一种电阻式存储器元件(resistive memory)包括:第一电极层、第一过渡金属氧化物层、第二过渡金属氧化物层以及第二电极层。其中,第一电极层包括钨(Tungsten,W)。第一过渡金属氧化物(transition metal oxides,TMO)层位于第一电极层上,且包括钛(Titanium,Ti)。第二过渡金属氧化物层,位于第一过渡金属氧化物层上,且包括硅(Silicon,Si)。第二电极层,位于第二过渡金属氧化物层上,且不包括钨。第一过渡金属氧化物层具有大于该第二过渡金属氧化物层的介电常数(dielectric constant)。