[发明专利]HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件在审
| 申请号： | 202210708221.9 | 申请日： | 2022-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN115274818A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;陈张笑雄;肖云飞;陆香花;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/02;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供了一种HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件，属于半导体器件技术领域。所述HEMT外延片包括：Si衬底、依次层叠在所述Si衬底上的复合过渡层、AlGaN缓冲层、AlGaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层与GaN盖帽层，所述复合过渡层包括依次层叠在所述Si衬底上的低温BP成核层、高温BP成核层和预铺Al层，所述低温BP成核层的生长温度低于所述高温BP成核层的生长温度。 | ||
| 搜索关键词： | hemt 外延 及其 制备 方法 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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