公开用于垂直磁性穿隧结(perpendicular magnetic tunnel junction,p‑MTJ)的初始化工艺,其中切换错误率从典型的30‑100ppm的范围减小到小于10ppm。在一个实施例中,在存储器装置制造过程中进行最终退火步骤之后,施加平面内磁场,使得自由层以及AP1及AP2钉扎层中的所有磁化都暂时对准“平面内”。移除外加磁场后,穿隧阻障/AP1界面的界面垂直磁非等向性(perpendicular magnetic anisotropy,PMA)会在第一垂直方向上感应出具有磁化的单一AP1磁性场域。在FL/穿隧阻障界面的界面PMA在第一方向上或与其相反的方向上提供了具有磁化的FL场域。由于AP2与AP1层反铁磁耦合,因此AP2的磁化与第一方向相反。替代地,可施加垂直于平面的磁场以初始化。