[实用新型]一种UVC外延结构、UVC芯片及电子设备有效
| 申请号： | 202123411054.1 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN216849973U | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 阚钦 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955 | 代理人： | 戴丽伟 |
| 地址： | 237161 安徽省六安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种UVC外延结构，所述UVC外延结构包括P型GAN层、P型ALGAN层、UVC MQW层、N型ALGAN层和基层，所述P型GAN层、P型ALGAN层、UVC MQW层、N型ALGAN层和基层自上而下依次铺设，其特征在于，所述N型ALGAN层和基层之间通过物理气相沉积铺设有缓冲层。本实用新型还提出了一种UVC芯片和电子设备。本实用新型所提出的UVC外延结构通过设置缓冲层作为UVC生长外延前的缓冲，在进入MOCVD后可直接进行后续外延层生长，降低了MOCVD对生长缓冲层的需求，避免了对MOCVD的高温需求，可采用常规设备进行UVC的批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 uvc 外延 结构 芯片 电子设备 | ||
【主权项】：
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