述上盖板外表面安装有连接密封机构包括固定环、密封垫和滑条,所述上盖板外表面固定安装有固定环,本实用新型通过连接密封机构,能够改变现有螺钉安装的方式,该方式便于上盖板和沉积腔体之间的安装,降低了上盖板和沉积腔体之间安装所需要的时间,达到了高效安装的目的,同时能够增加上盖板和沉积腔体连接处的密封性。
  • 一种原子沉积设备快速
  • [实用新型]一种半导体设备加热及温控装置-CN202222882736.9有效
  • 张义颖;张良;雍晓龙;何奇 - 披刻半导体(苏州)有限公司
  • 2022-10-31 - 2023-02-28 - F24F5/00
  • 本实用新型公开了一种半导体设备加热及温控装置,属于半导体设备技术领域,包括热交换器,所述热交换器两端面等距对称通过螺钉安装有风管,所述热交换器正面和背面两侧均通过螺钉安装有安装块,所述风管一端卡接有拆卸式过滤机构,所述拆卸式过滤机构包括凸环、弧形条、第一过滤网和第二过滤网,所述风管一端卡接有凸环,与现有技术相比,本实用新型所达到的有益效果是,通过拆卸式过滤机构,能够对气体进行过滤,减少气体含有的污垢以及碎屑,进而减少了污垢以及碎屑对热交换器内部的影响,并且该第一过滤网和第二过滤网能够便于拆卸进行清理,降低了第一过滤网和第二过滤网拆卸的清理难度。
  • 一种半导体设备加热温控装置
  • [发明专利]一种原子层沉积设备-CN202211109129.7在审
  • 张义颖;张良;雍晓龙;何奇 - 披刻半导体(苏州)有限公司
  • 2022-09-13 - 2022-11-15 - C23C16/44
  • 本发明公开了一种原子层沉积设备,涉及原子层沉积技术领域,包括电控系统、进气控制系统、尾气系统、升降控制系统、衬底片和生长室,所述升降控制系统和生长室相连接,所述生长室包括有外腔室部件、内腔室部件、进气部件、出气部件和产品生长区,所述外腔室部件用于隔断外界环境,所述尾气系统与生长室相连接,所述尾气系统包括有尾气管。本发明通过采用多层进气系统,使前驱体快速均匀地分布到产品表面,采用多通道出气单元,使气体快速地流出反应室,节约吹扫时间,减少生长时间,进气系统采用载气输送,提高前驱体的有效量,降低进气时间,前驱体采用独立的更换管路,可以安全更换前驱体。
  • 一种原子沉积设备
  • [实用新型]一种原子层沉积设备-CN202022070750.X有效
  • 张良;张义颖 - 披刻半导体(苏州)有限公司
  • 2020-09-21 - 2021-05-28 - C23C16/455
  • 本实用新型涉及一种原子层沉积设备,包括具有内腔的反应室、设置在反应室内用于承载沉积用衬底的载台及用于加热衬底的加热机构,反应室顶部开设开口,原子层沉积设备还包括盖合开口使得反应室的内腔形成封闭腔室的上盖,载台设置在上盖底面,当衬底安装在载台上时,衬底的用于沉积的一面朝下,原子层沉积设备还包括设置在反应室侧壁的进气口和排气口。本实用新型通过将载台设置在上盖底面,使得衬底安装在载台上时,衬底用于沉积的一面朝下,重力作用下,颗粒趋向于掉落在反应室底部,能够有效防止或减少颗粒落在衬底上,减少吹扫时间进而提升设备的有效产出。另一方面,吹扫时间少,吹扫气体用量也相应减少。
  • 一种原子沉积设备
  • [发明专利]一种紫外光发光二极管外延片及其制备方法和应用-CN202010608784.1在审
  • 李娇;张义颖 - 苏州匠笃机电科技有限公司
  • 2020-06-30 - 2020-10-16 - H01L33/06
  • 本发明涉及一种紫外光发光二极管外延片及其制备方法和应用,该外延片包括衬底及依次设置在所述衬底上的缓冲层、P型层、电子阻挡层、多量子阱发光层及N型层,所述缓冲层位于所述衬底和P型层之间,所述缓冲层为不掺杂的AlN缓冲层或不掺杂的AlGaN缓冲层,所述P型层为P型掺杂的GaN层或P型掺杂的AlGaN层,所述N型层为N型掺杂的AlGaN层。本发明的外延片,在后续加工成UV‑LED的芯片时,不需通过倒装GaN/AlGaN‑LED芯片加工工艺或者使用键合基板、剥离衬底等复杂工艺以形成垂直兼倒装的GaN/AlGaN‑LED芯片,只需要相对简易的正装GaN/AlGaN‑LED加工工艺即可制作出高质量的UV‑LED芯粒,大大方便装配工艺。
  • 一种紫外光发光二极管外延及其制备方法应用
  • [发明专利]CVD设备及CVD设备保护层形成方法-CN201510366987.3在审
  • 刘慰华;陈伟;张义颖;刘恒山 - 聚灿光电科技股份有限公司
  • 2015-06-29 - 2015-09-16 - C23C16/448
  • 本发明揭示了一种CVD设备及CVD设备保护层形成方法,所述设备包括反应腔及与所述反应腔配合的盖体,以及气体发生器,所述气体发生器穿透所述盖体而与所述反应腔连通,所述气体发生器用于提供氧化性气体及原材料气体;其中,所述氧化性气体及所述原材料气体于盖体内表面处发生化学反应而形成覆盖所述盖体内表面的保护层。本发明通过控制氧化性气体及原材料气体的输入,可以使得氧化性气体及原材料气体于壳体内表面处发生化学反应而直接形成覆盖盖体内表面的保护层,如此,实现了保护层的快速成型,有效降低设备的安装导入使用/异常恢复的周期,提高设备的利用效率,节约能源,确保工业生产的竞争优势,同时,降低了原材料成本。
  • cvd设备保护层形成方法

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