“隧道氧化物”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3319417个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]存储器单元、制造方法、半导体装置结构及存储器系统-CN201810152006.9有效
发明人：陈伟;苏尼尔·穆尔蒂;维托尔德·库拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：磁性单元芯包含：至少一个磁性区域(例如，自由区域或固定区域)，其经配置以展现垂直磁性定向；至少一个基于氧化物的区域，其可为隧道结区域或氧化物顶盖区域；及至少一个磁性界面区域，其可包括铁Fe或由铁Fe组成在一些实施例中，所述磁性界面区域通过磁性区域而与至少一个基于氧化物的区域隔开。所述磁性界面区域的存在增强所述磁性单元芯的垂直磁性各向异性PMA强度。
存储器单元制造方法半导体装置结构系统

[发明专利]磁阻效应型元件及用它制作的磁存储元件和磁头-CN01122062.7无效
发明人：小田川明弘;足立秀明;平本雅祥;松川望;榊间博 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2001-05-24 - 公布日： 2002-02-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明的元件含有具有以式L2(A1－zRz)2An－1MnO3n+3+x表示的组成,结晶构造内具有(L—O)2层的层状钙钛矿型氧化物、和夹持着层状钙钛矿型氧化物并与该氧化物连接形成的一对强磁性体,通过上述(L—O)2层施加偏磁,实现了磁阻隧道效应。
磁阻效应元件制作存储磁头

[发明专利]存储器单元、制造方法、半导体装置结构及存储器系统-CN201480013988.3有效
发明人：陈伟;苏尼尔·穆尔蒂;维托尔德·库拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：磁性单元芯包含至少一个磁性区域(例如，自由区域或固定区域)，其经配置以展现垂直磁性定向；至少一个基于氧化物的区域，其可为隧道结区域或氧化物顶盖区域；及至少一个磁性界面区域，其可包括铁Fe或由铁Fe组成。在一些实施例中，所述磁性界面区域通过磁性区域而与至少一个基于氧化物的区域隔开。所述磁性界面区域的存在增强所述磁性单元芯的垂直磁性各向异性PMA强度。
存储器单元制造方法半导体装置结构系统

[发明专利]一种提高多层膜结构自旋轨道矩翻转效率的方法及多层膜结构、磁隧道结与磁随机存储器-CN202110985984.3在审
发明人：聂天晓;王海宇;殷加亮 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高多层膜结构自旋轨道矩翻转效率的方法及多层膜结构、磁隧道结与磁随机存储器。上述方法是在多层膜结构的铁磁层和氧化物层之间设置第一金属插入层，增强界面自旋轨道耦合强度。本发明还提供了一种多层膜结构，包括非铁磁层、铁磁层、第一金属插入层和氧化物层。本发明还提供了一种磁隧道结，包括非铁磁层、第一铁磁层、第一金属插入层、势垒层、第二铁磁层；或者非铁磁层、第二金属层、第一铁磁层、第一金属插入层、势垒层、第二铁磁层。本发明还提供了含有上述多层膜结构或磁隧道结的磁随机存储器。本发明通过插入超薄金属的方式，利用氧化工程效应改变非铁磁层和铁磁层的界面，以增强界面自旋轨道耦合效应，提高翻转效率。
一种提高多层膜结构自旋轨道翻转效率方法隧道随机存储器

[发明专利]磁存储器件-CN202010004334.1在审
发明人：金洸奭;张荣万;皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：所述自由层结构包括：第一自由层，所述第一自由层是第一赫斯勒合金；耦合层，所述耦合层位于所述第一自由层上，所述耦合层包括金属氧化物层；和第二自由层，所述第二自由层位于所述金属氧化物层上，所述第二自由层是第二赫斯勒合金所述磁存储器件还可以包括：被钉扎层结构，所述被钉扎层结构具有固定的磁化方向；以及隧道势垒层，所述隧道势垒层位于所述被钉扎层结构与所述自由层结构之间。
磁存储器

[发明专利]用于制造光伏电池的方法-CN202080060011.2在审
发明人：拉斐尔·卡巴尔;伯纳黛特·格朗热 -专利权人：原子能和替代能源委员会
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：所述方法包括以下步骤：a)设置一结构，所述结构包括：‑基于结晶硅的衬底(1)；‑第一介电层(2)，其包括硼原子，并形成于所述衬底(1)的第一表面(10)上；‑隧道氧化物膜(3)，其形成于所述衬底的第二表面(11)上；‑多晶硅层(4)，其形成于所述隧道氧化物膜(3)上；‑第二介电层(5)，其包括磷和/或砷原子，并形成于所述多晶硅层(4)上；b)对所述结构施加热处理，以便：‑使得所述硼原子扩散到所述衬底(1
用于制造电池方法

[发明专利]一种铁电隧道结器件及制备方法-CN202211411896.3在审
发明人：刘逸伦;杨雅芬;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电隧道结器件及制备方法，铁电隧道结器件自下而上包括：衬底；第一电极层；铁电层；第二电极层；所述铁电层中设有将所述铁电层上下隔断以控制所述铁电层晶粒尺寸的第一金属氧化物层，所述铁电层具有第一带隙，所述第一金属氧化物层具有与所述第一带隙不同的第二带隙，以在所述铁电层上形成具有对称冠状能带的第一叠层结构。
一种隧道器件制备方法

[发明专利]磁存储器器件及其制造方法-CN201510459661.5有效
发明人：姜信在;朴钟撤;裴丙才;权载奭;申铉受 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：所述方法可包括：在衬底上按次序形成第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；在第二磁性层上形成掩模图案，以暴露出第二磁性层的一部分；在掩模图案的侧壁和第二磁性层的所述部分上形成封盖绝缘层；通过封盖绝缘层将氧离子注入到第二磁性层的所述部分中，以形成氧化物层；各向异性地蚀刻封盖绝缘层，以形成封盖间隔件；以及利用掩模图案和封盖间隔件将氧化物层、隧道势垒层和第一磁性层图案化。
磁存储器器件及其制造方法

[发明专利]一种灼烧过程中降低稀土氧化物产品氯根含量的方法-CN201210010871.2无效
发明人：赵志强;赵治华;刘建军;桑晓云;卢龙;焦自学;鲍永平;张文斌;侯少春;白富 -专利权人：内蒙古包钢稀土(集团)高科技股份有限公司
申请日： 2012-01-01 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种灼烧过程中降低稀土氧化物产品氯根含量的方法，该方法以碳酸稀土为原料，控制碳酸稀土中含有定量铵根离子；将料钵装入原料后，在料钵四周均匀分布插孔，沿设有排气装置的隧道窑自动进料，控制灼烧温度在700-1100℃；料钵缓慢向前移动，控制灼烧时间为2-5小时；待料钵出窑后，将制备好的稀土氧化物倒入包装袋，冷却后取样、包装。该工艺方法不仅降低了碳酸稀土沉淀工艺中的用水量和排水量，同时降低了单位稀土氧化物生产的耗水、耗能量，实现了稀土冶炼工艺节能减排的目标。
一种灼烧过程降低稀土氧化物产品含量方法

[发明专利]显示面板-CN202211272822.6有效
发明人：黄嘉辉;江志雄;王强;弓程;余明爵;蔡志辉 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板，包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：栅极；源极和漏极；以及金属氧化物层，对应栅极设置，包括：下金属氧化物层，下金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物；以及上金属氧化物层，与下金属氧化物层叠置且位于下金属氧化物层靠近源极和所述漏极的表面上，源极和漏极与上金属氧化物层连接，上金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物，上金属氧化物层包括多晶相。金属氧化物层包括下金属氧化物层和上金属氧化物层，下金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物，有利于包括下金属氧化物层的薄膜晶体管实现高迁移率，上金属氧化物层包括多晶相，有利于提高包括上金属氧化物层的薄膜晶体管稳定性
显示面板

[发明专利]利用薄型侧边缘隧道氧化物形成分裂栅极存储器单元的方法-CN202080102214.3在审
发明人：金珍浩;E·奎瓦斯;Y·卡其夫;P·加扎维;B·贝尔泰洛;G·费斯特斯;B·维拉德;C·德科贝尔特;N·多;J·F·蒂耶里 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B41/44 文献下载
摘要：氧化物层具有沿着逻辑区域延伸并且具有第一厚度的第一部分、沿着存储器单元区域延伸并且具有第一厚度的第二部分、以及沿着前边缘延伸具有第一厚度并且沿着第一侧边缘的隧道区域部分延伸具有小于第一厚度的第二厚度的第三部分控制栅极具有设置在氧化物层第二部分上的第一部分和竖直地设置在前边缘以及第一侧边缘的隧道区域部分之上的第二部分。逻辑栅极设置在氧化物层第一部分上。
利用侧边隧道氧化物形成分裂栅极存储器单元方法

[发明专利]磁阻元件的制造方法-CN201380067306.2有效
发明人：清野拓哉;西村和正;奥山博基;大谷裕一;室冈勇太;岛根由光 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻效果元件的制造方法，所述磁阻效果元件当在金属氧化物的隧道势垒层的形成期间改进生产量的同时使金属氧化时，能够降低金属的升华。本发明的实施方案为磁阻效果元件的制造方法，其中所述方法包括隧道势垒层的形成步骤。隧道势垒层的形成步骤包括膜形成步骤和氧化步骤。在膜形成步骤中，在基板上形成金属膜，和在氧化步骤中，使金属膜进行氧化处理。在氧化步骤中，将Mg形成的基板保持在其中进行氧化处理的处理容器内的基板保持件上，在Mg不升华的温度下将氧气导入至处理容器内，将氧气供给至基板，并且在氧气导入后加热基板。
磁阻元件制造方法

[发明专利]空气净化复合材料及包括该材料的空气净化器和新风系统-CN201710407799.X在审
发明人：李鹤;吴毅;王利亚 -专利权人：恒力有限公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： B01D53/81 文献下载
摘要：本发明公开了一种空气净化复合材料，该复合材料包括多孔材料，所述多孔材料上负载碱金属氧化物或氢氧化物、有机胺、金，铂，钯或氧化锰。所述多孔材料选自氧化铝、氧化硅、活性炭、氧化钛、活性碳纤维、氧化锰、分子筛材料、耐火材料中的至少一种。本发明的空气净化复合材料能够在室温下同时去除臭氧、二氧化硫、二氧化氮等有害气体，转化率基本可以达到50％以上。本发明的空气净化复合材料可以装填在空气净化器、新风系统中，也可以装填在大楼、地下空间、隧道的通风系统中，净化被污染的空气，构造无雾霾空间。
空气净化复合材料包括材料空气净化器新风系统

[发明专利]溅射靶及其制备方法-CN201110084349.4无效
发明人： M·施洛特;A·赫尔佐克;S·施奈德-贝茨;白向钰;O·罗伊朵 -专利权人： W.C.贺利氏有限公司
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及溅射靶及其制备方法，该溅射靶包含基质材料和金属成分，该基质材料含有高折射率的第一氧化物。该第一氧化物选自由如下氧化物组成的组：任何氧化物变体形式的氧化钛、任何氧化物变体形式的氧化铌、任何氧化物变体形式的氧化钒、任何氧化物变体形式的氧化钇、任何氧化物变体形式的氧化钼、任何氧化物变体形式的氧化锆、任何氧化物变体形式的氧化钽、任何氧化物变体形式的氧化钨以及任何氧化物变体形式的氧化铪、或其混合物。该组合物还包含第二氧化物，该第二氧化物为任何氧化物变体形式的镧系元素氧化物、或任何氧化物变体形式的氧化钪、或任何氧化物变体形式的氧化镧。该基质材料还包含孔隙。该溅射靶应用于高功率密度下的溅射。
溅射及其制备方法

[实用新型]金属氧化物还原设备的气氛保护装置-CN200920304651.4有效
发明人：高波文;汪寿平;汪翔宇;王建春 -专利权人：唐山奥特斯科技有限公司
申请日： 2009-06-18 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： F27D7/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种低品位金属氧化物(如钢铁工业固体废弃物；低品位及难选的磁铁矿、赤铁矿、褐铁矿、菱铁矿、针铁矿、镜铁矿以及含镍铁矿等)还原或提炼设备(如车底炉、转底炉、隧道窑等)上的专用装置，特别是金属氧化物还原设备的气氛保护装置采用本实用新型，含碳金属氧化物物料(球团或散料)表面的还原气氛不再被外力扰动，为含碳金属氧化物物料(球团或散料)最大限度地被还原提供了可靠的保证，具有结构合理、提高还原效率和质量、降低资源消耗、消除排放污染等特点
金属氧化物还原设备气氛保护装置

首页
«上一页
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
下一页»
尾页
共 100000 条