[发明专利]具有原子级厚超薄发射层的GaN反射式光电阴极有效
| 申请号： | 201910637382.1 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110416055B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;田健;刁煜;陆菲菲;夏斯浩 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01J40/06 | 分类号： | H01J40/06 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 马鲁晋 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种具有原子级厚超薄发射层的GaN反射式光电阴极，结构自下而上分别为衬底层、p型AlGaN缓冲层、原子级厚GaN超薄发射层以及位于发射层上的Cs/O激活层。所述p型AlGaN缓冲层采用均匀掺杂结构，所述原子级厚GaN超薄发射层由若干厚度相等的GaN单原子层堆叠而成。本发明采用GaN单原子层作为发射层，可以使光电阴极工作在高温、高电压、强辐射以及深紫外条件下并保持耐久性，同时还能增加发射层激子浓度，减少电子输运时间和距离，最终提高光电阴极的量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 原子 超薄 发射 gan 反射 光电 阴极 | ||
【主权项】：
1.一种具有原子级厚超薄发射层的GaN反射式光电阴极，其特征在于，包括衬底层、生长在衬底层上的p型AlGaN缓冲层、生长在p型AlGaN缓冲层上的原子级厚GaN超薄发射层以及位于原子级厚GaN超薄发射层上的Cs/O激活层，所述原子级厚GaN超薄发射层包括n层厚度相同的GaN单原子层，其中，1≤n≤10。
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