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[发明专利]漏极阶梯场板结构射频HEMT器件及其制备方法-CN202110180160.9有效
发明人： 孙慧卿;黄志辉;丁霄;王鹏霖;郭志友 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种漏极阶梯场板结构射频HEMT器件及其制备方法，该器件包括依次层叠于衬底上的背势垒层、沟道层和势垒层，源极、p型区域以及漏极间隔设置于势垒层表面的第一钝化层中，第一水平漏场板沿漏极的部分表面延伸靠近p型区域；栅极设置于p型区域的表面；第二水平漏场板沿第一水平漏场板的部分表面延伸靠近栅极；第一垂直漏场板自势垒层延伸至背势垒层中；第二垂直漏场板沿第一垂直漏场板下表面侧向衬底方向延伸；第三垂直漏场板沿第二垂直漏场板下表面侧向衬底方向延伸；本发明具有阶梯状漏场板结构射频HEMT器件能够保持器件的导通电阻不变，相比于传统的HEMT，本发明的器件结构具有更小的栅漏电容，表现出更高的截止频率。
阶梯板结射频 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]天名精在治疗早期睑板腺囊肿中的应用-CN202210323521.5有效
发明人：刘俊杰;孙慧卿 -专利权人：山东视泰明药业有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： A61K36/28 文献下载
摘要：本发明公开了天名精在治疗早期睑板腺囊肿中的应用，所述天名精提取物的制备方法为：取天名精全草清洗、干燥后粉碎得到天名精粉末，与糖浆和水混合得到发酵基，接种枯草芽孢杆菌进行发酵，过滤得到发酵液和发酵残渣；将发酵残渣用超临界二氧化碳萃取，得到残渣提取液；将发酵液旋蒸浓缩并上树脂柱洗脱，收集洗脱液，减压回收乙醇至无醇味，得到发酵提取液；将残渣提取液和发酵提取液混合，灭菌后得到天名精提取物。本发明还提供一种以天名精提取物为有效成分的天名精制剂，制成滴眼液、洗眼液或涂抹剂，可有效治愈早期或轻症睑板腺囊肿，大大降低了霰粒肿恶化的风险，并且治愈后不易反复发作。
天名精治疗早期睑板腺囊肿中的应用

[发明专利]一种治疗睑板腺囊肿的中药制剂-CN202210161438.2有效
发明人：刘俊杰;孙慧卿 -专利权人：山东视泰明药业有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： A61K36/9066 文献下载
摘要：本发明公开了一种治疗睑板腺囊肿的中药制剂，包括以下重量份的原料：A组：丹参10～20份、生地10～20份、黄芪10～20份、莪术10～20份；B组：乳香4～8份、没药4～8份、当归10～20份、川芎10～20份、赤芍10～14份；C组：金银花10‑20、苍术5～15份、皂角刺10～14份；D组：密蒙花10～20份、路路通6～10份、天名精10‑20、白芷5～15份。本发明以丹参活血化瘀、乳香消肿止痛、金银花疏风清热为三组主要的君药，三方共合，再辅以密蒙花拔毒生肌，实现快速有效治疗的治疗睑板腺囊肿、眼睑炎、糖尿病眼病等眼科疾病。
一种治疗睑板腺囊肿中药制剂

[发明专利]增强型AlGaN-GaN垂直超结HEMT及其制备方法-CN202011508741.2有效
发明人： 孙慧卿;张淼;夏晓宇;夏凡;马建铖;李渊;谭秀洋;郭志友;丁霄;黄志辉;王鹏霖 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及增强型AlGaN/GaN垂直超结HEMT及其制备方法，包括沿GaN基底表面边缘设置的P型GaN柱，设置于GaN基底表面中间区域的N型GaN梯度柱，其掺杂浓度自远离GaN基底的方向依次递减，设置于所述P型GaN柱表面的P型GaN电流阻挡层，依次设置于所述P型GaN电流阻挡层和所述N型GaN梯度柱表面的N型沟道层和N型势垒层，间隔分布的钝化层和P型GaN帽层，以及截面呈π型的栅极；其有效调解了导通电阻和击穿电压不可兼顾的限制，并提高了饱和电流，以及更有效的高温传导。该制备方法中的工艺步骤使用的均是目前比较成熟的技术，能够减少器件制造工艺过程中的损伤，提高器件的可靠性。
增强 algan gan 垂直 hemt 及其制备方法

[发明专利]具有偶极子层的增强型AlGaN-GaN垂直型超结HEMT及其制备方法-CN202011502471.4有效
发明人：郭志友;马建铖;李渊;谭秀洋;夏晓宇;夏凡;张淼;孙慧卿;黄志辉;王鹏霖;丁霄 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有偶极子层的增强型AlGaN/GaN垂直型超结HEMT及其制备方法，该器件中通过在AlGaN势垒层上设置无意掺杂的AlGaN形成偶极子层，且该偶极子层位于栅电极和漏电极之间的钝化层中，偶极子层沿着与AlGaN势垒层的界面形成负电荷。因此通过部分耗尽通道层中的2DEG，偶极子层可以调制沿通道的电场分布，从而大大提高了击穿电压。另一方面，该器件中通过对超结进行梯度掺杂更有效的实现了调制电场，相对于传统的超结结构，这种渐变梯度的掺杂超结能在不牺牲击穿电压的情况下降低导通电阻。本发明的制备方法降低了工业难度，减少了器件制造工艺过程中的损伤，能够提高器件的可靠性，满足实际应用的要求。
具有偶极子增强 algan gan 垂直型超结 hemt 及其制备方法

[发明专利]高光效倒装LED芯片及其制备方法-CN202110759670.1有效
发明人：郭志友;徐亮;李渊;孙慧卿;谭秀洋;夏凡;夏晓宇;马建铖;张淼 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种高光萃取率的高光效倒装LED芯片及其制备方法，其包括由N型层、MQW量子阱层和P型层层叠的外延结构，第一开口沿外延结构的边缘布置，第二开口靠近其中心区域布置，第一和第二开口延伸至N型层，电流扩展层布置于P型层上，钝化绝缘层沿第一、第二开口和电流扩展层的表面布置，其中布置于电流扩展层表面的钝化绝缘层中设置有多个孔洞，孔洞暴露电流扩展层；金属反射层布置于P型层上方的钝化绝缘层上，钝化绝缘层包含多个层叠的钝化绝缘层子层，子层的折射率沿电流扩展层指向金属反射层的方向逐渐减小。本发明的芯片结构增大了入射角，光提取效率、芯片表面电流注入均匀性均得以提高，降低了电压、提高了亮度和光效。
高光效倒装 led 芯片及其制备方法

[发明专利]增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法-CN202010489640.9有效
发明人： 孙慧卿;夏凡;夏晓宇;谭秀洋;马建铖;张淼;李渊 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种增强型GaN基MIS‑HEMT器件及其制备方法，该MIS‑HEMT器件中，在薄AlGaN势垒层的基础上设置凹陷状的AlGaN势垒层提高通道迁移率和改善导通电阻，在此基础上，采用电子束蒸发法(EBE)生长掩模层结合SAG方法，与常规工艺中使用的PECVD掩模相比，采用EBE生长掩模完全消除了掩模工艺中的等离子体损伤，使得薄的AlGaN/GaN异质结保留了无损伤的晶格，同时AlGaN薄势垒与凹陷状AlGaN势垒层的Al组分不同，进一步提高了阈值电压和沟道电子迁移率。另外本发明器件中栅极介质层采用三种不同介电常数的氧化物材料堆叠而成，在增加介质层厚度保证一定的阈值电压的同时，也通过增加介电常数的方法增加栅极电容，从而使得跨导值不至于过低。
增强 gan mis hemt 器件及其制备方法

[发明专利]梳型栅结构HEMT射频器件及其制备方法-CN202110511019.2有效
发明人： 孙慧卿;丁霄;黄志辉;王鹏霖;李渊;夏晓宇;夏凡;张淼;马建铖;谭秀洋 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及梳型栅结构HEMT射频器件及其制备方法，包括依次层叠的AlN缓冲层、Al组分渐变的AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层、源极和漏极、位于源极和漏极之间的梳型栅；梳型栅包括栅头和栅足，栅足包括第一、第二和第三子栅足，沿源极指向漏极的方向上，第一、第二和第三子栅足依次间隔设置于AlGaN层表面，相邻子栅足之间设置空气间隔。该梳型栅结构的设置，减小了栅极电阻，降低了噪声系数，同时提高了增益；栅头与栅足之间没有钝化层介质，相邻栅足之间的间隙为空气，降低了栅极的寄生电容，提高了截止频率；三个栅足分隔开设置，增强了栅极对于沟道的控制，跨导随栅源电压变化更加稳定，明显提高线性度。
梳型栅结构 hemt 射频器件及其制备方法

[发明专利]一种增强型高迁移率氮化镓半导体器件及其制备方法-CN202110299527.9有效
发明人： 孙慧卿;谭秀洋;夏凡;夏晓宇;马建铖;张淼;郭志友 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种增强型高迁移率氮化镓半导体器件及其制备方法，该器件包括依次层叠的蓝宝石衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlGaN梯度缓冲层、GaN/In0.12GaN超晶格背垒层、AlGaN中间层及InAlGaN势垒层，位于势垒层上的源极金属、漏极金属和p‑AlGaN栅极，位于p‑AlGaN栅极表面的p‑GaN栅极层与栅极金属的自对准结构，p‑GaN栅极层位于p‑AlGaN栅极表面靠近源极的一侧。本发明的器件具有电子迁移率高，击穿电压高，缓冲漏电流小，开关稳定，抑制短沟道效应，器件可靠性高的优势，可应用于短栅电子器件以及高温大功率器件。
一种增强迁移率氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种三明治弧形栅极结构的HEMT器件及其制备方法-CN202010489653.6有效
发明人： 孙慧卿;夏晓宇;马建铖;张淼;夏凡;谭秀洋;李渊 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及本发明涉及一种三明治弧形栅极结构的HEMT器件及其制备方法，其包括依次层叠的硅衬底、Poly‑AlN层、渐变AlGaN缓冲层、GaN缓冲层、AlGaN层、电极层，和位于GaN缓冲层中朝向渐变AlGaN缓冲层一侧的底场板；其电极层包括条状栅极以及多个弧形栅极单元，弧形栅极单元沿源/漏极的长度方向上间隔排布，并且在弧形栅极单元正投影至GaN缓冲层中的位置上间隔设置矩形金属单元，且矩形金属单元在GaN缓冲层中与弧形栅极单元的投影间隔排布，该结构的设置大幅改善了HEMT器件的线性度，提高了器件的跨导平坦度，同时提高了器件的击穿电压。
一种三明治弧形栅极结构 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]双渐变沟道结构HEMT射频器件及其制备方法-CN202110170407.9有效
发明人： 孙慧卿;丁霄;王鹏霖;黄志辉;郭志友 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及双渐变沟道结构HEMT射频器件及其制备方法，包括依次层叠于衬底上的第一GaN层、第一Al组分渐变AlGaN层、第二GaN层、第二Al组分渐变AlGaN层以及GaN帽层，其中，柱状凹槽分别沿GaN帽层两端延伸至第一GaN层中一定深度，n型GaN柱分别设置于柱状凹槽中；漏极和源极分别设置于n型GaN柱的表面，T型栅极设置于GaN帽层的表面。该结构中GaN柱连接渐变AlGaN层与GaN层形成三维电子气，将渐变层变为渐变沟道，调节电场的分布，提高了器件的击穿电压和截止频率，该双沟道使得源栅和栅漏之间的通道电阻减小，从而提高器件的跨导和截止频率线性度，使其在高频下保持较好的功率性能和线性度。
渐变沟道结构 hemt 射频器件及其制备方法

[发明专利]具有栅漏复合阶梯场板结构的增强型HEMT射频器件及其制备方法-CN202110517159.0有效
发明人： 孙慧卿;夏凡;李渊;夏晓宇;谭秀洋;张淼;马建铖;黄志辉;王鹏霖;丁霄 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及具有栅漏复合阶梯场板结构的增强型HEMT射频器件及其制备方法，其通过在势垒层表面设置一p型GaN区域，将栅极设置于该p型GaN区域上，进而在p型GaN区域朝向漏极的侧墙上布置栅极阶梯场板，在漏极朝向p型GaN区域的侧墙上布置漏极阶梯场板，阶梯场板包含至少两个子场板，子场板的宽度由上至下逐渐减小，其通过栅漏复合阶梯场板的设置，改变了栅极靠近漏极一侧以及漏极靠近栅极一侧的电场分布并且提高栅漏之间的平均电场强度，提升了器件的耐压性能和可靠性；栅极下方设置一p‑GaN区域，结合栅漏复合阶梯场板结构，使得的增强型HEMT射频器件具有更小的栅漏电容，表现出更高的截止频率。
具有复合阶梯板结增强 hemt 射频器件及其制备方法

[发明专利]具有不对称栅介质层的增强型GaN基MIS-HEMT及其制备方法-CN202011503224.6有效
发明人： 孙慧卿;夏凡;李渊;谭秀洋;张淼;夏晓宇;马建铖;郭志友;王鹏霖;黄志辉;丁霄 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有不对称栅介质层的增强型GaN基MIS‑HEMT及其制备方法，包括生长有GaN沟道层的衬底，依次层叠于沟道层上的第一AlGaN势垒层、第二AlGaN势垒层、第三AlGaN势垒层及钝化层；一栅极沟槽自钝化层的上表面延伸至第二势垒层内，包括栅介质层和栅极金属的栅极结构，其中栅极介质层覆盖栅极沟槽的底部和侧壁，与第三势垒层的上表面平齐，栅极金属填充栅极沟槽；其中覆盖于两个侧壁的栅介质层厚度不相同，沟槽底部的栅介质层厚度小于侧壁的栅介质层厚度。其改善沟道迁移率，降低导通电阻，具有较高的阈值电压和较高漏极饱和电流，提升了MIS‑HEMT的性能。
具有不对称介质增强 gan mis hemt 及其制备方法

[发明专利]蓝光半导体器件及其制备方法-CN202110299546.1有效
发明人： 孙慧卿;杨亚峰;彭麟杰;苏哈;郭志友 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及蓝光半导体器件及其制备方法，其包括图形化蓝宝石衬底，设置于衬底表面的外延叠层，外延叠层包含靠近衬底的n型层、有源层和远离衬底的p型层，外延叠层具有一刻蚀台阶，刻蚀台阶沿着p型层刻蚀至n型层；周期层叠设置的金属/石墨烯复合透明电极层设置于p型层的表面，设置于n型层表面的n电极和设置于p型层表面的p电极；钝化层包裹外延叠层、复合透明电极层、n电极和p电极，DBR层设置于钝化层表面，保护层设置于DBR层表面；焊球分别连接n电极、p电极至基板。本发明提供的器件结构及其制备方法提升了器件的出光效率、降低了结温和空洞率，且该器件的热稳定性好，长时间可靠性高。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]含Sc掺杂的源空气桥结构GaN射频HEMT及其制备方法-CN202110511021.X有效
发明人： 孙慧卿;王鹏霖;黄志辉;丁霄;李渊;谭秀洋;马建铖;夏晓宇;夏凡;张淼 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及含Sc掺杂的源空气桥结构GaN射频HEMT及其制备方法，该器件中在AlN层中掺杂Sc(钪)，将ScAlN引入AlGaN/GaN势垒中，AlGaN层、ScAlN层和GaN过渡层共同构成一个特殊结构的异质结，增加了器件的自发和压电(应变相关)电荷极化，使得其二维电子气(2‑DEG)薄层电荷的载流子密度提高数倍，与此同时，应变驰豫问题也得到了很好的控制，这一特殊的异质结结构增强了器件射频性能和可靠性。另一方面，该器件中的源空气桥结构，能够相对其他介质桥结构降低寄生电容，在上述异质结的基础上进一步增强器件的射频性能。
sc 掺杂空气结构 gan 射频 hemt 及其制备方法

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