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[发明专利]砷化镓晶圆用除氧托盘-CN201611116809.6有效
发明人：王干;赵玉华 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓晶圆用除氧托盘。该砷化镓晶圆用除氧托盘包括底座和定位组件；底座开设有贯通底座且用于安装砷化镓晶圆的安装孔，安装孔的侧壁上设有限位凸起；定位组件能够与底座固定连接，且定位组件与限位凸起能够分别与砷化镓晶圆的相对的两个表面的边缘相抵接而夹持固定砷化镓晶圆上述砷化镓晶圆用除氧托盘能够简化砷化镓晶圆的除氧工艺的操作、提高除氧效率且能够较为稳固地固定砷化镓晶圆。
砷化镓晶圆用托盘

[发明专利]砷化镓晶圆的划切方法-CN202310075103.3在审
发明人：张兴华 -专利权人：深圳西斯特科技有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本申请提出一种砷化镓晶圆的划切方法，包括：将砷化镓晶圆的背面贴上胶膜；标记贴有胶膜的砷化镓晶圆的晶体方向，并基于砷化镓晶圆的晶体方向确定CH1方向和CH2方向，砷化镓晶圆的晶向为CH1方向和CH2方向的直角平分线；将贴有胶膜的砷化镓晶圆固定在划片机的工作盘上；使划片机上的划片刀以第一划切参数对砷化镓晶圆进行CH1方向的划切，划片刀的划切深度与砷化镓晶圆的厚度相等；使划片机上的划片刀以第二划切参数对砷化镓晶圆进行CH2方向的划切，其中划片刀的划切深度大于砷化镓晶圆的厚度，且小于砷化镓晶圆和胶膜的厚度之和；获取划切后的砷化镓晶圆。上述的划切方法能够在保证砷化镓晶圆正面、背面、侧面划切质量的前提下，提高划切效率。
砷化镓晶圆方法

[发明专利]一种砷化镓晶片切割方法-CN201910225988.4在审
发明人：程进;陈龙 -专利权人：苏州芯海半导体科技有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓晶片切割方法，包括以下步骤：步骤一：先使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度对砷化镓晶圆片进行第一次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（25～35）%；步骤二：再使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度继续对第一次切割后的砷化镓晶圆片进行第二次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（25～35）%；步骤三：最后使晶片切割机的刀片以（5～10）毫米/秒的进给速度继续对第二次切割后的砷化镓晶圆片进行第三次切割，直至刀片切透砷化镓晶圆片形成砷化镓晶片。本发明具有可靠性高且能提高砷化镓晶片成品率的优点。
切割晶圆片砷化镓砷化镓晶片刀片晶片切割机进给成品率

[发明专利]解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓刷胶方法-CN201810644895.0有效
发明人：吴现伟;龙华;陈晓哲;宣凯;郭嘉帅 -专利权人：上海飞骧电子科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓刷胶方法。所述方法包括如下步骤：砷化镓晶圆在完成线路等级制作后，以675um厚度储存于高洁净度晶圆库通有氮气的箱柜内，按照排程放料作业；砷化镓晶圆背面磨片减薄；中测，进行功能测试、交流参数和直流参数测试，根据测试结果筛选合格的砷化镓晶圆；砷化镓晶圆背面刷胶；烤箱烘烤使所刷胶质体预固化；晶圆切割划片，切割后将形成一颗颗孤立的芯片贴合在金属环内基膜表面；包装已切割晶圆，运送至封装厂；贴装芯片到框架贴片区；烤箱固化使所刷胶质体固化为玻璃态；本发明避免了砷化镓晶圆反复运输过程碎片或裂片风险；降低了运输成本，提高了作业良率及时效性。
解决封装问题无源器件砷化镓刷胶方法

[发明专利]一种砷化镓晶圆的光刻工艺-CN201711215505.X在审
发明人：宋健 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓晶圆的光刻工艺，于待蚀刻砷化镓晶圆表面先沉积一层氮化硅层，再于氮化硅层上形成正光阻层，对正光阻层曝光、显影形成蚀刻窗口之后，对蚀刻窗口之内的氮化硅进行干法蚀刻至裸露砷化镓表面，然后对蚀刻窗口之内的砷化镓进行湿法蚀刻本发明在砷化镓晶圆表面先镀上一层氮化硅后再涂布正光阻，氮化硅与砷化镓和正光阻均具有较好的结合力，以氮化硅作为粘结层提高了光阻和砷化镓表面之间的粘附力，从而避免了因粘附力不够出现的侧蚀不良等问题，提高了产品的良率
砷化镓氮化硅蚀刻氮化硅层干法蚀刻光刻工艺晶圆表面正光阻光阻晶圆粘附湿法蚀刻正光阻层光阻层结合力粘结层侧蚀对正良率显影沉积去除剥离裸露曝光

[发明专利]解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜方法及芯片-CN201810644904.6在审
发明人：吴现伟;龙华;陈晓哲;宣凯;郭嘉帅 -专利权人：上海飞骧电子科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜方法及芯片。所述方法包括如下步骤：砷化镓晶圆在完成线路等级制作后，以675um厚度储存于高洁净度晶圆库通有氮气的箱柜内，按照排程放料作业；晶圆背面磨片减薄；中测，进行功能测试、交流参数和直流参数测试，根据测试结果筛选合格的砷化镓晶圆；晶圆背面贴DAF膜；紫外光照射固化DAF膜；晶圆切割划片，切割后将形成一颗颗孤立的芯片和DAF膜贴合在金属环内基膜表面；包装已切割晶圆运送至封装厂；贴装芯片到框架贴片区；烤箱固化使DAF膜固化为玻璃态本发明避免了砷化镓晶圆反复运输过程碎片或裂片风险；降低了运输成本，提高了作业良率及时效性。
砷化镓晶圆封装芯片晶圆背面无源器件溢胶问题贴膜固化切割直流参数测试氮气紫外光照射烤箱高洁净度功能测试后续流程交流参数晶圆切割运输成本运输过程玻璃态金属环膜表面时效性贴片区放料划片减薄良率裂片磨片内基排程贴合贴装箱柜储存筛选运送孤立制作

[发明专利]砷化镓晶圆的激光打标方法及系统-CN202310920720.9在审
发明人：李磊;齐馨怡;陈思;张昊 -专利权人：武汉华工激光工程有限责任公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B23K26/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓晶圆的激光打标方法及系统，方法包括：S1，在待处理的砷化镓晶圆表面覆膜，所覆膜材是可透过所选用激光波长的透明膜材；S2，采用激光对覆膜后的晶圆进行打标，所采用的激光器为超短脉冲激光器；S3，激光打标完成后，去除晶圆表面的膜材，得到目标产品。本发明中，在砷化镓晶圆表面覆膜并进行透膜打标，覆膜可增加晶圆的刚性、防止翘曲，尤其可以防止激光标记过程中产生粉尘污染晶圆产品；采用超短脉冲激光器进行标记，在材料表面形成微结构，得到的标记效果清晰可见，点直径、深度均匀，圆度好；采用超短脉冲激光器进行标记，效率高、稳定性好，能有效地提高砷化镓晶圆打标质量。
砷化镓晶圆激光方法系统

[发明专利]镓铝砷外延材料表面金属层返工的方法-CN202010003790.4在审
发明人：罗宇杰;吴质朴;何畏 -专利权人：深圳市奥伦德元器件有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种镓铝砷外延材料表面金属层返工的方法，包括：对包含碘化铵和碘的混合溶液进行降温处理；将待返工的镓铝砷晶圆浸泡至混合溶液中，若达到预设的第一浸泡时间，取出镓铝砷晶圆并采用去离子水进行一次清洗；对硫酸溶液进行加热处理；将经过一次清洗后的镓铝砷晶圆浸泡至硫酸溶液中，若达到预设的第二浸泡时间，取出镓铝砷晶圆并采用去离子水进行二次清洗；若经过二次清洗后的镓铝砷晶圆表面检查无缺陷，对镓铝砷晶圆进行三次清洗和蒸镀金属层本发明能够保证质量的同时有效地去除鎵铝砷材料表面的金属层，而且还能够达到晶圆表面抛光的效果。
镓铝砷外延材料表面金属返工方法

[发明专利]低温下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺-CN201110419770.6有效
发明人：王双福;罗乐;徐高卫;韩梅 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温条件下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺，其特征在于①首先进行载片与图像传感器器件晶圆之间的键合，以保护芯片晶圆有源面并为器件晶圆减薄提供支撑；②然后通过研磨方法使器件晶圆减薄至一定厚度；③再通过砷化镓湿法腐蚀方法形成器件晶圆背面到焊盘的通路；④旋涂光敏有机树脂，填充步骤③形成的通路并均匀覆盖在器件晶圆背面；⑤接着对光敏有机树脂进行光刻形成垂直互连通孔；⑥进行金属化并制作焊盘、RDL、本发明在于在不使用高温工艺和高能量等离子体工艺条件下，解决了砷化镓的绝缘和通孔金属化难题。
低温下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺

[发明专利]一种光电器件及其制备工艺-CN202310572708.3在审
发明人：张岚;黄文勇;唐豪;许明;谈杰 -专利权人：平湖科谱激光科技有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种光电器件及其制备工艺；首先在砷化镓衬底的第一表面上形成光电器件，其次利用碱性溶液处理砷化镓衬底的第二表面，以去除第二表面上的自然氧化层，最后利用蒸镀工艺在第二表面上依次形成包括金属粘接层和金属导电层的金属接触层，金属粘接层的材料为镍或铂，金属粘接层和砷化镓衬底分层设置；本申请通过利用碱性溶液去除砷化镓衬底表面的自然氧化层，并抑制水分子在砷化镓衬底的表面吸附，并采用IPA干燥使得衬底表面无水分子和杂质碳吸附，在常温下利用蒸镀工艺在砷化镓衬底的表面形成金属接触层，以使金属接触层与砷化镓衬底直接实现欧姆电接触，使得晶圆无需经高温退火工艺实现欧姆电接触，提高了晶圆制备的良率。
一种光电器件及其制备工艺

[发明专利]一种砷化镓晶圆水平法切割装置-CN202111657798.3在审
发明人：袁永 -专利权人：苏州诺富微电子有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B24B5/04 文献下载
摘要：本发明公开了砷化镓生产加工技术领域的一种砷化镓晶圆水平法切割装置，包括工作台与驱动电机，所述工作台表面开设有放置砷化镓晶柱的凹槽，所述凹槽的底部为弧形，所述凹槽的底部滑动连接有驱动推杆；本发明在工作前，通过砷化镓晶柱厚度的不同来间接调节打磨辊右端的位置，从而来调节打磨辊所能打磨的最大圆直径，有利于根据砷化镓晶柱厚度的不同来确定打磨的最大圆柱的晶柱，从而减少多余的打磨，避免浪费；连接球与其上的十字环形槽可以满足打磨辊与转动齿轮转动轴之间的角度调节
一种砷化镓晶圆水平切割装置

[发明专利]变形异质接面双极性晶体管-CN00124312.8无效
发明人：赵鹏盛;吴展兴;林燕津 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2000-09-04 - 公布日： 2001-05-23 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种变形异质接面双极性晶体管,特别是有关于一种具有适用于低成本生产于大尺寸砷化镓晶圆的材料结构的变形异质接面双极性晶体管。本发明材料结构包括有一半绝缘的伸化镓基板;一未掺杂的砷锑化铝镓或砷化铝铟镓或其他形式的变形缓冲层;一高掺杂的n－型砷化铟镓层;一低掺杂的n－型砷化铟镓或磷化铟或砷化铟铝层;一高掺杂的p－型砷化铟镓层;一n－型砷化铟铝或渐变的砷化铝铟镓或磷化铟层;以及一高掺杂的n－型砷化铟镓层。
变形异质接面双极性晶体管

[实用新型]一种砷化镓晶圆水平法切割装置-CN202123441390.0有效
发明人：袁永 -专利权人：苏州诺富微电子有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B24B5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了砷化镓生产加工技术领域的一种砷化镓晶圆水平法切割装置，包括工作台与驱动电机，所述工作台表面开设有放置砷化镓晶柱的凹槽，所述凹槽的底部为弧形，所述凹槽的底部滑动连接有驱动推杆；本实用新型在工作前，通过砷化镓晶柱厚度的不同来间接调节打磨辊右端的位置，从而来调节打磨辊所能打磨的最大圆直径，有利于根据砷化镓晶柱厚度的不同来确定打磨的最大圆柱的晶柱，从而减少多余的打磨，避免浪费；连接球与其上的十字环形槽可以满足打磨辊与转动齿轮转动轴之间的角度调节
一种砷化镓晶圆水平切割装置

[发明专利]一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法-CN201210491141.9在审
发明人：王盛凯;刘洪刚;孙兵;赵威 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法，该硅基绝缘体上砷化镓衬底结构包括：硅衬底；形成于该硅衬底之上的结晶氧化铍层；以及形成于该结晶氧化铍层之上的结晶砷化镓层。本发明提供的硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法，通过在硅衬底表面沉积结晶氧化铍层，再在结晶氧化铍层表面上沉积单晶砷化镓层，从而实现了方便地在绝缘体上制备极薄砷化镓层，具有可大面积生长、散热性能好、衬底绝缘性能好、以及制备成本低廉等优点，可以方便在大尺寸晶圆上制备全耗尽砷化镓基器件。
一种绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法

[实用新型]一种用于晶圆减薄后卸片的装置-CN201721617022.8有效
发明人：苗宏周 -专利权人：西安立芯光电科技有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提出一种用于晶圆减薄后卸片的装置，不仅杜绝了晶圆N面划痕、卸片粘片现象，降低了晶圆碎片、裂片风险，同时也缩短了卸片时间，提高了卸片综合效率。晶圆的P面通过热剥离膜粘合在玻璃基板，晶圆的N面朝上，该装置包括冷板和非接触加热源，玻璃基板置于冷板上，所述非接触加热源位于晶圆以及玻璃基板的上方、面向晶圆N面。通过非接触远红外加热方式加热晶圆N面，砷化镓晶圆本身不吸收红外光，为全透射。热剥离膜升温速度快，加热均匀，反应充分，完全杜绝晶圆N面划痕及粘片现象，能够显著提高晶圆良率、晶圆卸片效率和砷化镓半导体芯片使用寿命。
晶圆卸片玻璃基板非接触热剥离膜加热源砷化镓划痕减薄冷板粘片红外光半导体芯片本实用新型远红外加热加热均匀晶圆碎片使用寿命综合效率全透射粘合朝上加热良率裂片吸收

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