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[发明专利]日盲AlGaN紫外光电探测器及其制备方法-CN202111406118.0有效
发明人：王文樑;李林浩;李国强;江弘胜;朱锦昌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种日盲AlGaN紫外光电探测器及其制备方法，所述日盲AlGaN紫外光电探测器包括在硅衬底上依次生长非掺杂N极性面AlN缓冲层、碳掺杂N极性面AlN层、碳掺杂N极性面组分渐变AlyGa1‑yN层和非掺杂N极性面AlxGa1‑xN层的紫外光电探测器外延片和设置在紫外光电探测器外延片上的绝缘层、欧姆接触电极和肖特基接触电极，以及设置在紫外光电探测器外延片两侧的SiNz钝化层，其中，x＝0.5～0.8，y＝0.75～0.95，z＝1.33～1.5。本发明实现了高性能日盲AlGaN紫外光电探测器的制备，提高了AlGaN紫外光电探测器在紫外日盲波段的响应度和探测率。
algan 紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于VASP软件的二维InGaN材料的设计方法-CN202211196516.9在审
发明人：王文樑;江弘胜;李国强 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于VASP软件的二维InGaN材料的设计方法，包括以下步骤：(1)对块体InGaN材料的原子结构模型进行几何优化；(2)构建二维InGaN的原子结构模型：从几何优化后的块体InGaN材料中沿c面切出表面，沿c轴方向添加真空层构建晶胞；在二维InGaN材料的表面添加赝氢原子，氢原子成键方向垂直于c轴；(3)计算二维InGaN材料的能带结构：首先对二维InGaN材料的原子结构模型进行几何优化，接着通过单点能计算输出电荷分布情况，最后计算二维InGaN材料的能带结构，读取单点能计算输出的电荷分布。本发明解决了非层状二维材料设计中计算难收敛的问题，减少了材料设计的时间，提高了效率。
一种基于 vasp 软件二维 ingan 材料设计方法

[发明专利]一种二维氮化镓材料及其制备方法-CN202211047669.7在审
发明人：王文樑;江弘胜;李国强 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维氮化镓材料及其制备方法，所述方法包括：以硒化镓粉末为前驱体，采用化学气相沉积法制备二维硒化镓；在氮源中对制备的二维硒化镓进行高温氮化处理，得到二维氮化镓材料。本发明提供的制备方法十分便捷，该方法仅包含模板的制备和高温氮化两个步骤，且这两个步骤均可在管式炉中完成；该方法通过改变气压、生长时间等参数调控二维硒化镓模板的尺寸和厚度，进而实现了二维氮化镓材料的可控制备。
一种二维氮化材料及其制备方法

[发明专利]N极性面AlGaN基紫外光电探测器外延结构及其制备方法-CN202111375510.3在审
发明人：王文樑;李林浩;李国强;江弘胜;段建华 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种N极性面AlGaN基紫外光电探测器外延结构及其制备方法，所述N极性面AlGaN基紫外光电探测器外延结构包括：在硅衬底上依次生长的非掺杂N极性面AlN缓冲层、碳掺杂半绝缘化N极性AlN缓冲层、碳掺杂N极性面组分渐变AlyGa1‑yN缓冲层和非掺杂N极性面AlxGa1‑xN层；其中，x＝0.5～0.8，y＝0.75～0.95。本发明提供的N极性面AlGaN基紫外光电探测器外延结构，增强了AlGaN基紫外探测器的功率和探测率，提高了紫外光电探测器的光电响应度并有效降低后续器件加工难度；本发明提供的制备方法，降低了高温MOCVD生长的N极性AlGaN外延层的位错密度和表面粗糙度。
极性 algan 紫外光电探测器外延结构及其制备方法

[发明专利]N极性GaN/AlGaN基射频整流器及其制备方法-CN202111402684.4在审
发明人：王文樑;江弘胜;李国强;李林浩;张景鸿 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种N极性GaN/AlGaN基射频整流器及其制备方法，所述N极性GaN/AlGaN基射频整流器包括整流器外延片和设置在整流器外延片上的欧姆接触电极和SiNx/Al2O3钝化层以及肖特基接触电极，x＝1.35～1.45；整流器外延片包括在硅衬底上依次生长的AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、非掺杂AlGaN势垒层、AlN插入层和非掺杂GaN沟道层；欧姆接触电极和SiNx/Al2O3钝化层均设置在非掺杂GaN沟道层上；肖特基接触电极从SiNx/Al2O3钝化层表面通过刻蚀深入非掺杂GaN沟道层，并部分延伸至钝化层表面。本发明提供了一种具有高击穿电压、高截止频率的高性能射频整流器。
极性 gan algan 射频整流器及其制备方法

[发明专利]N极性GaN/AlGaN异质结外延结构及其制备方法-CN202111407956.X在审
发明人：王文樑;江弘胜;李国强;李林浩;黄星悦 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种N极性GaN/AlGaN异质结外延结构及其制备方法，所述N极性GaN/AlGaN异质结外延结构包括在硅衬底上依次生长的低温N极性AlN缓冲层、非掺杂N极性AlGaN缓冲层、非掺杂N极性AlGaN层和非掺杂N极性GaN层。本发明提供的N极性GaN/AlGaN异质结外延结构，是一种高质量N极性GaN/AlGaN异质结的外延结构，能够实现高效率的功率电子器件。
极性 gan algan 异质结外延结构及其制备方法

[发明专利]一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器及其制备方法与应用-CN202010929663.7在审
发明人：王文樑;李国强;杨昱辉;江弘胜;肖一鸣;董文浩 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器及其制备方法与应用。所述结构自下而上依次为Al衬底、非掺杂AlxGa1‑xN层和非掺杂GaN层，还包括台面隔离凹槽和肖特基接触电极；所述台面隔离凹槽底部位于非掺杂AlxGa1‑xN层，一侧与非掺杂GaN层接触，另一侧与肖特基接触电极接触，所述台面隔离凹槽内表面沉积有一层SiNy钝化层；所述肖特基接触电极底部位于非掺杂AlxGa1‑xN层，一侧与台面隔离凹槽接触，另一侧为整流器的侧面。本发明所得整流器既可在室温下生长，降低了能耗，靶材成本低，又能大规模生产。
一种 algan gan 35 ghz 毫米波整流器及其制备方法应用

[实用新型]一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器-CN202021930665.X有效
发明人：王文樑;李国强;杨昱辉;江弘胜;肖一鸣;董文浩 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器。所述结构自下而上依次为Al衬底、非掺杂AlxGa1‑xN层和非掺杂GaN层，还包括台面隔离凹槽和肖特基接触电极；所述台面隔离凹槽底部位于非掺杂AlxGa1‑xN层，一侧与非掺杂GaN层接触，另一侧与肖特基接触电极接触，所述台面隔离凹槽内表面沉积有一层SiNy钝化层；所述肖特基接触电极底部位于非掺杂AlxGa1‑xN层，一侧与台面隔离凹槽接触，另一侧为整流器的侧面。本实用新型所得整流器既可在室温下生长，降低了能耗，靶材成本低，又能大规模生产。
一种 algan gan 35 ghz 毫米波整流器

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