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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]脉冲激光沉积方法-CN200680005813.3无效
发明人：亚里·鲁图 -专利权人：平塔维申公司
申请日： 2006-02-23 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种用来对便携式电子装置的塑料外壳和/或透镜进行涂覆的方法，其中，通过激光烧蚀对塑料外壳和/或透镜进行涂覆，其中塑料外壳和/或透镜在从移动靶烧蚀出的材料等离子体扇中移动，以便得到具有尽可能均匀的质量的涂层
脉冲激光沉积方法

[发明专利]一种单质微－纳半导体方块及其制备方法和应用-CN200610123617.8无效
发明人：杨国伟;刘璞;崔浩 -专利权人：中山大学
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在液相环境中利用脉冲激光烧蚀沉积技术制备单质微－纳半导体方块及其制备方法。该方法如下：将靶材置于液相物质中，使脉冲激光光束透过聚焦透镜后聚焦在靶材的上表面，在靶材的上表面产生等离子体羽；待脉冲激光烧蚀沉积反应进行10～30分钟后，停止脉冲激光照射靶材，将反应产物取出干燥分离，
一种单质半导体方块及其制备方法应用

[发明专利]激光沉积法制备氧化铝负载Pt催化剂的方法-CN200810060328.7无效
发明人：严新焕;许兴中;江玲超 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2008-04-16 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： B01J23/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光沉积法制备氧化铝负载Pt催化剂的方法，将金属Pt悬挂固定于激光沉积池的中部，将氧化铝载体放在激光沉积池内并置于比金属Pt更接近底部的位置，并加热氧化铝载体至25～600℃，搅拌使载体处于运动状态，在真空条件和惰性气体的保护下，将脉冲激光聚焦于金属Pt表面，激发Pt原子成原子束，定向均匀沉积在氧化铝载体表面，获得氧化铝负载Pt催化剂。本发明采用脉冲激光沉积法，制备过程中无化学反应(物理过程)，只需一步就可以完成，不产生任何污染物，具有绿色化特点。
激光沉积法制氧化铝负载 pt 催化剂方法

[发明专利]一种激光增材装置及其增材制造的方法-CN201811140619.7有效
发明人：任旭东;童照鹏;周王凡;陈兰;焦加飞 -专利权人：江苏大学
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光增材的装置，包括旋转光束激光系统、高频短脉冲激光系统和辅助电流系统；所述旋转光束激光系统输出旋转的连续激光，所述连续激光用于将材丝熔化沉积在基材表面；所述高频短脉冲激光系统输出高频短脉冲激光，所述高频短脉冲激光用于向熔池中输入脉冲激光束；所述辅助电流系统用于使材丝与熔池构成电流回路，用于使熔池内部直接产生强电磁力。所述旋转光束激光系统包括连续激光发生器、第一高精度机械手臂和连续激光器激光头；所述高频短脉冲激光系统包括高频短脉冲激光发生器、高频短脉冲激光头和第二高精度机械手臂。
一种激光装置及其制造方法

[发明专利]用于预测多元拼合靶材制备的薄膜成分的预测方法-CN201410708998.0在审
发明人：章嵩;贺志强;涂溶;张联盟;王传彬;沈强 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明属于脉冲激光沉积薄膜领域，具体涉及用于预测多元拼合靶材制备的薄膜成分的预测方法，具体包括如下步骤：根据薄膜脉冲激光沉积物化模型，推导薄膜产物各成分的摩尔比x1随激光能量、基板和靶材的距离以及多元拼合靶材中各单元靶材的圆心角之比x2的理论公式；固定基板和靶材的距离，简化上述理论公式，得到以激光能量和x2为变量的工程公式；根据工程公式方程，在确定激光能量和x2情况下，预测薄膜产物的成分。本发明方法可以用于特定沉积参数下薄膜成分的预测或生产特定成分薄膜时沉积参数的选择。
用于预测多元拼合制备薄膜成分方法

[发明专利]超短脉冲激光加工辅助CVI制备陶瓷基复合材料的方法-CN201510846880.9在审
发明人：王晶;刘永胜;张青;成来飞;张立同 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种超短脉冲激光加工辅助CVI制备陶瓷基复合材料的方法，步骤如下：将预制体在石墨炉中进行界面层沉积；通过化学气相渗透法对预制体进行致密化处理，预制体的相对密度达到30％～70％后取出；利用超短脉冲激光对复合材料进行超精细微孔加工，从而疏通气态先驱体的传输通道；循环沉积，获得高致密度陶瓷基复合材料。优点：(1)改善沉积过程中预制体孔隙结构，解决沉积的瓶颈效应，提高复合材料均匀性和致密度；(2)提高复合材料的强度；(3)缩短沉积时间。
超短脉冲激光加工辅助 cvi 制备陶瓷复合材料方法

[发明专利]一种柔性全无机QLED器件及其制备方法-CN201611235119.2有效
发明人：李乐;向超宇;张滔;辛征航;张东华 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开一种柔性全无机QLED器件及其制备方法，所述制备方法包括步骤：在清洗后的云母片柔性衬底上沉积底电极；采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层；在所述空穴传输层上沉积量子点发光层；在所述量子点发光层上沉积电子传输层；在所述电子传输层上沉积顶电极。本发明通过在耐高温的云母片柔性衬底上，采用激光脉冲沉积方法，获得拥有结晶性高、晶体缺陷少、界面粗糙度小的高质量的空穴传输层的全无机QLED器件；高质量的空穴传输层可有效提高空穴传输层的载流子传输效率，从而提高
空穴传输层沉积制备电子传输层底电极发光层量子点云母片衬底脉冲激光沉积法载流子传输效率激光脉冲沉积界面粗糙度发光效率晶体缺陷顶电极结晶性耐高温清洗

[发明专利]利用脉冲激光沉积技术调控晶格应力制备固体氧化物燃料电池的方法-CN201810836269.1有效
发明人：陈燕;李菲;陈惠君;张亚鹏;刘江;刘美林 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：本发明公开了利用脉冲激光沉积技术调控晶格应力制备固体氧化物燃料电池的方法；该方法先制备NNO靶材，然后将NNO靶材固定于脉冲激光沉积仪真空腔室的靶材托；将单晶衬底YSZ固定在PLD样品托上，在真空条件下升温至590‐610℃；通入纯氧，0.8‐1.2Pa氧压中稳定0.4‐0.6h；溅射PLD靶材NNO氧化物，金属蒸汽沿激光法线方向依次沉积在单晶衬底YSZ上，调节激光脉冲数控制NNO氧化物薄膜厚度为9‐50nm
利用脉冲激光沉积技术调控晶格应力制备固体氧化物燃料电池方法

[发明专利]高重频脉冲光纤激光器-CN201510419424.6有效
发明人：罗爱平;戚有丽;罗智超;黄宇奇;崔虎;徐文成 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本发明公开了一种高重频脉冲光纤激光器用模块、制备方法及基于该模块的脉冲激光器，将二维光子功能材料沉积到微纳光纤的表面制备成光纤光子器件，选择适当的滤波器与该光纤光子器件熔接成高重频脉冲光纤激光器用模块；同时提供了将该模块应用于光纤激光器中，实现了百GHz级别重复率的高重频脉冲激光输出；本发明提供的全光纤结构的脉冲激光器方案，具有结构简单，激光输出稳定，低泵浦功率，低价格成本的特点。
高重频脉冲光纤激光器

[发明专利]氮化镓生长方法-CN200810224104.5无效
发明人：段瑞飞;魏同波;王国宏;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-10-15 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种氮化镓生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上采用磁控溅射、脉冲激光沉积或MOCVD的方法，生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上采用MOCVD、HVPE或者脉冲激光沉积、磁控溅射的方法
氮化生长方法

[发明专利]一种用于镍铁基合金表面的抗氧化涂层-CN202310018107.8在审
发明人：李力敏;袁勇;张鹏;周永莉;黄锦阳;刘鹏;党莹樱;严靖博;鲁金涛;杨珍;尹宏飞;李沛;陈碧强 -专利权人：华能国际电力股份有限公司;西安热工研究院有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于镍铁基合金表面的抗氧化涂层，通过如下方法制备，以镍铁基合金为基底，运用脉冲激光沉积法在基底表面沉积锆酸镧抗氧化涂层；所述脉冲激光沉积过程中，基底温度为550‑800℃，激光能量为200‑400J，脉冲频率为2‑6Hz，锆酸镧靶材与基底的间距为4‑5cm，采用体积比为4‑6:1的氧气与惰性气体的混合气氛为保护气氛。
一种用于镍铁基合金表面氧化涂层

[发明专利]一种负热膨胀材料Sc2Mo3O12薄膜的制备方法-CN201510631552.7有效
发明人：张志萍;刘红飞;杨露;潘坤旻;曾祥华;陈小兵 -专利权人：扬州大学
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：属于无机功能薄膜材料制备技术领域，具体方法是采用脉冲激光法制备负热膨胀Sc2Mo3O12薄膜。本发明的优点在于利用脉冲激光沉积法制备Sc2Mo3O12薄膜，该Sc2Mo3O12薄膜负热膨胀响应温度范围宽，性能稳定，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单。脉冲激光沉积法沉积的Sc2Mo3O12薄膜和靶材的化学成分保持良好的一致性，同时逸出粒子具有较大的能量有利于薄膜生长，制备薄膜质量高，制备过程具有良好的可重复性。
一种热膨胀材料 sc sub mo 12 薄膜制备方法

[发明专利]一种制造黑硅材料的方法-CN201410474697.6无效
发明人：李世彬;王健波;杨光金;黄俊龙;吴志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造黑硅材料的方法，包括：制备硅衬底材料；在氮气和六氟化硫的混合气氛中用激光脉冲照射硅衬底材料；在经过了激光脉冲照射之后的硅衬底材料表面沉积钝化层；对沉积了钝化层的硅衬底材料进行高温退火处理本发明的实施例的方法中，在制造黑硅材料时，在氮气和六氟化硫的混合气氛下用激光脉冲进行照射，然后经过表面沉积钝化层等过程形成黑硅材料，这样形成的黑硅材料在250nm至2500nm整个波段都有高于93%的吸收
一种制造材料方法

[发明专利]用于检测Hg²⁺的薄膜光寻址电位传感器及其制备方法-CN200310109501.5无效
发明人：王平;门洪;李毅;许祝安 -专利权人：浙江大学
申请日： 2003-12-14 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： G01N27/333 文献下载
摘要：该传感器是基于光寻址电位传感器(LAPS)，通过激光脉冲沉积(PLD)技术在其表面上制备敏感薄膜。首先合成了敏感材料，作为脉冲激光沉积的靶材，其次在LAPS上通过磁控溅射技术制备了固定化的金属层，然后通过激光脉冲沉积技术和设备在此基础上进行薄膜的制备。
用于检测 hg sup 薄膜寻址电位传感器及其制备方法

[发明专利]用于检测Fe³⁺的薄膜光寻址电位传感器及其制备方法-CN200310109483.0无效
发明人：王平;门洪;李毅;许祝安 -专利权人：浙江大学
申请日： 2003-12-14 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： G01N27/333 文献下载
摘要：该传感器是基于光寻址电位传感器(LAPS)，通过激光脉冲沉积(PLD)技术在其表面上制备敏感薄膜。首先合成了敏感材料，作为脉冲激光沉积的靶材。其次在LAPS上通过磁控溅射技术制备了固定化的金属层，然后通过激光脉冲沉积技术和设备在此基础上进行薄膜的制备。该薄膜传感器对溶液中的Fe³⁺敏感，能够检测出其含量。
用于检测 fe sup 薄膜寻址电位传感器及其制备方法

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