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[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜、制备方法及应用-CN202111621293.1在审
发明人：贾婷婷;戴文斌;蔡亚丽;于淑会;孙蓉 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：氧化铪基铁电薄膜的制备方法为：衬底预处理：采用有机溶剂对衬底进行清洗；底电极的沉积：采用物理气相沉积方式在衬底上沉积底电极；HZO薄膜沉积：采用脉冲激光沉积方式在底电极上沉积HZO薄膜；覆盖层沉积：采用脉冲激光沉积方式在HZO薄膜上沉积覆盖层；退火：在400‑800℃高温中通入20‑80mTorr氧气，保持3‑30min后使薄膜样品冷却至室温；顶电极沉积：采用物理气相沉积方式在覆盖层上沉积顶电极，形成氧化铪基铁电薄膜。
一种氧化铪基铁电薄膜制备方法应用

[发明专利]一种使用脉冲激光沉积技术快速生长大量M相二氧化钒纳米线的方法-CN201510178232.0在审
发明人：刘向力;王成迁 -专利权人：哈尔滨工业大学深圳研究生院
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种使用脉冲激光沉积技术快速生长大量M相二氧化钒纳米线的方法，包括：选择VO2靶材，纯度为99.5％至99.99％，放置于可抽真空腔体中；控制腔体本底真空度、氧压大小、沉积温度、退火温度、退火时间、激光功率、激光频率、激光脉冲数和基底。本发明采用脉冲激光沉积技术，以二氧化钒靶材为溅射材料，原料简单，溅射在O2氛围中进行，不论是反应的原料还是反应过程都无毒害，环境友好。
一种使用脉冲激光沉积技术快速生长大量氧化纳米方法

[发明专利]一种制备组合薄膜材料库的装置与方法-CN201410262411.8有效
发明人：汪浩;孙丽娜 -专利权人：东北大学
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明装置由组合脉冲激光镀膜机、激光器、计算机、复合分子泵和双级旋片泵组成；所述的组合脉冲激光镀膜机由RHEED电子枪、预抽管路、步进电机、靶材选择回转机构、RHEED荧光屏与CCD图像传感器、激光窗、基片架、掩膜架、伺服电机和真空室组成，通过靶材选择回转机构控制靶材切换，本发明方法是根据带沉积薄膜要求设计出相应结构的掩膜，通过组合脉冲激光镀膜机精确可控沉积多元组分薄膜库。本发明的设备操作简便，结构模块化，方便维修，填补了目前高度可控化沉积薄膜材料库设备的空缺，为薄膜材料库的制备提供了一种新型可行方法，具有广阔的应用前景。
一种制备组合薄膜材料装置方法

[发明专利]脉冲激光沉积系统及其薄膜制备方法-CN201811172619.5在审
发明人：胡凯;代瑞娜;张晓军;陈志强;方安安;姜鹭;潘恒;王岩;王峻岭 -专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜制造技术领域，尤其涉及一种脉冲激光沉积系统及其薄膜制备方法。所述脉冲激光沉积系统包括激光器、真空腔、基片加热台、抽真空设备和气氛气体通入设备，还包括靶材挡板、厚度测试模块、薄膜参数测试模块和计算机设备，所述计算机设备用于设置薄膜制备参数并对应控制薄膜制备环境、以及根据所述厚度测试模块测试的薄膜的沉积速率和所述薄膜参数测试模块测试的已沉积薄膜的参数数据调整薄膜的制备参数通过控制基片加热台和靶材转盘转动而切换基片和靶材，并根据测试的薄膜沉积速率和已沉积薄膜的参数数据调整优化膜的制备参数，降低了薄膜制备的时间和成本，提升了薄膜制备的工作效率和控制便捷性。
薄膜制备脉冲激光沉积系统靶材计算机设备薄膜参数参数数据测试模块沉积薄膜厚度测试加热台速率和制备薄膜薄膜制造技术抽真空设备测试薄膜沉积工作效率模块测试气氛气体转盘转动挡板激光器便捷性真空腔沉积优化

[发明专利]一种均匀较厚介孔氧化钛纳米颗粒薄膜的飞秒激光制备方法-CN201510172755.4在审
发明人：倪晓昌;王宣;李彤;徐丽娟 -专利权人：天津职业技术师范大学
申请日： 2015-04-14 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种介孔纳米颗粒薄膜制备方法，属于飞秒激光沉积制备特殊属性薄膜的技术。该方法以高纯度氧化钛为靶材，采用脉宽300飞秒，中心波长537纳米，频率33赫兹，最大单脉冲能量为0.9毫焦的激光真空沉积装置，实现均匀较厚介孔氧化钛纳米颗粒薄膜制备。其特征在于：沉积时间较短时，纳米颗粒尺度平均在20纳米左右。较长时间沉积后，颗粒出现团簇现象，薄膜较厚且介孔间隙明显。本发明的优点：控制脉冲能量、沉积时间可改变薄膜参数；控制靶室气压以及充气类型可实现薄膜结晶形态的差异改变；掺杂或复合其他材料方便；单位厚度存在较高的太阳能转化效率；便于研究不同类型的飞秒激光沉积制备特殊属性的薄膜在制氢方面的应用
一种均匀较厚介孔氧化纳米颗粒薄膜激光制备方法

[发明专利]一种制备半导体薄膜场效应晶体管器件的方法-CN201710236801.1在审
发明人：张睿;赵毅 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法首先在支撑衬底上沉积半导体薄膜和保护绝缘层；其次在保护绝缘层上沉积激光吸收层，并通过刻蚀激光吸收层定义器件区域；利用激光脉冲退火诱导器件区域内的非晶半导体薄膜形核结晶并使得晶粒由器件区域内部向外长大，在器件区域内形成局部单晶结构的半导体薄膜；最后沉积栅极绝缘层和金属栅极，形成半导体薄膜场效应晶体管器件。本发明方法通过激光吸收层阻挡激光脉冲，在衬底表面的局部区域内产生退火效果，控制半导体晶粒的形成位置，避免在器件内部的位置产生晶界。
一种制备半导体薄膜场效应晶体管器件方法

[发明专利]一种脉冲激光辅助化学气相沉积生长系统装置及用其制备低维材料的方法-CN201510450147.5有效
发明人：张金星;宋创业 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C23C16/48 文献下载
摘要：本发明提供一种脉冲激光辅助化学气相沉积生长系统装置及用其制备低维材料的方法。所述装置包括激光器、加热系统、生长室、真空系统、冷却系统、载气系统、排气系统。激光器用于产生高能激光束，激光束与源材料靶材作用形成等离子体羽辉。生长室是一密封的Y型管，可先后或同时进行各种物理/化学反应。本发明可先后、可同时进行脉冲激光沉积和化学气相沉积，可调节控制激光、温度、气压、反应气体等，分别或同时利用物理/化学方式达到高质量多组分的薄膜、异质结及纳米结构等材料的生长，材料体系可覆盖氧化物、半导体
一种脉冲激光辅助化学沉积生长系统装置制备材料方法

[实用新型]一种脉冲激光辅助化学气相沉积生长系统装置-CN201520554046.8有效
发明人：张金星;杨振雄;宋创业 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： C23C16/48 文献下载
摘要：本实用新型公开一种脉冲激光辅助化学气相沉积生长系统装置。所述装置包括激光器、加热系统、生长室、真空系统、冷却系统、载气系统、排气系统。激光器用于产生高能激光束，激光束与源材料靶材作用形成等离子体羽辉。本实用新型装置可先后、可同时进行脉冲激光沉积和化学气相沉积，可调节控制激光、温度、气压、反应气体等，分别或同时利用物理/化学方式达到高质量多组分的薄膜、异质结及纳米结构等材料的生长，材料体系可覆盖氧化物
一种脉冲激光辅助化学沉积生长系统装置

[发明专利]一种脉冲激光制备纳米尺度多孔结构生物涂层的方法-CN201910279574.X在审
发明人：江晓红;曹金星 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种脉冲激光制备纳米尺度多孔结构生物涂层的方法。该方法为占反应物总含量为90％～99％的生物陶瓷材料、占反应物总含量百分含量为1％～10％的氟化钙进行高速混合，干燥处理，制备靶材，放置在脉冲激光沉积设备中，调整激光强度，激光与靶材位置，靶材与基底位置，基底选用钛片或单晶硅片，在高真空状态下进行脉冲激光沉积获得纳米尺度多孔结构生物涂层。
一种脉冲激光制备纳米尺度多孔结构生物涂层方法

[发明专利]脉冲激光沉积制备石墨烯电极材料的方法及其应用-CN201210138749.3有效
发明人：王雪峰;王雅兰;王欢文 -专利权人：同济大学
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种脉冲激光沉积制备石墨烯电极材料的方法及其应用。利用Hummers法制备氧化石墨烯（GO），经压片机压制成厚度约为2mm的薄片，脉冲激光烧蚀此氧化石墨烯靶材，在泡沫镍基底上溅射沉积制备石墨烯电极材料。
脉冲激光沉积制备石墨电极材料方法及其应用

[发明专利]层状VO2激光脉冲调制器件及应用-CN201410235281.9有效
发明人：张怀金;于浩海;王树贤;王继扬;陈延学;梅良模 -专利权人：山东大学
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01S3/11 文献下载
摘要：本发明涉及层状VO2激光脉冲调制器件及应用。层状VO2脉冲调制器件包括衬底和沉积在衬底上面的VO2材料，用于对产生近红外的激光进行调Q和锁模，制成全固态激光用脉冲调制激光器；所述的全固态激光用脉冲调制激光器包括泵浦源，前腔镜，激光增益介质，VO2调制器件，输出镜；将所述的VO2调制器件放于全固态激光器的谐振腔内，制成调Q器件或锁模器件的激光器。本发明的脉冲调制器件具有制作简单、有利于产业化生产和集成化等特点。
层状 vo sub 激光脉冲调制器件应用

[发明专利]尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法-CN202010099720.3有效
发明人：王先杰;宋炳乾;隋郁;宋波;张伶莉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：将清洗处理后的衬底放在托盘上，利用机械泵和分子泵将生长室抽至本底真空，衬底加热到530～580℃，以NiFe2O4陶瓷材料为靶材，调整高能脉冲激光器，控制脉冲激光输出为能量100～250mJ进行脉冲激光沉积薄膜，薄膜沉积过程中生长氧分压为0.1～20mTorr，得到尖晶石相p型半导体性氧化物薄膜。本发明采用脉冲激光沉积方法生长NiFe2O4半导体氧化物薄膜，在较低氧分压下得到的四面体Fe缺失的NiFe
尖晶石型铁酸镍半导体氧化物薄膜制备方法

[发明专利]提高薄膜厚度均匀性的制备方法-CN202210420002.0在审
发明人：屈鹏霏;金鹏;周广迪;王镇;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法及其薄膜，其中，本公开的一个方面提供了一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法，包括：利用脉冲激光沉积方法在衬底上生长薄膜籽晶层，得到具有薄膜籽晶层的衬底；通过不同于脉冲激光沉积方法的其他生长方法在具有薄膜籽晶层的衬底上继续进行同质外延生长，直至薄膜的厚度达到预设阈值，其中，其他生长方法包括以下之一：电子束蒸镀、直流磁控溅射、射频磁控溅射、离子束蒸镀、金属有机物化学气相沉积、分子束外延、原子层沉积、等离子体化学气相沉积。
提高薄膜厚度均匀制备方法

[发明专利]基于脉冲激光驱动的微滴三维打印系统及方法-CN202110105753.9有效
发明人：胡永祥;罗国虎;吴迪;周榆;姚振强 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： B22F10/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于脉冲激光驱动的微滴三维打印系统，包括：光束子系统、支撑介质、分块薄膜阵列、微滴阵列和接收基底，通过光束子系统将脉冲激光辐照到支撑介质表面上的分块薄膜阵列上，脉冲激光驱动熔化或者未熔化的分块薄膜阵列飞离支撑介质的表面，形成飞行的微滴阵列沉积到接收基底；通过连续辐照分块薄膜阵列，同时控制微滴阵列沉积到接收基底的落点位置并行打印出三维微结构。本发明能够避免激光驱动微滴打印结构过程中的破碎液滴，能够有效扩宽打印工艺窗口的范围，并且能有效提升打印效率。
基于脉冲激光驱动三维打印系统方法

[发明专利]一种铁基化合物超导薄膜的制备方法-CN201610186647.7有效
发明人：徐中堂;马衍伟;原蒲升 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：把铁基超导化合物靶材放入脉冲激光外延沉积系统中，在真空度低于9×10‑5Pa的环境下，以脉冲激光熔融铁基超导化合物靶材，并在加热的金属基带上沉积成膜。沉积过程中靶材和金属基带保持有距离；靶材和金属基带两者均保持自转。沉积完成后，降温至环境温度，形成铁基化合物超导薄膜。所述的金属基带为IBAD或RABiTS；金属基带的加热温度为350℃～950℃，沉积时间为50～200分钟，真空度低于9×10‑5Pa，激光能量密度为每脉冲100mJ～350mJ，靶材与金属基带之间的距离为
一种化合物超导薄膜制备方法