专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]集成电路-CN202210026909.9在审
  • 黄彦杰;陈海清;林仲德 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-01-11 - 2022-07-19 - H01L27/11502
  • 一种具有存储器结构的集成电路,其中存储器结构包括第一电极以及第一结构。第一结构与第一电极垂直堆叠。第一结构包括第一层、第二层以及第一恢复层。第二层覆盖于第一层。第一恢复层位于第一层以及第二层之间,且与第一层以及第二层相紧邻。第一恢复层是与第一层以及第二层具有不同的材料类型。
  • 集成电路
  • [发明专利]一种电器件及制备方法-CN202110862824.X在审
  • 罗庆;姜鹏飞;王渊;刘明 - 中国科学院微电子研究所
  • 2021-07-29 - 2023-02-07 - H10N97/00
  • 本申请公开一种电器件及制备方法,涉及微电子技术领域,能够提高电器件的剩余极化强度稳定性,进而提高电器件的寿命。电器件,包括:下电极;上电极;材料层;非材料层,所述非材料层与所述材料层连接,所述非材料层用于在被施加电场时发生晶相相变而具有铁电性;所述材料层和所述非材料层均设置于所述下电极和所述上电极之间,所述上电极和所述下电极用于对所述材料层和所述非材料层施加电场。
  • 一种器件制备方法
  • [发明专利]非对称的功能层阵列、隧道结多值存储单元的制备方法-CN202010049246.3有效
  • 王兴晟;王成旭;余豪;缪向水 - 华中科技大学
  • 2020-01-16 - 2022-08-05 - H01L27/1159
  • 本发明提供了非对称功能层阵列、非对称隧道结多值存储单元的制备方法,非对称功能层阵列由N个功能层和N‑1个绝缘层交替堆叠形成,制备方法包括:提供电极层,在该电极层上表面生长N个平行于第一平面方向的功能层,且相邻的功能层之间通过绝缘层隔离,将该功能层晶化,以使N个功能层材料呈现铁电性能;N个功能层的形成工艺期间的物理参数不同,以使N个功能层呈现不同的矫顽场值。物理参数包括功能层材料类型、功能层材料掺杂方式、功能层晶化条件以及功能层材料的厚度。由此制备的存储单元可以实现多种不同的存储状态,从而大幅度提高存储密度以及单位存储容量。
  • 对称功能阵列隧道结多值存储单元制备方法
  • [发明专利]一种存储器及电子设备-CN202080104665.0在审
  • 江安全;杨喜超;张岩;江钧;汪超;魏侠;秦健鹰 - 华为技术有限公司;复旦大学
  • 2020-11-20 - 2023-07-21 - G11C11/22
  • 一种存储器及电子设备,涉及存储技术领域,用于对存储元件(20)的开启电压进行调节。该存储器包括基底(200)以及设置在基底(200)上的第一电压线、第二电压线以及存储元件(20);存储元件(20)包括设置在基底(200)上的薄膜层(201);薄膜层(201)包括向远离基底(200)一侧凸起的存储单元(2011);存储元件(20)还包括相对设置于存储单元(2011)两侧的第一电极(202)和第二电极(203);第一电极(202)与存储单元(2011)的第一表面和侧面均接触,第二电极(203)与存储单元(2011)的第一表面和/或侧面接触;第一表面为存储单元(2011)的与基底(200)平行且远离基底(200)的表面;其中,第一电极(202)与第一电压线连接;第二电极(203)与第二电压线连接。
  • 一种存储器电子设备

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