专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2625605个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210825455.1在审
  • 吴尚霖 - 友达光电股份有限公司
  • 2022-07-13 - 2022-09-23 - H01L27/12
  • 半导体装置包括基板、第一氮化、第二氮化、氧化物绝缘以及第一金属氧化物。第一氮化层位于基板之上。第二氮化层位于第一氮化之上。第一氮化与第二氮化都包含氢元素。第二氮化的氢浓度低于第一氮化的氢浓度。第二氮化的厚度小于第一氮化的厚度。氧化物绝缘层位于第二氮化上。第一金属氧化物层位于氧化物绝缘上。第二氮化层位于第一金属氧化物与基板之间。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]一种多孔氮化陶瓷的连接方法-CN201910908744.6有效
  • 叶枫;金义程;叶健;张标;刘强;高晔 - 哈尔滨工业大学
  • 2019-09-25 - 2021-07-13 - C04B37/00
  • 本发明涉及氮化陶瓷烧结领域,更具体的说是一种多孔氮化陶瓷的连接方法,包括多孔氮化基体Ⅰ、连接和多孔氮化基体Ⅱ,所述连接通过烧结将多孔氮化基体Ⅰ和多孔氮化基体Ⅱ相互连接,连接生长依附于两侧的多孔氮化基体Ⅰ和多孔氮化基体Ⅱ,生长后的连接相互穿插桥接两侧的多孔氮化基体Ⅰ和多孔氮化基体Ⅱ;可以实现多孔氮化陶瓷间的烧结连接,连接氮化晶粒依附于两侧待连接的多孔氮化基体Ⅰ和多孔氮化基体Ⅱ生长,而非基于连接单独生长,因此连接在烧结过程中未产生明显的收缩,有效解决了连接因烧结收缩过大而开裂的问题。
  • 一种多孔氮化陶瓷连接方法
  • [发明专利]SONOS器件以及SONOS器件制造方法-CN201610985482.X在审
  • 丁航晨;张强;黄冠群 - 上海华力微电子有限公司
  • 2016-11-09 - 2017-02-22 - H01L29/792
  • 根据本发明的SONOS器件包括:硅衬底层、布置在硅衬底层上的隧穿氧化、布置在隧穿氧化上的第一氮化富硅、布置在第一氮化富硅上的氮化富氮、布置在氮化富氮上的第二氮化富硅、布置在第二氮化富硅上的阻挡氧化、以及布置在阻挡氧化上的多晶硅;其中,第一氮化富硅和第二氮化富硅的硅含量高于氮化富氮的硅含量;而且第一氮化富硅和第二氮化富硅的氮含量低于氮化富氮的氮含量。
  • sonos器件以及制造方法
  • [发明专利]一种形成双应力氮化薄膜的方法-CN201210158843.5有效
  • 徐强 - 上海华力微电子有限公司
  • 2012-05-22 - 2012-10-03 - H01L21/318
  • 本发明公开了一种形成双应力氮化薄膜的方法,其中,包括下列步骤:提供一种具有NMOS晶体管和PMOS晶体管的半导体衬底;在所述半导体衬底上沉积一第一氮化;在所述第一氮化的表面沉积一第二氮化,所述第二氮化为掺杂有杂质元素的氮化,所述第一氮化和所述第二氮化组成高拉应力的氮化薄膜;蚀刻所述PMOS晶体管表面,去除所述PMOS管表面的第一氮化和第二氮化;对所述半导体衬底进行快速热退火工艺;对所述NMOS晶体管进行刻蚀,去除NMOS晶体管表面的第一氮化和第二氮化。本发明的目的是提供一种形成双应力氮化薄膜的方法。该方法,优化了工艺,减小成本,同时能够改善器件性能。
  • 一种形成应力氮化薄膜方法
  • [发明专利]SONOS结构制造方法以及SONOS结构-CN201210009215.0有效
  • 田志;谢欣云 - 上海华力微电子有限公司
  • 2012-01-12 - 2012-10-03 - H01L21/283
  • 根据本发明的SONOS结构制造方法包括:在衬底上制备隧穿氧化;在隧穿氧化上制备富硅的氮化,富硅的氮化的Si/N比是恒定的;在富硅的氮化上制备硅含量渐变的氮化;以及在硅含量渐变的氮化上制备阻挡氧化;其中,硅含量渐变的氮化在从所述富硅的氮化到所述阻挡氧化的方向上硅含量渐少。通过改进SONOS结构中的氮化结构,形成一富硅的氮化和渐变氮化;由于富硅的氮化中有更多的浅陷阱能级,有利于捕获电荷,增加编译和擦除的速度。并且,这些电荷被限制在Si/N渐变的氮化中富氮的氮化中较深的陷阱能级能够增加电荷的保留时间,使器件的可靠性增加。
  • sonos结构制造方法以及
  • [发明专利]形成器件隔离区的方法-CN200710126588.5有效
  • 蒋莉;邹陆军;李绍彬;吴佳特 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2007-06-22 - 2008-04-02 - H01L21/762
  • 一种形成器件隔离区的方法,首先在硅衬底上依次形成垫氧化和第一氮化;蚀刻垫氧化、第一氮化及硅衬底,形成沟槽;在第一氮化上形成绝缘氧化,并将绝缘氧化填充满沟槽;在绝缘氧化上形成第二氮化;研磨第二氮化及绝缘氧化至第一氮化;去除第一氮化和垫氧化硅,形成浅沟槽隔离结构。经过上述步骤后,由于在氧化硅上沉积了一氮化,在对氧化硅氮化进行研磨时,对氮化的研磨速度比对氧化硅的研磨速度慢,因此在研磨结束后,浅沟槽内氧化硅凹陷情况得以改善。
  • 形成器件隔离方法
  • [发明专利]双位氮化只读存储器制造方法及双位氮化只读存储器-CN201210009093.5有效
  • 田志;谢欣云 - 上海华力微电子有限公司
  • 2012-01-12 - 2012-10-03 - H01L21/28
  • 本发明提供了一种双位氮化只读存储器制造方法及双位氮化只读存储器。根据本发明的双位氮化只读存储器制造方法包括:在硅片上形成底层氧化硅;在底层氧化硅上形成氮化;在氮化上形成阻挡氧化硅;在阻挡氧化硅上形成控制栅;其中,氮化包括富硅氮化、以及位于富硅氮化两侧的分别靠近源极和漏极的两个渐变氮化,并且其中,在两个渐变氮化中,在从底部氧化到阻挡氧化的方向上,硅含量逐渐减少,而氮含量逐渐增大。根据本发明,通过改进氮化只读存储器中氮化的结构,阻挡电荷的横向移动,使过擦出现象减小甚至消除,同时防止了阈值电压的漂移,增强了器件的可靠性。
  • 氮化只读存储器制造方法
  • [发明专利]一种浮栅型分栅闪存工艺方法-CN202111570227.6在审
  • 许昭昭 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2021-12-21 - 2022-03-29 - H01L27/11521
  • 本发明提供一种浮栅型分栅闪存工艺方法,在P型衬底上生长浮栅氧化、第一氮化;形成P型阱,去除第一氮化,在浮栅多晶硅上形成氧化硅、第二氮化、牺牲氧化硅及第三氮化;去除第三氮化;淀积第四氮化,形成侧墙;去除第四氮化;去除侧墙和牺牲氧化硅及第二氮化、氧化硅、浮栅多晶硅及浮栅氧化;去除牺牲氧化硅上的第四氮化,去除被暴露的牺牲氧化硅;沉积选择栅介质,形成选择栅多晶硅并掺杂;在选择栅多晶硅顶部形成保护氧化;去除第三、第四氮化;刻蚀牺牲氧化硅、第二氮化、氧化硅、浮栅多晶硅,形成LDD区;形成第一、第二侧墙介质;形成源漏重掺杂区。
  • 一种浮栅型分栅闪存工艺方法
  • [发明专利]具有降低的界面应变的氮化-CN202180065423.X在审
  • 梁勇;安·梅里尼丘克 - 普赛昆腾公司
  • 2021-07-27 - 2023-05-30 - H01L21/02
  • 在一些实施例中,一种方法包括在半导体晶片的顶面上沉积第一氮化,并在第一氮化中形成一个或更多个第一间隙。一个或更多个第一间隙可以减轻在第一氮化中形成的应力。在第一氮化上沉积第一填充材料,并将第一氮化平坦化。在第一氮化上沉积第二氮化,并且在第二氮化中形成一个或更多个第二间隙。一个或更多个第二间隙可以减轻在第二氮化中形成的应力。在第二氮化上沉积第二填充材料,并将第二氮化平坦化。
  • 具有降低界面应变氮化
  • [发明专利]浅沟槽隔离结构的制作方法-CN201010573417.9无效
  • 禹国宾 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2010-12-03 - 2012-06-06 - H01L21/762
  • 本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底表面形成垫氧化;采用炉管氮化工艺在所述垫氧化表面形成第一垫氮化;采用化学气相沉积工艺在所述第一垫氮化表面形成补偿氮化;刻蚀所述补偿氮化、第一垫氮化、垫氧化以及半导体衬底形成沟槽;填充所述沟槽,在上述半导体结构表面形成绝缘介质;研磨所述绝缘介质,直至露出所述补偿氮化;去除所述补偿氮化以及第一垫氮化本发明通过采用炉管氮化以及化学气相沉积两步工艺形成垫氮化,改善了垫氮化厚度的均匀性。
  • 沟槽隔离结构制作方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top