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- [实用新型]一种自动扣双胞设备-CN202320567695.6有效
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何航;阙永福;时自明
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安徽格恩半导体有限公司
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2023-03-22
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2023-10-27
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H01L21/67
- 本实用新型公开了一种自动扣双胞设备,包括工作台,所述工作台的顶部面从左至右依次设置有料盒、传料机构和扣双胞部,扣双胞部包括设置于工作台顶部外壁的导向槽、插设于导向槽内壁的T型板、固定连接于T型板底部内壁的刮头、固定连接于T型板底部面的升降电机组、固定连接于工作台一侧内壁的电动推杆,且电动推杆的延伸端通过支板与升降电机组的一侧面相连接,升降电机组的底部面与工作台的底部内壁形成滑动配合;所述工作台的顶部外壁固定连接有支撑座,位于扣双胞部正上方的支撑座一侧外壁固定连接有载盘。本实用新型使用自动设备代替人工操作,作业力度均匀,提高双胞扣开质量,保证产品良率,从而节省人力成本,提高扣双胞效率。
- 一种自动双胞设备
- [实用新型]一种晶圆倒片装置-CN202320567696.0有效
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王程刚;陈家宽;胡志勇;兰德顺
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安徽格恩半导体有限公司
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2023-03-22
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2023-10-24
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H01L21/67
- 本实用新型公开了一种晶圆倒片装置,包括工作台和设置于工作台顶部面上的卡塞组合件,所述卡塞组合件由呈相对位置且结构相同的卡塞一和卡塞二构成;所述工作台的顶部外壁固定连接有固定板,固定板与卡塞二之间设置有卡塞定位部;所述工作台的顶部面设置有定向施力组件,定向施力组件包括设置于工作台顶部外壁的滑槽、通过滑动块滑动连接于滑槽内壁的推杆;所述卡塞定位部包括设置于固定板一侧面的限位口。本实用新型节省作业过程中寻找合适位置摆放卡塞组合件的时间,从而提高倒片效率,配合定向施力组件使用,可以有效避免倒片过程中卡塞组合件会对晶圆本体造成划伤,不会出现晶圆滑落的情况,避免成本浪费。
- 一种晶圆倒片装置
- [发明专利]一种半导体发光元件-CN202310838499.2在审
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陈婉君;王星河;张江勇;蔡鑫;胡志勇;请求不公布姓名
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安徽格恩半导体有限公司
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2023-07-10
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2023-10-20
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H01L33/04
- 本发明公开了一种半导体发光元件,该半导体发光元件包括:衬底、n型半导体、电子减速层、量子阱和p型半导体,电子减速层为阱层和垒层组成的超晶格周期结构;其中,电子减速层的阱层的折射率系数大于等于电子减速层的垒层的折射率系数;电子减速层的阱层的自发极化系数小于等于电子减速层的垒层的自发极化系数;电子减速层的阱层的压电极化系数大于等于电子减速层的垒层的压电极化系数。采用本发明实施例,通过在n型半导体和量子阱之间设置电子减速层,降低注入至量子阱的电子速率,调控量子阱的电子空穴对称性并增强电子空穴波函数在量子阱的交叠机率,降低电子溢流至空穴的势能及非辐射复合,从而提高半导体发光元件的发光效率。
- 一种半导体发光元件
- [发明专利]一种半导体激光器-CN202310838501.6在审
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李水清;王星河;张江勇;陈婉君;蔡鑫;请求不公布姓名
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安徽格恩半导体有限公司
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2023-07-10
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2023-10-20
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H01S5/068
- 本发明提供了一种半导体激光器,包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层,在下限制层和下波导层之间依次设置有多层的闸流体抑制层,以在半导体激光器中形成多层具备不同碳、氢和氧含量浓度且碳、氢和氧含量浓度具备变化趋势的半导体激光结构。该半导体激光器通过在下限制层和下波导层之间依次设置有多层的闸流体抑制层,以在半导体激光器中形成多层具备不同碳、氢和氧含量浓度且碳、氢和氧含量浓度具备变化趋势的半导体激光结构,能有效抑制深能级缺陷中心,消除PN相互交错产生的结间电容并消除激光器在注入电流上升过程中在阈值处产生不连续或突变现象,解决结电压上跳,串联电阻下沉和电导上跳问题。
- 一种半导体激光器
- [发明专利]一种半导体激光器-CN202310936483.5在审
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张江勇;王星河;陈婉君;刘紫涵;蔡鑫;胡志勇;请求不公布姓名
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安徽格恩半导体有限公司
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2023-07-28
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2023-10-20
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H01S5/30
- 本发明提出了一种半导体激光器,包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层,所述下限制层与下波导层之间从下至上依次设置有第一子载流子匹配层、第二子载流子匹配层和第三子载流子匹配层,所述上波导层与上限制层之间设置有第四子载流子匹配层,所述第一子载流子匹配层、第二子载流子匹配层、第三子载流子匹配层和第四子载流子匹配层组成载流子匹配层。本发明能够提升有源层中电子和空穴载流子的浓度匹配度和对称性,降低电子泄漏和载流子去局域化,同时,降低激光器价带带阶,提升空穴注入效率,提升载流子注入均匀性和激光增益均匀性,从而提升激光器的斜率效率、光功率、外量子效率和限制因子。
- 一种半导体激光器
- [实用新型]一种半导体紫外激光器-CN202320973870.1有效
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李水清;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;陈婉君;张江勇
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安徽格恩半导体有限公司
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2023-04-26
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2023-09-29
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H01S5/34
- 本实用新型提供了一种半导体紫外激光器,涉及半导体光电器件技术领域,从下至上依次从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层,有源层、上波导层、上限制层,所述有源层为阱层和垒层组成的量子阱;调控载流子起伏的折射率色散,提升激光限制因子,提升模式增益,同时,降低未离化Mg受主的内部光学损耗,降低光波导的吸收损耗;所述第一上限制层的Mg呈倒V型分布,第二上限制层的Mg呈U型分布,第三上限制层的Mg呈线性分布,第四上限制层的Mg呈L形分布,从而在上限制层形成多重二维电子气,降低Mg受主离化能,提升Mg离化效率和空穴的输运效率,从而提升空穴注入有源层的效率和有源层中电子空穴的对称性和匹配性,提升激光器的峰值增益和斜率效率。
- 一种半导体紫外激光器
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