专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]粉料、导电浆料及磁性器件-CN202211599131.7在审
  • 邹颖璇;聂敏;朱晓斌 - 深圳顺络电子股份有限公司
  • 2022-12-12 - 2023-03-28 - H01B1/02
  • 本申请在银粉粒表面包覆一层具有非导电特性且厚度介于5nm~50nm的致密氧化薄膜;应用于制备磁性器件的导电浆料时,银粉粒和纯银粉相混合且两者之间由于设置该致密氧化薄膜,厚度较小的该非导电薄膜可以基于隧道效应使得银粉粒和纯银粉之间电性导通而又会产生一定的阻值,因此可以调整最终形成的内电极的电阻,从而可以调控产品RDC;并且,通过该致密氧化薄膜可以隔绝烧结过程中银粉粒与NiZnCu铁氧体的直接接触,可以降低内电极和NiZnCu铁氧体界面析出的Cu,从而缓解产品内应力
  • 粉料导电浆料磁性器件
  • [发明专利]电可擦除可编程的、非易失的存储单元-CN96194823.X无效
  • G·滕佩尔;J·温纳尔 - 西门子公司
  • 1996-07-08 - 1998-07-15 - H01L29/788
  • MOS晶体管构成的,其中,在一个第一导电类型的半导体衬底(1)中,包含具有与第一导电类型相反极性的第二导电类型的一个漏区(2)和一个源区(3),该晶体管也包含一个处在悬浮电位的栅极(4),该栅极(4)通过隧道氧化(5),对漏区电绝缘,并通过栅氧化(5、10)对位于漏区(2)和源区(3)之间的沟道区(9)电绝缘,并经过源—沟道—漏方向至少在沟道区(9)的一部分和漏区(2)的一部分上伸展,以及包含一个控制极(7),该控制极(7)通过耦合氧化(8)对栅极(4)电绝缘。
  • 擦除可编程非易失存储单元
  • [发明专利]氧化p-i-n结器件及其制备方法-CN200610164954.1无效
  • 赵柏儒;袁洁;吴昊;曹立新;许波;赵力;金魁;朱北沂 - 中国科学院物理研究所
  • 2006-12-08 - 2008-06-11 - H01L29/868
  • 本发明涉及一种氧化p-i-n结器件及其制备方法,该器件包括衬底,在衬底之上形成的p型氧化层,在p型氧化层上形成的n型氧化层,以及分别形成在p型氧化层和n型氧化层上用于连接引线的引出端和在p型氧化层和n型氧化层之间的铁电体势垒层;n型氧化层和铁电体势垒层两层设置在的p型氧化层的一侧,其占p型氧化层面积的1/3~2/3,其余部分作为p型氧化层的引出端;n型氧化层表面作为n型氧化层的引出端,在p型氧化层和n型氧化层的引出端上分别制作用于连接引线的贵金属焊盘;p型氧化层和n型氧化层均为金属性的;本发明的器件制备方法简单,结构易于实现,实现了单一器件功能的多样化。
  • 氧化物器件及其制备方法
  • [发明专利]用于柴油机废气的氧化催化剂-CN201880079990.9在审
  • 叶山友治 - 庄信万丰日本合同会社
  • 2018-12-20 - 2020-08-28 - B01J37/02
  • 一种用于处理由柴油机产生的废气的氧化催化剂包括催化区域和基底,其中所述催化区域包含催化材料,所述催化材料包含:铋(Bi)或其氧化;第8族金属或其氧化;铂族金属(PGM),其选自(i)铂(Pt)、(ii)钯(Pd)以及(iii)铂(Pt)和钯(Pd);和载体材料,所述载体材料包含氧化铝、二氧化硅、氧化铝和难熔氧化的混合氧化、二氧化硅和难熔氧化的混合氧化氧化铝和难熔氧化的复合氧化、二氧化硅和难熔氧化的复合氧化、掺杂有难熔氧化氧化铝或掺杂有难熔氧化的二氧化硅。
  • 用于柴油机废气氧化催化剂

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