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[发明专利]具有共振隧道势垒的增强的多位非易失性存储器装置-CN200680050557.X有效
发明人：阿勒普·巴塔查里亚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2006-12-08 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种非易失性存储器单元使用共振隧道势垒(600)，所述共振隧道势垒(600)在HfSiON或LaAlO₃的两个层(610，612)之间具有非晶硅及/或非晶锗层(611)。电荷捕捉层(620)形成于所述隧道势垒上。高k电荷阻挡层形成于所述电荷捕捉层上。控制栅极(623)形成于所述电荷阻挡层上。另一实施例在隧道势垒(600)上形成包含两个氧化物层(610，612)的浮动栅极(620)，其中在所述氧化物层之间具有硅及/或锗的非晶层(611)。
具有共振隧道增强非易失性存储器装置

[发明专利]光发射元件及其制造方法-CN200410076968.9有效
发明人：坂田淳一郎;村上雅一;森谷幸司;及川欣聪;浅见勇臣;大谷久 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-08-30 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H05B33/20 文献下载
摘要：根据本发明，一个绝缘的或半绝缘的具有隧道电流能流过的厚度的壁垒层设置在空穴注入电极和带有空穴传输特性的有机化合物层(空穴注入层或空穴传输层)之间。具体地说，含有硅或二氧化硅的绝缘的或半绝缘的薄壁垒层；硅或二氧化硅和光传送导电氧化物材料；或硅或二氧化硅，光传送导电氧化物材料，以及碳可以被设置在由光传送导电氧化物材料形成的光传送导电氧化物薄膜和含有有机化合物的空穴注入层之间
发射元件及其制造方法

[发明专利]隧道型约瑟夫森器件及其制造方法-CN90102462.7无效
发明人：中西秀典;田中三郎;糸崎秀夫;矢津修示 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 1990-03-31 - 公布日： 1993-11-03 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：一种隧道型约瑟夫森器件包括由复合氧化物超导材料形成的一对超导体层和在这对超导体层之间形成的绝缘层。该绝缘层是由超导体层的复合氧化物超导材料中组成元素相同的复合氧化物形成的，但具有不呈现超导特性的原子比。此外，该超导体层和该绝缘层是在供氧的同时连续形成的。
隧道约瑟夫器件及其制造方法

[发明专利]铁电膜层的制造方法、铁电隧道结单元、存储器元件及其写入与读取方法-CN201710447991.1在审
发明人：刘福洲 -专利权人：萨摩亚商费洛储存科技股份有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种铁电膜层的制造方法、铁电隧道结单元、应用其的存储器元件及其写入与读取方法。铁电隧道结单元包括：第一电极、第二电极以及一夹设于第一电极与第二电极之间的铁电膜层，构成铁电膜层的材料至少包括一基底材料以及一掺杂物，且基底材料包括两个氧化物，每一个氧化物是一碱土金属氧化物以及一过渡金属氧化物两者之中的至少一种
铁电膜层掺杂物隧道结单元基底材料铁电读取存储器元件第二电极第一电极氧化物写入过渡金属氧化物碱土金属氧化物矫顽电场氮化钛氮化钽氮原子硅原子铝原子钛原子钽原子镧原子夹设可调制造应用

[发明专利]电阻变化型非易失性存储元件及其制作方法-CN200880015311.8无效
发明人：吉井重雄;山下一郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明的电阻变化型非易失性存储元件的特征在于，包括：第一电极(203)；在上述第一电极(203)上形成于且电阻根据施加电压而变化的氧化物半导体层(204a)；配置于上述氧化物半导体层(204a)上的、直径为2nm以上且10nm以下的金属纳米粒子(204b)；在上述氧化物半导体层(204a)上和上述金属纳米粒子(204b)上形成的隧道阻挡层(204c)；和在上述隧道阻挡层(204c)上形成的第二电极(206)，上述金属纳米粒子(204b)和上述氧化物半导体层(204a)接触。
电阻变化型非易失性存储元件及其制作方法

[发明专利]具有改善的隧道氧化物的双栅存储单元-CN200510131632.2无效
发明人： K·－D·乌费尔特 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2005-12-15 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明涉及一种双栅存储单元，它包含：具有包含沟道区和源极/漏极区的有源区的硅衬底，其中该有源区构成至少包含沟道区的脊状翼；至少部分地在有源区的脊状翼的表面上形成的隧道氧化层；用于存储电荷的至少部分地在隧道氧化物的表面上形成的浮动栅；由介电材料构成的、至少部分地在浮动栅的表面上形成的栅间绝缘层；和至少部分地在栅间层的表面上形成的控制栅，其中隧道氧化层由非晶二氧化硅/二氧化钛混合氧化物构成。
具有改善隧道氧化物存储单元

[实用新型]隧道窑废气净化处理系统及隧道窑-CN201820700804.6有效
发明人：邵志远;孙振动;钱跃福;李华伦 -专利权人：郑州康宁特环境工程科技有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： B01D53/86 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种隧道窑废气净化处理系统及隧道窑，涉及废气净化处理技术领域。该隧道窑废气净化处理系统，包括活性反应段，该活性反应段包括至少一个反应模块，该反应模块包括至少一层吸附层，吸附层为活性吸附剂和催化剂的混合层，通过上述吸附层和反应模块的设置，使得该活性反应段能够对隧道窑废气中的硫氧化物、氮氧化物以及所携带的固体颗粒物等大气污染物进行净化处理，可以有效改善传统隧道窑废气排放超标，从而对大气造成污染的问题；该隧道窑废气净化处理系统适用于大多数的大、中、小型隧道窑。本实用新型还提供了一种隧道窑，包括上述隧道窑废气净化处理系统。
隧道窑废气净化处理系统反应模块活性反应吸附层本实用新型大气污染物固体颗粒物活性吸附剂传统隧道氮氧化物净化处理硫氧化物小型隧道混合层窑废气催化剂废气超标携带排放污染

[发明专利]存储装置中的磁穿隧结和形成磁穿隧结的方法-CN201880061129.X有效
发明人：真杰诺;裘地·玛丽·艾维塔;童儒颖;刘焕龙;李元仁;朱健 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：公开一种磁穿隧结(MTJ)，其中自由层(FL)与金属氧化物(Mox)层和隧道位障层相接以产生界面垂直磁异向性(PMA)。金属氧化物层具有非化学计量的氧化态以使寄生电阻降至最低，并包含掺质以填充空的晶格位置，藉此阻挡氧扩散通过金属氧化物层，以在工艺温度高达400℃的情况下保持界面垂直磁异向性和高热稳定性。形成掺杂的金属氧化物层的各种方法包含在气体形式的掺质和O2的反应环境中沉积金属层，将金属氧化物层暴露于气体形式的掺质，以及离子注入掺质。在另一实施例中，当掺质为N时，在金属氧化物层上形成金属氮化物层，然后退火步骤驱使氮进入金属氧化物晶格中的空位。
存储装置中的磁穿隧结形成方法

[发明专利]一种磁存储位元及其制作方法、磁存储器-CN202011496488.3有效
发明人：韩谷昌;张恺烨;哀立波;杨晓蕾;刘波 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本申请公开了磁存储位元及其制作方法和磁存储器，磁存储位元包括固定层、参考层、隧道层、自由层，自由层包括多个层叠的结构单元，结构单元包括在远离隧道层方向上层叠的铁磁层和氧化物传导层，铁磁层包括在远离隧道层方向上依次层叠的第一磁性层自由层包括多个结构单元，每个结构单元包括铁磁层和氧化物传导层，即自由层中有多个氧化物传导层与铁磁层的界面，多层界面的各向异性能使自由层维持垂直各向异性，可提升数据保存时间，提高自旋转移矩翻转速度，且降低去磁化场，提高自由层的磁各向异性场，且不影响磁存储位元隧道磁阻；铁磁层又包括第一磁性层、间隔层、第二磁性层，提升自由层的厚度，从而提升数据保存时间。
一种存储位元及其制作方法磁存储器

[发明专利]三维闪存以及三维闪存沟道孔的非晶硅盖的形成方法-CN201810200352.X有效
发明人：蒲浩;王家友;李春龙;王秉国;吴俊;潘国卫;朱峰;王凯;沈超;刘松 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：在形成非晶硅盖时包括以下步骤：在沟道孔内形成沟道氧化物；去除顶部的沟道氧化物、电荷阻挡层、以及隧道绝缘层后，在顶部沉积覆盖沟道氧化物、电荷阻挡层、隧道绝缘层、电荷陷阱层以及掩模层顶部的非晶硅作为第二非晶硅层
非晶硅层非晶硅闪存沟道氧化物三维沟道去除电荷陷阱层电荷阻挡层隧道绝缘层掩模层沉积填充并用覆盖

[发明专利]磁隧道效应型磁头及其制造方法-CN01121758.8无效
发明人：中盐荣治;尾上精二;菅原淳一;片仓亨 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2001-07-06 - 公布日： 2002-02-27 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种磁隧道效应型磁头,包含作为下屏蔽层24的第一软磁性导电层、在第一软磁性导电层上形成的作为下间隙层26的金属氧化物层25和第一非磁性导电层、在第一非磁性导电层上形成的作为磁隧道结元件27的磁隧道结层34、在磁隧道结层34上形成的作为上间隙层28的第二非磁性导电层以及在第二非磁性导电层上形成的作为上屏蔽层29的第二软磁性导电层。下间隙层26中的金属氧化物层25至少在磁隧道结层27的下面形成。
隧道效应磁头及其制造方法

[发明专利]交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺-CN201510726633.5有效
发明人：肖荣福;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺，包括：形成底电极；在所述底电极顶部形成磁记忆单元阵列，其中包括制备多层薄膜形成串联的磁性隧道结和导电层1/氧化物/导电层2三层结构，所述导电层1/氧化物/导电层2三层结构的氧化物是金属氧化物、半导体材料的氧化物，所述导电层1/氧化物/导电层2三层结构的导电层1和/或导电层2是金属、金属合金、金属氮化物或金属硼化物；在所述磁记忆单元阵列顶部形成顶电极。
交叉矩阵磁性随机存储器制造工艺

[发明专利]一种降低陶瓷燃气隧道窑排放NOx的方法-CN202210801728.9有效
发明人：郭俊平;汪小憨;郭喜斌;曾小军;林佳;余培旭;杨浩林;李凡;杨卫斌 -专利权人：潮州市索力德机电设备有限公司;中国科学院广州能源研究所
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B01D53/86 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷燃气隧道窑领域，用于解决现有的陶瓷燃气隧道窑排放的NOx排放限值过大，造成严重环境污染的问题，具体涉及一种降低陶瓷燃气隧道窑排放NOx的方法，该方法利用降排内衬涂层降解NOx，降排内衬涂层含有大量的稀土氧化物材料，在高温环境中复合稀土氧化物功能材料表面形成很多氧空缺，这些氧空缺大量吸附烟气中的NO，使N‑O键快速断裂，从而使NO直接分解为N2和O2，同时隧道窑由于燃烧不充分产生的CO在含锰铈活性炭与NOx进行氧化还原反应，最终将NOx降解，从而实现降排的目的。
一种降低陶瓷燃气隧道窑排放 nox 方法

[发明专利]一种催化柴油车碳烟燃烧的催化剂及其制备方法和应用-CN201610171036.5有效
发明人：张昭良;吕晨曦;田广凯;刘太峥;辛颖;李倩 -专利权人：济南大学
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： B01J23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种催化柴油车碳烟燃烧的催化剂及其制备方法和应用，催化剂有效成分为钾钛复合氧化物，该钾钛复合氧化物的分子式为K_xTi₈O_{16本发明催化剂具有特殊的2×2隧道结构，易于实现工业化生产，原料廉价、易得，钾位于复合氧化物的隧道中，能显著降低碳烟颗粒燃烧的温度，具有催化碳烟燃烧的能力，将其涂覆在颗粒物捕集器上，可以在柴油车的工况条件下（不需额外加热）消除碳烟，从而达到净化柴油车尾气的目的，能很好的实现颗粒物捕集器的再生。}
一种催化柴油车燃烧催化剂及其制备方法应用

[实用新型]基于除尘和常温吸附为一体的隧道废气净化装置-CN201120311994.0有效
发明人：杜峰;鲁钢;潘志刚 -专利权人：江苏瑞丰科技实业有限公司
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： B01D53/04 文献下载
摘要：一种基于除尘和常温吸附为一体的隧道废气净化装置，其特征是它主要包括除尘单元（1）、碳氢化物和氮氧化物废气吸附模块（2）、风机（3）和一氧化碳废气吸附模块（4），它们均安装在壳体（5），风机（3）的吸风口与碳氢化物和氮氧化物废气吸附模块（2）的排气口相连通，风机（3）的出风口（6）通过管道与一氧化碳废气吸附模块（4）的进风口相连通，一氧化碳废气吸附模块（4）的出气口作为隧道废气净化装置的排气口与大气相通，碳氢化物和氮氧化物废气吸附模块
基于除尘常温吸附一体隧道废气净化装置