[发明专利]一种发光二极管外延片及其生长方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、缺陷阻挡层、有源层、电子阻挡层、P型层，缺陷阻挡层包括第一子层和第二子层，第一子层包括交替层叠的第一AlGaN层和GaN层，第二子层包括交替层叠的第二AlGaN层和第三AlGaN层；第一AlGaN层中的Al含量沿所述发光二极管外延片的生长方向逐渐变化，第二AlGaN层中的Al含量和第三AlGaN层中的Al含量均保持不变，且第二AlGaN层中的Al含量与第三AlGaN层中的Al含量不同且均小于第一AlGaN层中的Al含量。本发明对缺陷的延伸具有阻挡作用。

主权项

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述N型层和所述有源层之间的缺陷阻挡层，所述缺陷阻挡层包括依次层叠在所述N型层上的第一子层和第二子层，所述第一子层包括交替层叠的第一AlGaN层和GaN层，所述第二子层包括交替层叠的第二AlGaN层和第三AlGaN层；所述第一AlGaN层中的Al含量沿所述发光二极管外延片的生长方向逐渐变化，所述第二AlGaN层中的Al含量和所述第三AlGaN层中的Al含量均保持不变，且所述第二AlGaN层中的Al含量与所述第三AlGaN层中的Al含量不同，所述第二AlGaN层中的Al含量小于所述第一AlGaN层中的Al含量，所述第三AlGaN层中的Al含量小于所述第一AlGaN层中的Al含量；所述第一子层中和所述第二子层中均掺杂有Si，所述第一子层中Si的掺杂浓度小于所述第二子层中Si的掺杂浓度；所述第一AlGaN层的生长压力、所述第二AlGaN层的生长压力、所述第三AlGaN层的生长压力均小于所述GaN层的生长压力；所述第一子层的生长速率小于所述第二子层的生长速率，所述第一子层的生长温度小于所述第二子层的生长温度；所述第一子层的厚度大于所述第二子层的厚度。