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[发明专利]一种地质灾害监测预警设备-CN202310236543.2在审
发明人： 侯耀伟 -专利权人：北京晟纪信息科技有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G08B21/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种地质灾害监测预警设备，设置相互配合使用的第一定位柱组件和第二定位柱组件，第一定位柱组件和第二定位柱组件分别固定在监测地点的处存在裂缝的两侧位置，预先在膨胀套所在位置处钻孔，将第一定位柱组件和第二定位柱组件分别固定完毕后，使膨胀套伸入钻孔中，向膨胀套的内部钻入螺钉，随螺钉的钻入，膨胀套受到挤压在钻孔内膨胀，在反作用力条件下，箍紧螺钉，使螺钉难以脱落，从而使加固环对第一定位柱组件和第二定位柱组件分别起到加固的作用，防止第一定位柱组件或第二定位柱组件松动；本监测预警设备具有测距带和红外测距仪两种测距工具，当其中一种意外损坏时，可依靠另一种对裂缝扩大变化进行监测，可靠性进一步提升。
一种地质灾害监测预警设备

[发明专利]通用型平面阵列贴片封装模具及管壳定位调整方法-CN202310714096.7在审
发明人： 侯耀伟;杜勿默;王喆;刘林杰 -专利权人：中电国基北方有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H05K13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种通用型平面阵列贴片封装模具及管壳定位调整方法，属于半导体器件技术领域，包括载板、滑移板以及滑移驱动组件，载板上设置有若干呈矩形阵列分布的定位槽；滑移板具有至少一连接臂和对应各定位槽的悬置臂，悬置臂上固设有止挡板，止挡板位于定位槽的上方，连接臂位于相邻的两行或两列定位槽之间；滑移驱动组件设置于滑移板与载板之间，用于推动滑移板沿阵列布置的定位槽的往复移动，改变定位槽的定位区间。本发明利用滑移驱动组件驱动滑移板的移动，改变定位槽的定位区间，不需要更换模具，即可轻松的调整适合管壳的定位区间，大大节省了更换模具的时间，提升了贴片效率，降低了生产成本，缩短了生产周期。
通用型平面阵列封装模具管壳定位调整方法

[发明专利]一种实景三维全息测绘设备-CN202310190502.4在审
发明人：刘蕾;侯耀伟;林志华;马建强;张国萍;陈梦洁;陈明磊;刘霄;纪晓明;郭帅;崔泽鑫;王泽政;张帅帅 -专利权人：北京晟纪信息科技有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： F16M13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种实景三维全息测绘设备，包括测绘设备主体与底座，所述测绘设备主体与所述底座之间相卡接，其中，所述底座包括固定端，所述固定端的底部设置有吸盘，所述固定端的上表面转动设有转动端，所述测绘设备主体卡接在所述转动端的上表面处，本发明通过设置有固定端和转动端，固定端通过吸盘与小型运载车固定，转动端可相对固定端旋转，测绘设备主体与转动端之间相卡接，从而测绘设备主体可相对小型运载车转动，方便设备测绘，同时由于采用吸盘固定，设备相对小型运载车可发生轻微移动，起到缓冲滤震的作用。
一种实景三维全息测绘设备

[发明专利]一种可实现校准和去嵌入技术的波导端口测试夹具-CN202111401750.6在审
发明人：胡江;傅香渝;周扬帆;刘林杰;乔志壮;郭丰强;侯耀伟 -专利权人：电子科技大学;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01R1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种可实现校准和去嵌入技术的波导端口测试夹具，包括结构相同的第一测试夹具和第二测试夹具，第一测试夹具和第二测试夹具的上表面和一个侧面上分别设有法兰盘，每个测试夹具上表面和侧面的法兰盘通过测试夹具内部的L型波导连接；第一测试夹具和第二测试夹具的法兰盘用于连接矢量网络分析仪或被测件。本发明将校准和去嵌入应用到波导端口测试夹具，通过校准的方法将测试端面移动到被测件的端面，或者通过去嵌入的方法去掉夹具的影响，就可以得到被测件的真实测试结果。同时将波导端口测试夹具分为两个部分，同一组夹具可应用到处于同一平面不同位置的波导端口被测件。
一种实现校准嵌入技术波导端口测试夹具

[发明专利]基于像素光栅和计算机视觉的物体表面微尺度测量方法-CN201911042049.2有效
发明人：宋杰;侯耀伟;孙斐然;王蓓蕾 -专利权人：东北大学
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： G01B11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于像素光栅和计算机视觉的物体表面微尺度测量方法。首先使用投影仪投出单像素宽条纹光栅图案，进行光栅测试，直至相机能拍出清晰条纹图片，然后进行相机和投影仪的标定，计算标定结果，其次进行光栅投影，获取条纹图片，随后进行图像增强、去噪、抠图、提取中心线和求特定点，使用空间几何方法计算物体上一点的空间坐标，最后整合所有空间坐标构成物体表面三维点集，利用三维点集完成具体的表面凹凸测量要求。本发明提出了一种新的光栅投影图像处理和计算方案，扩展了光栅投影三维检测的研究内容，使用单像素宽条纹可以显著的降低投射出每条条纹的宽度，从而大大提高了检测精确度，实现了对物体表面的微尺度测量。
基于像素光栅计算机视觉物体表面尺度测量方法

[发明专利]一种带加抖整形的△∑小数频率综合器-CN201410787737.2有效
发明人：许仕龙;杜克明;邹振杰;时锴;李宝骐;魏恒;杨格亮;季晓燕;侯耀伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种带加抖整形的ΔΣ小数频率综合器，具有由鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、压控振荡器、多模分频器和自动频率校准电路组成的基本电路，还具有由ΔΣ调制器、加抖整形电路和LFSR加抖电路组成的频率信号控制电路；其中鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、压控振荡器和多模分频器构成锁相环，在ΔΣ调制器的伪随机序列输入端与LFSR加抖电路之间设有抑制锁相环环路噪底的加抖整形电路，频率信号控制电路的输出端连接多模分频器；加抖整形电路由级数可控的多级微分器构成。本发明的带加抖整形的ΔΣ小数频率综合器，既能加抖、消除杂散又能有效滤除低频噪声，切实保证频率综合器的频率输出特性。
一种带加抖整形小数频率综合

[发明专利]一种p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池及其制备方法-CN201310214435.1有效
发明人：毕臻;郝跃;张进成;李培咸;马晓华;侯耀伟 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明公开了一种p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池及其制备方法。该电池自下而上依次为：p-Si衬底和n-Si层构成Si电池；p-InGaN层、i-InGaN层和n-InGaN层构成InGaN电池；Si电池和InGaN电池之间为直接键合叠加结构或通过梳状金属中间层键合叠加结构；在n-InGaN层上引出有Cr/Ni/Au欧姆接触金属电极，在p-Si衬底背面引出有Al/Au欧姆接触金属电极。方法主要利用InGaN和Si材料的吸收范围相结合，来获得更宽的光谱响应范围。由于本发明同时采用了InGaN薄膜和Si薄膜作为光吸收层，使得吸收蓝紫光波段的InGaN和吸收可见及红外波段的Si两者相结合，可以拓宽光吸收范围，有利于产生更多的光生载流子，提高有效光吸收，同时获得更高的Voc，进而提高电池的转换效率。该p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池可用于太阳能光伏发电。
一种 ingan si 双结叠层太阳电池及其制备方法

[发明专利]MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法-CN201210131045.3无效
发明人：张进成;张琳霞;郝跃;王冲;马晓华;党李莎;鲁明;周昊;孟凡娜;侯耀伟;姜腾 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-04-29 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件阈值电压低及其可控性差以及可靠性低的问题。该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)和N型AlGaN主势垒层(4)；N型AlGaN主势垒层(4)顶端两侧为源极(9)和漏极(10)，中间为栅电极(13)，GaN主缓冲层(3)的中间刻蚀有凹槽(5)，凹槽的底面为0001极性面，凹槽侧面为非0001面，凹槽内壁依次外延有GaN次缓冲层(6)、AlGaN次势垒层(7)和介质层(8)；介质层(8)上淀积有栅电极(13)。本发明具有阈值电压高、调控性好，电流密度高，夹断特性优良，制作工艺简单成熟、重复性好的优点，可用于高温大功率应用场合及数字电路中。
mis gan 增强 hemt 器件制作方法

[发明专利]MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法-CN201210131027.5无效
发明人：张进成;张琳霞;郝跃;王冲;马晓华;孟凡娜;侯耀伟;党李莎;艾姗;李小刚;鲁明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-04-29 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属半导体MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件的阈值电压低及其可控行性差以及可靠性低的问题。该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)、N型AlGaN主势垒层(4)，N型AlGaN主势垒层(4)顶端两侧为源极(9)和漏极(10)，GaN主缓冲层(3)的中间刻蚀有凹槽(5)，该凹槽(5)的内壁上依次设有GaN次缓冲层(6)、AlGaN次势垒层(7)和栅极(13)，凹槽(5)两侧的N型AlGaN主势垒层(4)上方的源、漏极之外设有介质(8)。本发明具有阈值电压高、调控性好、电流密度大、夹断特性优良，且工艺成熟，重复性好，可靠性高的优势，可用于大功率开关以及数字电路中。
ms gan 增强电子迁移率晶体管制作方法

[实用新型]节能灯-CN201020636705.X无效
发明人： 侯耀伟 -专利权人： 侯耀伟
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01J61/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种节能灯，包括一基座及设于所述基座上方的一灯头，所述灯头为双螺旋结构，其具有由该双螺旋结构围设形成的一通孔，所述基座具有自所述基座向上延伸形成的二定位柱，所述二定位柱位于所述通孔内，并抵靠所述灯头内壁。从而可避免灯头歪斜从而容易生产操作。
节能灯

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