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[实用新型]一种呼吸训练器-CN202321295418.0有效
发明人：武心茹;陈阳;张天一;姜莉;周飚 -专利权人：昆山市中西医结合医院
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： A63B23/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及呼吸训练领域，具体的是一种呼吸训练器，包括底板：底板顶端固定连接有多个呈竖直轴向的柱型筒，柱型筒内均活动插接有外径与其内径相同的空心球，柱型筒顶端均连通有连接管，用于对空气经过提供不同的压力；L型管：设置于柱型筒上方，连接管顶端均与L型管连通，连接管上皆安装有控制阀，以及软管：其可拆卸连接在L型管侧端，软管远离L型管的一侧端可拆卸固定插接有一次性咬嘴，使用时，可以根据患者实际肺部恢复状态来开关对应的控制阀，使得只有一个控制阀为开启状态，以选择不同直径和重量的空心球进行康复训练，从而方便不同的患者使用，具有较高的适用性。
一种呼吸训练器

[发明专利]一种环保节能型低噪变频空压机-CN202211103250.9在审
发明人：何奇;邵全;王立宇;唐亮;许丽;李频;刘洋;孙俊云;周飚;程统;雷明明 -专利权人：国网安徽省电力有限公司池州供电公司;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院;国网安徽综合能源服务有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： F04B39/00 文献下载
摘要：本发明涉及空压机技术领域，且公开了一种环保节能型低噪变频空压机，包括进气箱和驱动电机，所述进气箱的左侧固定安装有截气箱，所述进气箱的内腔左部上下对称固定安装有导气箱。通过截气箱和导气阀的设置，使得活塞筒在截气箱进行截取空气，空气在进入截气箱后逐渐趋于平稳，以及在活塞筒的截取过程中均保持较为稳定的状态，避免在压缩推动的过程中，吸入的空气与活塞推动压缩的空气形成对流，导致空气产生剧烈摩擦，产生噪音，同时，在进行压缩气体之前，将活塞筒抵压抵压块，使进气口打开，打通进气通道，使得空气快速通过进气口，避免空气受到气阀的阻挡，增加空气流通面积，降低空气流速，进一步减少噪音的产生。
一种环保节能型变频空压机

[发明专利]一种基于蓝宝石衬底的氮化铝外延片的制备方法-CN202111483678.6有效
发明人：齐胜利;温荣吉;周飚;刘亚柱 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体电子器件技术领域，具体涉及一种基于蓝宝石衬底的氮化铝外延片的制备方法。该方法主要在buffer阶段进行工艺优化，在生长buffer阶段温度梯度循环变化生长，三甲基铝源长通，NH3周期变化通入。优化的buffer层长完后，再岛状(3D)及二维(2D)生长，制得氮化铝过渡层；在所述氮化铝过渡层上依次生长非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层和P型接触层，制得基于蓝宝石衬底的氮化铝外延片。通过该工艺生长的AlN薄膜材料，可以改变位错的倾斜行为，减少位错密度，减少AlN外延片裂纹，提高晶体质量，获得较好的AlN薄膜材料，从而达到直接改善产品的器件光电性能。
一种基于蓝宝石衬底氮化外延制备方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN201910536346.6有效
发明人：洪威威;王倩;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。高电子迁移率晶体管包括Si衬底、多个AlN晶种、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、源极、漏极和栅极；多个AlN晶种均匀分布在Si衬底的第一表面上，AlN缓冲层设置在多个AlN晶种上并填满各个AlN晶种之间的空间，各个AlN晶种上的AlN缓冲层的晶体取向相同；GaN沟道层和AlGaN势垒层依次层叠在AlN缓冲层的第二表面上，第二表面为平面；源极、漏极和栅极分别设置在AlGaN势垒层上，源极和漏极均与AlGaN势垒层形成欧姆接触，栅极与AlGaN势垒层形成肖特基接触。本发明可以提高GaN沟道层的晶体质量。
电子迁移率晶体管及其制备方法

[实用新型]一种用于办电客户咨询的服务台-CN202221476322.X有效
发明人：周飚;王元;童敏;钟霞;程胜;胡旺青 -专利权人：国网安徽省电力有限公司青阳县供电公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： A47F9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及用电办理技术领域，尤其涉及一种用于办电客户咨询的服务台，包括支撑座和固接于支撑座上的防护罩，所述支撑座内置有空腔，空腔内设置有用于交换文件的换位机构，支撑座上还设置有通过拍照方式用于记录交换文件时情况的存档机构，所述换位机构包括开设于支撑座上两侧的传动槽，空腔内两侧分别设置有与传动槽相对应的置物盒，空腔内设置有用于改变两侧置物盒位置的驱动组件，空腔内还设置有通过弹性方式用于开合传动槽的密封组件，通过设置换位机构，从而便于工作取放各自需要的文件，能够避免通过传统的传送口导致文件放置在一起容易混乱的问题，且可以防止文件出现弯折，有利于对文件进行保护。
一种用于客户咨询服务台

[实用新型]一种人工智能控制盒-CN202221327902.2有效
发明人：徐志文;熊欣;周飚;曹树平;陶玉春 -专利权人：国网安徽省电力有限公司青阳县供电公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种人工智能控制盒，涉及智能控制盒技术领域，包括盒体，所述盒体的外表面固定连接有安装块，所述盒体的侧壁镶嵌有风扇，所述盒体的内底壁开设有气孔，所述盒体的上表面安装有显示屏，所述盒体的上方设置有密封机构，所述盒体的上方设置有固定机构。它能够通过盒体、显示屏、密封机构和固定机构之间的配合，首先密封机构能够将显示屏在不用的时候遮挡起来，同时固定机构使密封机构不易打开，进而使显示屏在不用的时候不易存有大量的灰尘，使显示屏的外表面能够始终保持干净的状态，解决了目前的控制盒在使用时，由于显示屏长期暴露在空气中，显示屏的外表面极易吸附较多灰尘的问题。
一种人工智能控制

[发明专利]一种智慧乡村电网电流故障切断用断路器-CN202210586502.1有效
发明人：熊欣;徐志文;曹树平;周飚;陶玉春;吴豪;费云婷;刘洋;刘赟;余伟松;李昕;曹驭;刘倩倩;高娇娇;沈道良;胡广信;章锦秀;何飞 -专利权人：国网安徽省电力有限公司青阳县供电公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01H33/666 文献下载
摘要：本发明涉及智慧乡村电网技术领域，且公开了一种智慧乡村电网电流故障切断用断路器，包括绝缘外壳，所述绝缘外壳的内腔中部固定安装有真空屏蔽罩，所述绝缘外壳的内腔上部固定安装有位于真空屏蔽罩内腔上部的静触头，所述绝缘外壳的内腔下部活动安装有动触头。通过设置引吸管、调节气盒、导热片、活塞板等结构，使令动触头所受阻力极大的减小，促进动触头的向下移动，加快静触头和动触头进行的分闸效率，通过设置循环气管，使吸热气囊表面的高温被大量携带传导而流失，有效防止真空屏蔽罩产生受热破裂现象，保证真空屏蔽罩内部真空环境良好，真空灭弧可正常工作，通过设置活塞板的表面为彩色，使工作人员可清晰的获知合闸是否完全到位。
一种智慧乡村电网电流故障切断断路器

[实用新型]一种用于展示光伏发电的测试装置-CN202221527061.X有效
发明人：徐轩;周飚;黄刚;程胜;刘佳雯 -专利权人：国网安徽省电力有限公司青阳县供电公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H02S50/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及光伏设备技术领域，具体为一种用于展示光伏发电的测试装置，包括基座以及架设于基座顶部的置物台，所述置物台上设置有进行出风的输风部，在基座的两侧侧壁均固设有相向而对的架板B，在两个架板B上设置有用以调整输风部出风方向的卷绳部；输风部包括有设于置物台上的风筒以及连接于风筒出风端口处伸缩软管；基座的顶部还转动设有一顶升件，其在顶升件的输出端处通过顶升板与伸缩软管底部连接。解决了现有技术中风扇的高度是固定的，且只能模拟单向来风，而要改变风向位置时需要频繁的推动检测装置来模拟不同的出风位置，较为的麻烦，增大了工作人员的劳动强度，难以满足现有测试的需求的问题。
一种用于展示发电测试装置

[发明专利]一种智慧微网家庭用电限制电流用限流电抗器-CN202210587801.7在审
发明人：熊欣;汤寅;江滢琳;周飚;曹树平;黄刚;陶玉春;刘洋;徐轩 -专利权人：国网安徽省电力有限公司青阳县供电公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01F27/00 文献下载
摘要：本发明涉及智慧微网电抗器领域，且公开了一种智慧微网家庭用电限制电流用限流电抗器，包括中间绝缘筒，中间绝缘筒外侧的顶部和底部分别固定套装有第一定位套和第二定位套，且第一定位套靠近中间绝缘筒的头端，第一定位套和第二定位套之间设有可拆卸的六个定位横板，且六个定位横板圆周阵列在中间绝缘筒的外侧。通过中间绝缘筒上下两侧的可拆线的定位横板、调节横板结构，配合调节横板可相对定位横板水平移动，调节横板上设置供导线绕城线圈的绕线板的结构配合，以便电抗器安装前，只在中间绝缘筒的两侧固定定位横板和调节横板，从而使得中间绝缘筒两侧的导线所绕组成的线圈为扁平状，相较于现有的电抗器来说，节省了时间和能耗。
一种智慧家庭用电限制电流限流电抗

[发明专利]GaN基发光二极管外延片及其制备方法-CN201910149942.9有效
发明人：丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于GaN基发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的牺牲层、金属膜层、缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、以及P型掺杂GaN层，所述牺牲层为石墨烯层或者GaTe层，所述金属膜层包括若干位于所述牺牲层上的金属岛、且各个所述金属岛均与所述牺牲层接触，包围所述金属岛的横截面、且面积最小的圆的直径为500～1500nm，相邻所述金属岛之间存在间隙。
gan 发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]GaN基发光二极管外延片及其制备方法-CN201910150354.7有效
发明人：丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于GaN基发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的GaTe层、金属纳米粒子层、三维形核层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、以及P型掺杂GaN层，所述金属纳米粒子层包括若干位于所述GaTe层上的金属纳米粒子、且各个所述金属纳米粒子均与所述GaTe层接触，所述金属纳米粒子的直径为1～20nm，相邻所述金属纳米粒子之间存在间隙。
gan 发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种HEMT外延结构及其制备方法-CN201910035233.8有效
发明人：丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种HEMT外延结构及其制备方法，属于半导体光电技术领域。纳米镍层的材料活性较高，可在衬底上良好生长，并且AlN层也可在纳米镍层上良好生长，在衬底上直接生长的纳米镍层可起到良好的连接衬底与AlN层的作用，有利于提高在纳米镍层上生长的AlN层的质量。而由于多个岛状结构的存在，岛状结构上存在一定的坡度，AlN层在衬底上逐渐向远离衬底的第一表面的方向纵向生长时，AlN层会同时朝向平行第一表面的方向横向生长。AlN层在纵向生长与横向生长时，会在AlN层内产生不同方向的位错缺陷，AlN层纵向生长时产生的部分位错缺陷会与AlN层横向生长时产生的部分位错缺陷相抵消，缺陷的减少可提高AlN层的晶体质量，提高最终得到的HEMT的质量。
一种 hemt 外延结构及其制备方法

[发明专利]深紫外LED外延结构、深紫外LED及制备方法-CN202110002673.0有效
发明人：齐胜利;郭丽彬;周飚;刘亚柱 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，技术涉及一种深紫外LED外延结构、深紫外LED及其制备方法。所述深紫外LED外延结构的制备方法如下：在衬底上生长深紫外LED外延层至P型AlGaN层，在深紫外LED外延层P型AlGaN层模板的基础上，在上面做图形化SiO2，然后在外延在此基础上生长P型GaN层，把图形化SiO2外延层刻蚀掉，即制得深紫外LED外延结构；然后在刻蚀掉SiO2层的位置镀上Al电极，即制得深紫外LED。图形化SiO2被刻蚀后的位置镀上的Al电极，可有效增加光的反射，增加出光。同时，Al电极附近较薄的P型GaN层可有效减少P型GaN层的吸光，提升UVC产品的发光效率，同时特殊工艺的Al电极，可增加光的反射，增加出光效率，提升器件的光电性能，特别可满足大功率产品的需求。
深紫 led 外延结构制备方法

[发明专利]一种深紫外LED外延结构及其制备方法-CN202111025420.1在审
发明人：丁涛;周飚;郭丽彬;齐胜利 -专利权人：宁波安芯美半导体有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于深紫外发光二极管的外延结构及制备方法，具体步骤如下：提供一平片衬底；生长AlN缓冲层；对AlN缓冲层进行等离子体预处理；生长AlN低温层；生长AlN高温层；生长n型AlGaN层；生长AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层；生长Mg掺杂的p型AlGaN层，Mg掺杂的p型AlGaN层和Mg掺杂的p型GaN层。通过等离子体轰击AlN缓冲层表面以在AlN缓冲层铺上一层气体原子，AlN缓冲层所铺上的一层气体原子改变了AlN缓冲层表面的极性，使得后续在AlN缓冲层沉积吸附的AlN的晶体原子排列较为整齐，从而减少了外延层中的晶体缺陷，改善AlN薄膜的晶体质量，减少穿透位错，提升深紫外发光二极管的光电性能。
一种深紫 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种自动清洁装置、方法和存储介质-CN202110613370.2在审
发明人：周飚;谢惠敏;黄辉 -专利权人：五邑大学
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： A01K1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种自动清洁装置、方法和存储介质，其中自动清洁装置包括排泄物载板、冲刷装置、检测装置和控制器；排泄物载板包括连接杆、多块板体和第一驱动器；冲刷装置包括第二驱动器和清洁刷；检测装置检测排泄物载板上是否存在排泄物；控制器响应于检测结果，控制多块板体翻转，控制冲刷装置对多块板体清洁；通过该清洁装置能避免在清洁过程中排泄物和清洁液体往自动饲养圈舍内飞溅，进而避免排泄物中的细菌和病毒污染自动饲养圈舍和自动投喂装置的饲料和饮用水，保持自动饲养圈舍干净卫生。
一种自动清洁装置方法存储介质

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