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[发明专利]两种存储器类型的集成-CN02810199.5有效
发明人：罗伯特·E·琼斯;布鲁斯·E·怀特 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 2002-05-07 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：具有嵌入的纳米晶体或分立存储元件的控制栅极和控制电介质形成在隧道电介质的不同厚度上，以形成两个存储器。源和漏区形成在与隧道电介质相邻的半导体衬底内。使用了多种方法通过增加最少的处理步骤形成了薄隧道氧化物和厚隧道氧化物。
存储器类型集成

[发明专利]一类非晶态过渡金属氧化物封装锰基氧化物复合材料的制备方法及其应用-CN202110929484.8有效
发明人：刘代伙;刘定毅;张爽;杨林;白正宇 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明公开了一类非晶态过渡金属氧化物封装锰基氧化物复合材料的制备方法及其应用。首先利用水热法获得2×2隧道型锰基氧化物前驱体，再利用水解法获得最终产物，即非晶态过渡金属氧化物封装锰基氧化物复合材料。该制备方法简单、反应条件温和、制备成本低廉，无需高温煅烧，有利于工业化大批量生产，制得的非晶态过渡金属氧化物封装锰基氧化物复合材料用作水系锌离子电池正极材料时，比晶态过渡金属氧化物封装锰基氧化物和未封装的锰基氧化物表现出更优的倍率性能和循环性能
一类晶态过渡金属氧化物封装复合材料制备方法及其应用

[发明专利]铁磁性隧道结磁传感器-CN98105893.0无效
发明人：佐藤雅重;小林和雄;菊地英幸 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 1998-03-26 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种铁磁性隧道结磁传感器，它包括一个第一铁磁性层，一个形成于前述第一铁磁性层之上的并在其中包括一层隧道氧化膜的绝缘阻挡层和一个形成于前述绝缘阻挡层之上的第二铁磁性层，其中，前述绝缘阻挡层包括一个带前述隧道氧化膜的金属层，前述隧道氧化膜由构成前述金属层的金属元素的氧化物组成，并且，该绝缘阻挡层的厚度约为1.7nm或更小，但大于组成前述隧道氧化膜的前述氧化物的一个分子层的厚度。
铁磁性隧道传感器

[发明专利]一种钾锰复合氧化物及其制备方法和在柴油车尾气净化中的应用-CN201610216293.6在审
发明人：张昭良;田广凯;李倩;吕晨曦;辛颖 -专利权人：济南大学
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： B01J23/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种钾锰复合氧化物及其制备方法和在柴油车尾气净化中的应用，其分子式为K_2‑xMn₈O₁₆，0＜x＜2。本发明钾锰复合氧化物具有特殊的隧道结构，钾位于复合氧化物的隧道中，不宜流失，能显著降低碳烟的起燃温度，有效催化碳烟燃烧，可作为催化碳烟燃烧的催化剂，能很好的实现颗粒物过滤器（Diesel Particulate Filter，简称DPF）的再生，利用该钾锰复合氧化物催化剂可以实现在柴油车的工况条件下达到消除碳烟的目的。
一种复合氧化物及其制备方法柴油车尾气净化中的应用

[发明专利]闪存器件及其制造方法-CN200610108430.0无效
发明人：杨永镐 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-08-02 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种闪存器件及其制造方法，其中利用半球形晶粒(HSG)法在隧道氧化物层和浮栅之间形成具有微粒的硅层，从而防止浮栅的掺杂剂扩散进入隧道氧化物层。根据一个实施例，闪存器件包括：在半导体衬底的预定区域中形成的隔离结构，用于限定有源区和场区；在有源区的半导体衬底上形成的隧道氧化物层；以及在有源区上的预定区域中形成从而与隔离结构的一部分交迭的浮栅，浮栅的底部给定部分和其余部分具有不同的晶粒尺寸
闪存器件及其制造方法

[发明专利]磁隧道结器件和包括该磁隧道结器件的存储器件-CN202210781501.2在审
发明人：金洸奭;朴盛健;金基雄;长谷直基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：提供了在不降低或增加数据保持力的情况下具有快的操作速度的磁隧道结器件和/或包括该磁隧道结器件的存储器件。该磁隧道结器件包括：自由层，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面；被钉扎层，面对自由层的第一表面；第一氧化物层，在被钉扎层和自由层之间；以及第二氧化物层，在自由层的第二表面上。自由层包括与第一氧化物层相邻的第一自由层和与第二氧化物层相邻的第二自由层。第一自由层包括未掺非磁性金属的磁性材料，第二自由层包括掺有非磁性金属的磁性材料。
隧道器件包括存储

[发明专利]磁隧道结器件和包括其的存储设备-CN202210831349.4在审
发明人：金洸奭;朴盛健;李昇宰;长谷直基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10N50/85 文献下载
摘要：提供磁隧道结器件和包括其的存储设备，所述磁隧道结器件具有更稳定的垂直磁各向异性(PMA)和/或提高的运行速度。所述磁隧道结器件包括：具有第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面的自由层；面对所述自由层的第一表面的钉扎层；在所述钉扎层和所述自由层之间的第一氧化物层；和在所述自由层的第二表面上的第二氧化物层。所述第二氧化物层包括作为金属Z的氧化物的ZOx。金属Z的氧亲和力大于非磁性金属X的氧亲和力。
隧道器件包括存储设备

[发明专利]稀土金属氢氧化物及氧化物多孔隧道纳米管及制备方法-CN201610996851.5有效
发明人：祝艳;付博;孙予罕 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种稀土金属氢氧化物及氧化物多孔隧道纳米管及其制备方法，包括步骤将十六烷基三甲基溴化铵和去离子水加入反应容器中混合均匀，获得第一混合液；将稀土可溶性盐加入所述第一混合液中，搅拌后获得第二混合液；将沉淀剂加入所述第二混合液中，搅拌后保温一段时间，洗涤干燥后收集，得到稀土金属多孔隧道纳米管。本发明所制备的稀土金属氢氧化物和稀土氧化物多孔隧道纳米管的横截面为多孔结构，并且在纳米管内部形成隧道，尺寸均一，管径为200~300nm左右，管壁厚20nm左右，分散性好，管表面光滑，易于收集。本发明采用溶剂热法，通过调控稀土金属前驱体的种类，反应时间及温度，得到组分不同，尺寸不同的多孔隧道纳米管，方法简单，易于操作。
稀土金属氢氧化物氧化物多孔隧道纳米制备方法

[发明专利]磁隧道结器件及其形成方法-CN202110804095.2在审
发明人：张弘郁;柯闵咏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：磁隧道结器件包括：柱结构，从底部到顶部包括底部电极和磁隧道结结构；顶部电极，位于磁隧道结结构上面；以及介电金属氧化物层，从柱结构的侧壁延伸至顶部电极的侧壁。磁隧道结结构包含包括第一铁磁材料的参考磁化层、隧道阻挡层和包括第二铁磁材料的自由磁化层。顶部电极包括包含非磁性金属元素的金属材料。可以通过在聚焦离子束蚀刻工艺之后执行氧化残留金属膜的氧化工艺来形成介电金属氧化物层，并且从柱结构的表面消除导电路径。本发明的实施例还涉及磁隧道结器件的形成方法。
隧道器件及其形成方法

[发明专利]一种快闪存储器的制造方法-CN201410466643.5有效
发明人：于法波;舒清明 -专利权人：上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：包括在半导体衬底上刻蚀有源区和隔离区，半导体衬底由基底、牺牲层和掩模层依次层叠而成，在回刻掩模层和刻蚀牺牲层后的基底上形成衬垫层得到圆滑转角的半导体结构，在圆滑转角的半导体结构上形成绝缘层，在绝缘层上形成隔离氧化物层以填满所述隔离区，部分移除隔离氧化物层和绝缘层直到隔离氧化物层和绝缘层与掩模层平齐为止，去除位于有源区的掩模层，露出与掩模层接触的牺牲层和部分绝缘层，去除露出的牺牲层和部分绝缘层露出有源区的基底，在露出的有源区的基底上依次形成隧道氧化物层和浮栅层本发明能够防止隔离区的隔离氧化物对隧道氧化物和衬垫层的影响，从而提高快闪存储器的数据保持特性。 1
绝缘层掩模层隔离氧化物基底源区快闪存储器隔离区牺牲层半导体结构圆滑转角衬垫层衬底去除半导体数据保持特性隧道氧化物层刻蚀牺牲层隧道氧化物依次层叠浮栅层回刻刻蚀平齐填满移除制造

[发明专利]铁电存储器及其制备方法、电子设备-CN202180030983.1在审
发明人：黄伟川;刘熹;林军 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：一种铁电存储器，该铁电存储器包括衬底和位于衬底上的至少一个铁电隧道结组，每个铁电隧道结组包括叠设的N个铁电隧道结单元和N+1层导电金属层，N个铁电隧道结单元和N+1层导电金属层交替设置，每个铁电隧道结单元均包括依次叠设的第一导电氧化物层、铁电层和第二导电氧化物层，其中，N为大于或等于1的整数。本申请的铁电存储器通过导电金属层与导电氧化物层的复合，有助于提高开关比，同时铁电隧道结组具有优良的铁电/电极界面，有利于提升存储器的铁电性能、降低存储器发生铁电疲劳的风险，以提高写入的循环次数和可靠性。
存储器及其制备方法电子设备

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810111364.1无效
发明人：金大荣 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-05-27 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，以及一种用于制造该半导体器件的方法，该方法包括将一种氧化物－氮化物－氧化物堆叠在硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅器件上。提高了位于电荷捕获介电层的上侧和下侧的上阻挡介电层和/或下隧道介电层的屏障性，以维持电荷捕获介电层捕获的电荷的保持性能，使得提高含有其的半导体器件的可靠性成为可能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有重叠栅电极的半导体器件及其制造方法-CN200510085970.7无效
发明人：权成云;黄在晟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-07-21 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：该器件也包括邻近隔离区的衬底上的隧道氧化物层图形，以及设置在隧道氧化物层图形上的第一栅电极，第一栅电极在邻近凹槽的部分隔离区上延伸。第一栅电极可以包括在隧道氧化物层图形上设置的导电层图形和在邻近隔离区中的凹槽的第一导电层图形的侧壁上设置的导电隔片。
具有重叠电极半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有掩埋浮栅结构的闪存单元及其制造方法-CN200680003851.5无效
发明人：张伦铢;朴光五;宋福男;崔乘旭;金汉兴 -专利权人：株式会社伊柯塞尔半导体
申请日： 2006-01-24 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：该闪存单元包括半导体衬底、控制栅、介电层、浮栅、浮栅、隧道氧化物层以及源区和漏区。控制栅形成在半导体衬底上，并由第一传导层形成。介电层形成在半导体衬底表面和控制栅之间。隧道氧化物层形成为在半导体衬底内围绕浮栅。源区和漏区互相分隔开，在半导体衬底内的浮栅和隧道氧化物层被设置在源区和漏区之间。
具有掩埋结构闪存单元及其制造方法

[发明专利]磁电随机存储单元及具有该磁电随机存储单元的存储器-CN201010116951.7有效
发明人：南策文;李峥;舒立;胡嘉冕;王婧;马静;林元华 -专利权人：清华大学
申请日： 2010-03-02 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁电随机存储单元，包括：铁电氧化物层；形成在所述铁电氧化物层之上的铁磁自由层；形成在所述铁磁自由层之上的隧道阻挡层；形成在所述隧道阻挡层之上的铁磁固定层；和形成在所述铁电氧化物层两侧的第一电极和第二电极，其中，在所述第一和第二电极可对所述铁电氧化物层施加的电场作用下，通过磁电耦合作用控制所述铁磁自由层中的磁化方向。
磁电随机存储单元具有存储器