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[发明专利]金属结构及其制作方法与应用的显示面板-CN201711373560.1有效
发明人：王硕宏;林俊男;吴佳聪;郭吉庭;李格睿;李家宏;张家铭 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：金属结构包括图案化钼钽氧化物层以及图案化金属层。图案化钼钽氧化物层设置于一第一基板上，其中该图案化钼钽氧化物层中钽的原子百分比含量约介于2％至12％之间，钼的原子百分比含量与氧的原子百分比含量都大于钽的原子百分比含量。图案化金属层设置于该图案化钼钽氧化物层上。
原子百分比钽氧化物层图案化图案化金属层金属结构第一基板显示面板制作应用

[发明专利]电致变色装置-CN202110405020.7在审
发明人：朴翔显;金炳东 -专利权人：力海科技股份有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G02F1/1524 文献下载
摘要：根据一个实施方式的电致变色装置包括透明导电层、离子存储层、电解质层、电致变色层以及反射层或透明导电层，其中离子存储层包含铱原子和钽原子，其中电解质层包含钽原子，其中电致变色层包括钨原子，其中电致变色层的钨原子和离子存储层的铱原子和钽原子中的至少一个被氢化
变色装置

[发明专利]电致变色装置-CN201780006130.8有效
发明人：朴翔显;金炳东 -专利权人：力海科技股份有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G02F1/1524 文献下载
摘要：根据一个实施方式的电致变色装置包括透明导电层、离子存储层、电解质层、电致变色层以及反射层或透明导电层，其中离子存储层包含铱原子和钽原子，其中电解质层包含钽原子，其中电致变色层包括钨原子，其中电致变色层的钨原子和离子存储层的铱原子和钽原子中的至少一个被氢化
变色装置

[发明专利]用于铜互连的钛掺杂钽基阻挡层及其制造方法-CN201110298197.8有效
发明人：康晓春;何朋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于铜互连的钛掺杂钽基阻挡层及其制造方法，所述钛掺杂钽基阻挡层包括钛掺杂钽氮薄膜和位于所述钛掺杂钽氮薄膜上的钛掺杂钽薄膜，其中所述钛掺杂钽氮薄膜中钛占钛钽总原子数的百分比为0.1％～2.2％；所述钛掺杂钽薄膜中钛占总原子数的百分比为0.1％～2.2％。相比于现有技术，作为铜互连的阻挡层由现有技术中的钽薄膜/钽氮薄膜组成的钽基阻挡层改变为钛掺杂钽薄膜/钛掺杂钽氮薄膜组成的钛掺杂钽基阻挡层，钛掺杂钽基阻挡层的制造方法是在形成阻挡层过程中，将靶材料从钽更改为钽钛固熔体，其中钛占钛钽原子数比例为0.1％～2.2％，从而大幅提高阻挡层及半导体器件的性能。
用于互连掺杂阻挡及其制造方法

[发明专利]织构化晶粒粉末冶金钽溅射靶-CN200580017024.7无效
发明人： H·J·科伊尼斯曼恩;P·S·吉尔曼 -专利权人：普莱克斯技术有限公司
申请日： 2005-03-21 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： C22C27/02 文献下载
摘要：溅射靶包括具有通过密实化钽粉末形成的钽晶粒的钽本体和溅射面。所述溅射面具有用于将钽原子输送远离溅射面以对基底进行镀覆的原子输送方向。所述钽晶粒在远离溅射面的原子输送方向上具有至少为40％的(222)晶向的取向比率和小于15％的(110)晶向的取向比率，用于增强溅射均匀度，所述钽本体没有可采用电子背散射衍射法而检测到的(200)－(222
织构化晶粒粉末冶金溅射

[发明专利]一种氮化钽薄膜电阻器阻值的调整方法-CN201811568487.8有效
发明人：杨俊锋;李杰成;梁家伟;陈炜豪;赖辉信;庄彤 -专利权人：广州天极电子科技有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01C17/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化钽薄膜电阻器阻值的调整方法。所述调整方法包括：将氮化钽薄膜电阻器设于原子注入设备的工件放置区内；将原子注入设备的内部做真空处理，当真空压强达到第一真空压强阈值范围内时充入高于氩气纯度阈值的氩气，并保持原子注入设备的内部真空压强在第二真空压强阈值范围内；开启原子注入设备，氩气在电场被电离得到氩离子；在电场加速氩离子移动速率的情况下，氩离子加速撞击金属靶，得到脱离后的金属原子；在电场作用下，脱离后的金属原子持续注入到氮化钽薄膜电阻器的氮化钽薄膜上，以降低氮化钽薄膜电阻器的阻值采用本发明所提供的调整方法能够实现氮化钽薄膜电阻器阻值由大到小的调整，降低氮化钽薄膜电阻器的电阻。
一种氮化薄膜电阻器阻值调整方法

[发明专利]钽化合物及其制造方法、含钽薄膜及其形成方法-CN200680003625.7有效
发明人：关本谦一;多田贤一;高森真由美;山川哲;古川泰志;大岛宪昭 -专利权人：东曹株式会社;财团法人相模中央化学研究所
申请日： 2006-01-25 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： C07F9/00 文献下载
摘要：本发明提供新型钽化合物及其制备方法，所述钽化合物可以分别形成不含卤素的含钽薄膜和含有目标元素的含钽薄膜。此外，还提供稳定形成含目标元素的含钽薄膜的方法。本发明涉及下述通式(1)(式中，R¹表示碳原子数为2～6的直链状烷基)、或下述通式(2)(式中，R²表示碳原子数为2～6的直链状烷基)表示的钽化合物，及其制备方法此外，本发明还涉及以下述通式(6)(其中，j、k、m和n为满足j+k＝5、m+n＝5的1～4的整数，R³～R⁶为氢原子、碳原子数为1～6的烷基等)表示的钽化合物作为原料，形成含钽薄膜的方法。
化合物及其制造方法薄膜形成

[发明专利]包括作为铜互连的可缩放阻挡扩散层的钽钛合金的多层膜-CN201611153013.8在审
发明人：保罗·雷蒙德·贝塞尔;桑杰·戈皮纳特 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种包括作为铜互连的可缩放阻挡扩散层的钽钛合金的多层膜。一种用于在衬底上形成阻挡扩散层的方法包括使用原子层沉积工艺在衬底的特征中沉积钽层。该方法包括使用原子层沉积工艺在所述钽层上沉积钛层。该方法包括对衬底进行退火以形成包括钽‑钛合金的阻挡扩散层。
包括作为互连缩放阻挡扩散钛合金多层

[发明专利]一种具有碳基膜的关节头-CN201510406157.9有效
发明人：涂江平;白文琦;王秀丽;贺凤飞;李玲玲;谢跃军;金攻 -专利权人：中奥汇成科技股份有限公司
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： A61L27/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有碳基膜的关节头，包括金属关节头基体以及在金属关节头基体表面设置的碳基膜，碳基膜由自下而上依次设置的钽‑钛多层的底层、钽‑钛‑碳过渡层及钽‑碳多层的顶层组成；所述钽‑钛多层的底层为钽单层和钛单层交替的叠层；所述钽‑碳多层的顶层为钽‑碳复合单层及非晶碳单层交替的叠层；所述钽‑碳复合单层由非晶碳基体及碳化钽晶粒构成，所述钽‑碳复合单层中钽的原子百分比为20～40at％，碳的原子百分比为60～80at％，碳化钽晶粒尺寸为
一种具有碳基膜关节

[发明专利]钽氮化物膜的形成方法-CN200680001459.7有效
发明人：五户成史;丰田聪;牛川治宪;近藤智保;中村久三 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2006-03-03 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明按照CVD法在成膜室内导入含有在Ta元素的周围配位了N＝(R，R′)(R及R′表示碳原子数1－6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团)的配合物的原料气体、以及含有氧原子的气体，使其在基板上反应，形成TaO_xN_y(R，R′)_z，然后导入含有H原子的气体，形成富含钽的钽氮化物膜。由此，可提供C、N含量低、Ta/N组成比高，并且作为确保和Cu膜的密合性的阻挡膜有用的低电阻钽氮化物膜。另外，对得到的膜中通过溅射打入钽粒子，使其进一步富含钽。
氮化物形成方法

[实用新型]一种具有碳基膜的关节头-CN201520500862.0有效
发明人：涂江平;白文琦;王秀丽;贺凤飞;李玲玲;谢跃军;金攻 -专利权人：中奥汇成科技股份有限公司
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： A61L27/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有碳基膜的关节头，包括金属关节头基体以及在金属关节头基体表面设置的碳基膜，碳基膜由自下而上依次设置的钽-钛多层的底层、钽-钛-碳过渡层及钽-碳多层的顶层组成；所述钽-钛多层的底层为钽单层和钛单层交替的叠层；所述钽-碳多层的顶层为钽-碳复合单层及非晶碳单层交替的叠层；所述钽-碳复合单层由非晶碳基体及碳化钽晶粒构成，所述钽-碳复合单层中钽的原子百分比为20～40at％，碳的原子百分比为60～80at％，碳化钽晶粒尺寸为
一种具有碳基膜关节

[发明专利]电解水生成装置-CN201780058253.6在审
发明人：原知弘;雨森博彰;中野雄介 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： C25B11/08 文献下载
摘要：本发明提供一种电解水生成装置，是将含有氯离子的水电解而生成含有次氯酸的电解水的电解水生成装置，具备所述水通过的电解槽和设置在所述电解槽内的电极，所述电极具有含有氧化铱、氧化钽和氧化铑的催化剂层，所述催化剂层中，相对于所述氧化铱所含的铱的原子数、所述氧化钽所含的钽的原子数以及所述氧化铑所含的铑的原子数之和，所述铑的原子数的比例为31％以上且60％以下。
原子数电解水生成装置催化剂层电极电解槽氧化铱氧化钽氧化铑次氯酸电解水氯离子水电解

[发明专利]钽氮化物膜的形成方法-CN200680001475.6有效
发明人：五户成史;丰田聪;牛川治宪;近藤智保;中村久三 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2006-03-03 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明按照CVD法在成膜室内导入含有在Ta元素的周围配位了N＝(R，R′)(R及R′表示碳原子数1－6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团)的配合物的原料气体以及卤素气体，形成TaN_x(Hal)_y(R，R′)_z化合物膜(式中，Hal表示卤素原子)，然后导入含H原子的气体，与卤化生成物反应，形成富含钽的钽氮化物膜。由此，可提供作为C、N含量低、Ta/N组成比高，并且确保和Cu膜的密合性的阻挡膜有用的低电阻钽氮化物膜。另外，对得到的膜中通过溅射打入钽粒子，使其进一步富含钽。
氮化物形成方法

[发明专利]使用基于钽合金的溅射靶的增强晶种层的淀积-CN200610071716.6无效
发明人：阿纳尔班·达斯;迈克尔·吉恩·拉辛 -专利权人：黑罗伊斯公司
申请日： 2006-03-16 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：用于磁性记录介质的晶种层，通过含钽(Ta)和成合金元素的溅射靶在衬底上形成该晶种层。体心立方钽(Ta)相中成合金元素的室温溶解度不超过10原子百分数，且成合金元素的质磁率小于或等于1.5×10^－7m³/kg。或者，成合金元素在室温或高温下溶于钽(Ta)，成合金元素的质磁率小于或等于1.5×10^－7m³/kg，且成合金元素的原子半径小于1.47。再或者，体心立方钽(Ta)相中成合金元素的室温溶解度不超过10原子百分数，成合金元素的质磁率小于或等于1.5×10^－7m³/kg，成合金元素在高于室温的温度下溶于钽(Ta)，且成合金元素的原子半径小于1.47。
使用基于合金溅射增强晶种层

[实用新型]钽溅射环-CN201020523965.6有效
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;周友平 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种钽溅射环，应用于8英寸硅片的生产过程，该钽溅射环上具有花纹，所述花纹的大小大于80TPI，且深度大于100μm。本实用新型实施例提供的钽溅射环，通过增大钽溅射环上的花纹大小，并加深花纹深度，解决了现有技术中因钽溅射环的花纹过于细小，且深度浅而导致的对大角度的靶材原子吸附能力差从而导致使用寿命短的问题，本实用新型实施例中的钽溅射环的花纹能够吸附的更多的靶材原子，进而增加了钽溅射环的使用次数，延长了使用寿命。
溅射

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