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[发明专利]一种正极补锂添加剂及其制备方法和应用-CN202310118756.5在审
发明人：张顺心;万远鑫;孔令涌;裴现一男 -专利权人：深圳市德方创域新能源科技有限公司;曲靖德方创界新能源科技有限公司;佛山市德方创界新能源科技有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本申请提出一种正极补锂添加剂及其制备方法和应用，其中正极补锂添加剂，包括：富锂氧化物和高熵氧化物，所述高熵氧化物以以下三种方式中的任意一种存在于所述正极补锂添加剂中：(1)所述高熵氧化物全部掺混于所述富锂氧化物中；(2)所述高熵氧化物全部结合于所述富锂氧化物的外表层；(3)所述高熵氧化物部分掺混于所述富锂氧化物中，部分结合于所述富锂氧化物的外表层。本申请所述正极补锂添加剂，采用高熵氧化物材料掺混和/或结合于富锂氧化物表面，可以减少富锂氧化物充电时产生的气体，有利于电极材料电子和离子的迁移，提高倍率性能、稳定性和抗腐蚀性。
一种正极添加剂及其制备方法应用

[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法-CN201510274195.3有效
发明人：曹鸿涛;王妹;梁凌燕;张胜男;罗浩;李秀霞 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法，其中氧化物薄膜晶体管包括衬底、栅介质层、氧化物沟道层、源电极、漏电极和覆盖层；栅介质层位于衬底的上方；氧化物沟道层位于栅介质层的上方；源电极和所述漏电极均至少部分位于氧化物沟道层的上方；覆盖层位于氧化物沟道层的上方，且位于源电极和漏电极之间；其中，覆盖层为金属氧化物薄膜。其通过在氧化物薄膜晶体管的氧化物沟道层上方增加设置一层金属氧化物薄膜作为覆盖层，实现金属氧化物薄膜对氧化物沟道层表面态的钝化，进而有效改善氧化物薄膜晶体管的性能。
氧化物薄膜晶体管及其制备方法反相器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211399394.3在审
发明人：成旼哲 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：该半导体器件，包括：位线；氧化物半导体柱，从位线竖直延伸；电容器，设置在氧化物半导体柱之上；以及字线，设置在氧化物半导体柱的侧壁之上，其中，氧化物半导体柱包括：下氧化物半导体界面层，耦接到位线；上氧化物半导体界面层，耦接到电容器；以及氧化物半导体沟道层，设置在下氧化物半导体界面层和上氧化物半导体界面层之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]光掩模及其制造方法-CN200610008641.7无效
发明人：金元柱;宋利宪;金锡必;张丞爀;柳元壹;金勳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-20 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：在示例方法中，该光掩模可以通过以下步骤制造：在表面上形成氧化物层；构图所述氧化物层以形成氧化物图案，所述氧化物图案包括多个氧化物图案主体和多个氧化物窗口；用吸收剂填充所述多个氧化物窗口以形成吸收剂图案；以及减少所述多个氧化物图案主体。示例的光掩模可以包括基于氧化物图案的吸收剂图案，其包括多个吸收剂图案主体和多个吸收剂图案窗口。
光掩模及其制造方法

[发明专利]可溶性金属氧化物和金属氧化物溶液-CN200480039137.2有效
发明人： P·D·克宁翰;J·麦克马纳斯 -专利权人：高尔韦爱尔兰国立大学
申请日： 2004-11-22 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： C09C3/08 文献下载
摘要：本发明涉及可溶性的金属氧化物和混合金属氧化物，并且涉及包含金属氧化物和混合金属氧化物的溶液。本发明进一步涉及制备可溶性金属氧化物和可溶性混合金属氧化物的方法，并且另外涉及一种用于改进可溶性金属氧化物的溶解性的方法。该金属氧化物、混合金属氧化物及其溶液具有许多应用，并且特别适合用作催化剂以及用作用于形成金属薄膜的前体。
可溶性金属氧化物溶液

[发明专利]氧吸藏材料及其制造方法-CN201710170494.1有效
发明人：森川彰;后藤能宏;田边稔贵;三浦真秀;铃木宏昌 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： B01J23/10 文献下载
摘要：一种氧吸藏材料，是氧化铈‑氧化锆复合氧化物、氧化镧‑氧化锆复合氧化物和氧化铈‑氧化锆‑氧化镧复合氧化物这三种烧绿石型复合氧化物共存的氧吸藏材料，其含有：由所述烧绿石型氧化铈‑氧化锆复合氧化物和所述烧绿石型氧化铈‑氧化锆‑氧化镧复合氧化物构成的第1二次粒子；和由所述烧绿石型氧化镧‑氧化锆复合氧化物和所述烧绿石型氧化铈‑氧化锆‑氧化镧复合氧化物构成的第2二次粒子。
氧吸藏材料及其制造方法

[发明专利]一种高熵混合氧化物电极材料及其制备方法-CN201110336918.X有效
发明人：吴允苗 -专利权人：泉州师范学院
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种高熵混合氧化物电极材料及其制备方法，涉及氧化物材料和材料制备技术。所述高熵混合氧化物电极材料由金属导电基体和氧化物薄膜构成，所述的氧化物薄膜具有高熵结构，由氧化钌、氧化锰、氧化锡、氧化钽、氧化钴、氧化锆、氧化钛、氧化锑这8种氧化物组成的高熵混合氧化物薄膜。制备方法包括涂刷、烘干、热氧化处理、冷却步骤。该高熵混合氧化物电极材料具有很高的比电容，适合制备高性能超级电容器，另外，制备高熵混合氧化物电极材料的工艺简单、操作方便，适合规模化生产应用。
一种混合氧化物电极材料及其制备方法

[发明专利]提高均匀性和绝缘电阻的介电组合物,其制备方法以及用该组合物的多层陶瓷电容器-CN02157837.0无效
发明人：张东圭;许康宪;孙熙荣 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2002-12-20 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电组合物，以及制备这种化合物的方法和使用这种组合物的多层陶瓷电容器，从提高均匀性和绝缘电阻的观点看，这种组合物是有优势的。介电组合物由介电成分(Ba1－x－yCaxAy)m(Ti1－a－b－cZraB′bB″c)O3+m(其中，0.01≤x≤0.10，0.003≤y≤0.015，0.16≤a≤0.20，0.003≤b≤0.015，0≤c≤0.015，1.000≤m≤1.010；组分A选自钇的氧化物、镧的氧化物、钬的氧化物、镝的氧化物、铒的氧化物、铪的氧化物及它们的结合；组分B′选自锰的氧化物、钴的氧化物、镍的氧化物及它们的结合；组分B″选自钒的氧化物、铌的氧化物、钽的氧化物及它们的结合)和助烧剂zLi2O－2(1－z)SiO2(0≤z≤0.9)组成。
提高均匀绝缘电阻组合制备方法以及多层陶瓷电容器

[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管-CN201310293622.3在审
发明人：黄金海;孙伯彰;黄思齐 -专利权人：福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板、闸极电极、氧化物半导体层、闸极介电层、氧化物源极电极、氧化物汲极电极与金属连接组件。闸极介电层系至少部分设置于闸极电极与氧化物半导体层之间。氧化物源极电极与氧化物汲极电极系分别至少部分设置于氧化物半导体层与基板之间。金属连接组件设置于基板上，且金属连接组件于垂直于基板之垂直投影方向上与氧化物源极电极重迭。金属连接组件于垂直投影方向上不与氧化物半导体层重迭，且金属连接组件在与氧化物源极电极互相重迭之区域直接与氧化物源极电极接触而形成电性连接。
氧化物半导体薄膜晶体管

[发明专利]一种复合氧化物载体及其制备方法和催化剂及其制备方法、应用-CN202210590799.9在审
发明人：黄家辉;张军营;谢妍 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： B01J21/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种复合氧化物载体及其制备方法和催化剂及其制备方法、应用，包括氧化物I和氧化物II，所述氧化物II包裹在所述氧化物I上；所述氧化物I包括两种氧化物，其中一种氧化物为碱性氧化物；所述氧化物II包裹在所述氧化物I上的载量为1～15wt％，通过共沉淀法制备得到修饰后的复合氧化物载体的碱性得到调控，且载体性能得到大幅度提升，加强了载体与金属之间的强相互作用，增强了界面效应，提高了催化剂的稳定性，反应釜反应中
一种复合氧化物载体及其制备方法催化剂应用

[发明专利]半导体装置及包括该半导体装置的显示装置-CN201780022620.7有效
发明人：山崎舜平;冈崎健一;黑崎大辅;中泽安孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提高具有氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。一种半导体装置，包括：氧化物半导体膜；栅电极；栅电极上的绝缘膜；绝缘膜上的上述氧化物半导体膜；以及氧化物半导体膜上的一对电极，其中，氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜包含相同的元素，并且，第一氧化物半导体膜具有其结晶性低于第二氧化物半导体膜的区域。
半导体装置包括显示装置

[发明专利]过氧化物化合物的输送体系及其应用-CN201880076122.5有效
发明人： C·贝克;P·潘 -专利权人：阿科玛股份有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： A61K8/18 文献下载
摘要：制备了一种过氧化物输送体系。过氧化物输送体系包括干燥粉末，其可在需要时快速、完全释放过氧化物。可通过将液态过氧化物或过氧化物溶液与无机固体载体组合来产生过氧化物输送体系，所述无机固体载体对过氧化物呈惰性，且能够吸附大量液态过氧化物或过氧化物溶液，同时保持干燥的触感。公开了将无机固体载体与液体过氧化物或过氧化物溶液组合的方法。可以将过氧化物输送体系配制成粉末、液体、泡沫、喷雾剂、凝胶、软膏、乳膏、棒或糊剂形式的制剂，这些制剂可以用于多种应用中，例如清洁、去污和抗菌产品。
过氧化物化合物输送体系及其应用

[发明专利]电介质层及电介质层的制造方法、以及固态电子装置及固态电子装置的制造方法-CN201480011857.1有效
发明人：下田达也;德光永辅;尾上允敏;宫迫毅明 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明的电介质层(30a)包含层叠氧化物，所述层叠氧化物层叠第一氧化物层(31)和第二氧化物层(32)而成，其中所述第一氧化物层(31)通过由铋(Bi)和铌(Nb)形成的氧化物、或由铋(Bi)和锌(Zn)和铌(Nb)形成的氧化物(可包含不可避免的杂质)构成，所述第二氧化物层(32)由选自由镧(La)和钽(Ta)形成的氧化物、由镧(La)和锆(Zr)形成的氧化物、及由锶(Sr)和钽(Ta)形成的氧化物中的一种氧化物
电介质制造方法以及固态电子装置

[发明专利]一种铁、钨、锌改良氧化铈/氧化锰SCR脱硝催化剂及其制备方法-CN201811318009.1有效
发明人：董辉;张丹枫;赵亮;李慧梅;吴瑞 -专利权人：东北大学
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： B01J23/889 文献下载
摘要：本发明的一种铁、钨、锌改良氧化铈/氧化锰SCR脱硝催化剂，以钛的氧化物为载体，其上负载铈的氧化物和锰的氧化物为活性组分，以铁的氧化物、钨的氧化物和锌的氧化物作为添加剂增进活性组分的活性；催化剂中铁元素、钨元素、锌元素的摩尔比为5～10：1～5：1～5；催化剂中各组分含量：钛的氧化物85wt％；铈的氧化物5.24wt％～7.02wt％；锰的氧化物2.65wt％～3.55wt％；铁的氧化物1.275wt％～3.155wt％；钨的氧化物0.87wt％～4.125wt％；锌的氧化物0.264wt％～1.68wt％。该催化剂具有较强的催化氧化还原能力，在150～400℃反应温度区间内达可以保持脱硝效率80％及以上，有效的提高了脱硝效率。
一种改良氧化氧化锰 scr 催化剂及其制备方法

[发明专利]有机储氢化合物脱氢制氢气催化剂-CN201911014634.1有效
发明人：杨雪;林伟;宋烨;王磊;刘俊;宋海涛;孙敏 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明属于氢能技术领域，提供一种有机储氢化合物脱氢制氢气催化剂，包括贵金属活性组分、氧化铝和改性金属氧化物，所述的改性金属氧化物为钛氧化物和/或锆氧化物，至少部分氧化铝和改性金属氧化物存在于载体中，其中所述的改性金属氧化物的η＜0.3，θ≥5，其中η＝载体中晶相改性金属氧化物的重量百分含量/载体中改性金属氧化物的化学组成重量百分含量，θ＝载体表面上改性金属氧化物的重量百分含量/载体中改性金属氧化物的化学组成重量百分含量，钛氧化物以TiO2计，锆氧化物以ZrO2计。
有机氢化脱氢氢气催化剂