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[发明专利]一种梯度纳米晶、超细晶涂层及其制备方法-CN202010518607.4在审
发明人：王强;李旭;牛文娟;李洋洋 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C23C24/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯度纳米晶、超细晶涂层及其制备方法，包括将金属粉末喷涂到基体，形成冷喷涂涂层，然后在冷喷涂涂层表面进行激光冲击强化处理制得梯度纳米晶、超细晶涂层，所述的激光为脉冲激光，所述的激光波长为1064nm，脉冲宽度为5‑20ns。本发明采用的喷涂过程具有操作简单、温度低、沉积效率及致密度高等优点，激光冲击强化技术具有效率高、残余应力区深、表面冲击坑小、环保等优点。
一种梯度纳米超细晶涂层及其制备方法

[发明专利]原位制备高通量薄膜并原位至微纳加工的装置及方法-CN201910209136.6在审
发明人：苗君;姜勇;王守国;刘瑞雯 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：该装置包括基体、激光器、加热器、镀膜设备、甩胶腔体和电子束曝光腔，薄膜样品在真空或气氛条件采用激光加热，激光采用垂直照射，能量通过系统设置调整。通过掩膜板，用激光脉冲沉积方法制备成分连续分布、厚度梯度分布的高通量薄膜样品。高通量样品在横向成分连续分布，纵向厚度梯度分布，然后再激光脉冲沉积一层电极层，并通过原位输运至另一腔体中甩胶再原位输运至电子束曝光腔中进行感光胶曝光，原位获得制有图案的高通量薄膜。
高通量制备薄膜激光脉冲沉积电子束曝光高通量样品薄膜样品厚度梯度连续分布微纳加工原位制备输运甩胶微纳加工技术加热器薄膜材料垂直照射电学测量镀膜设备激光加热能量通过气氛条件系统设置电极层感光胶激光器掩膜板腔体图样激光图案曝光

[发明专利]一种复合多层金属基板及其制备方法、一种功率半导体器件-CN202310054856.6在审
发明人：贾强;周博龙;郭福;王乙舒;马立民 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：包括以下步骤：在反应腔内固定好靶材和基板，并加热基板；开启第一激光器轰击第一贵金属靶材，在基板上沉积第一贵金属薄膜；第一激光器停止工作，开启第二激光器轰击第二贵金属靶材，在第一贵金属薄膜上沉积第二贵金属薄膜；使第一脉冲激光的轰击靶材转换为第一自蔓延金属靶材，第二脉冲激光的轰击靶材转换为第二自蔓延金属靶材；交替使第一激光器和第二激光器工作，形成自蔓延金属薄膜，即得。
一种复合多层金属及其制备方法功率半导体器件

[发明专利]一种激光诱导离子液体电沉积制备锗纳米阵列的方法-CN201510450048.7有效
发明人：于兆亮;孟祥东;李海波;华杰;曲晓慧;胡悦 -专利权人：吉林师范大学
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： C25D3/66 文献下载
摘要：本发明提供一种激光诱导离子液体电沉积制备锗纳米阵列的方法，属于锗纳米阵列制备方法技术领域。解决现有的锗纳米阵列的制备方法要求高温度，且制备工艺复杂有毒的问题。该方法是利用离子液体电沉积技术与激光辐照技术的结合，使用无毒无污染的绿色离子液体1‑乙基‑3‑甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐做为溶剂，Gecl4为电解质，脉冲激光器辐照电解液，一步法电沉积制备锗纳米阵列。
一种激光诱导离子液体沉积制备纳米阵列方法

[发明专利]一种利用脉冲激光辅助离子液体电沉积制备半导体材料的装置-CN201510449811.4有效
发明人：孟祥东;于兆亮;李海波;华杰;曲晓慧;胡悦 -专利权人：吉林师范大学
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种激光诱导离子液体电沉积制备锗纳米阵列的方法，属于锗纳米阵列制备方法技术领域。解决现有的锗纳米阵列的制备方法要求高温度，且制备工艺复杂有毒的问题。该方法是利用离子液体电沉积技术与激光辐照技术的结合，使用无毒无污染的绿色离子液体1‑乙基‑3‑甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐做为溶剂，Gecl4为电解质，脉冲激光器辐照电解液，一步法电沉积制备锗纳米阵列。
一种利用脉冲激光辅助离子液体沉积制备半导体材料装置

[发明专利]一种双光路脉冲激光在Si(100)基片上沉积InGaN薄膜的方法-CN201910064979.1有效
发明人：陆珊珊;刘宇伦;莫观孔;莫组康;沈晓明;何欢;符跃春 -专利权人：广西大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种双光路脉冲激光沉积设备及其应用在Si(100)基片上沉积InGaN薄膜的方法，所述设备能够将激光分为双路对靶材进行照射，具体方法为：将清洁好的Si(100)衬底放入基片台上加热至650℃～750℃并保温50～70min；依次沉积TiN、AlN、GaN、InGaN层，采用的激光能量分别为150‑250mJ、50‑150mJ、200‑300mJ、100‑200mJ，沉积时间分别为10～30min本发明能够提高薄膜晶体质量，同时还可大幅度提高器件如半导体激光器、发光二极管及太阳能电池的效率。
一种双光路脉冲激光 si 100 基片上沉积 ingan 薄膜方法

[发明专利]一种基于磷化铟阻变材料的阻变存储器及其制备方法-CN201710076170.1在审
发明人：王海燕 -专利权人：东莞市佳乾新材料科技有限公司
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于磷化铟阻变材料的阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器包括铂底电极、掺杂S和Fe的磷化铟阻变材料和银顶电极，制备方法为以表面沉积铂金属的绝缘无机材料作为基片，采用脉冲激光技术，在基片表面沉积磷化铟薄膜，形成磷化铟阻变材料，然后在磷化铟阻变材料的表面覆盖硬掩膜版，采用磁控溅射技术，沉积银电极层，去除掩膜版，得到基于磷化铟阻变材料的阻变存储器。本发明还对磷化铟单晶片及其利用脉冲激光技术沉积磷化铟薄膜的制备方法进行限制，保证了阻变存储器中磷化铟阻变材料的一致性和稳定性，使阻变存储器具有存储窗口宽，数据保持时间长，耐久性高的特点。
一种基于磷化铟阻变材料存储器及其制备方法

[发明专利]利用过渡金属或合金作为缓冲层提高六方氮化硼结晶质量的方法-CN202010060273.0在审
发明人：陈占国;栾凯然;陈曦;张文博;刘秀环;赵纪红;侯丽新;高延军 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是在生长六方氮化硼外延薄膜前，以磁控溅射、电子束蒸发、脉冲激光沉积或热蒸发薄膜制备技术预先在硅、蓝宝石或其他晶格失配较大衬底上沉积过渡金属或合金作为缓冲层，再将带有缓冲层的衬底上采用化学气相沉积、磁控溅射或脉冲激光沉积技术外延生长六方氮化硼薄膜；缓冲层在外延生长六方氮化硼薄膜前做退火处理以进一步提高缓冲层的质量，从而达到进一步提高hBN薄膜结晶质量的目的。
利用过渡金属合金作为缓冲提高氮化结晶质量方法

[发明专利]一种拓扑相变忆阻器及其制备方法和应用-CN202311128089.5在审
发明人：程伟明;苏睿;张润青;肖睿子;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种拓扑相变忆阻器及其制备方法和应用，其制备步骤为：采用脉冲激光沉积法在衬底层表面沉积底电极层；在氧气气氛中进行原位退火处理，促使氧离子富集于所述底电极层表面；采用脉冲激光沉积法在所述底电极层表面沉积阻变层
一种拓扑相变忆阻器及其制备方法应用

[发明专利]一种钴酸锶薄膜材料的制备方法-CN201811368751.3有效
发明人：陈水源;严蔚胜;王可;霍冠忠;黄志高 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：首先采用球磨法制备钴酸锶粉末样品，然后将该粉末样品干燥并制成块状靶材，最后用脉冲激光沉积法将块状靶材沉积在衬底上并退火，得到钴酸锶薄膜材料。本发明采用球磨法制得的钴酸锶粉末混合比较均匀、粒径均匀度高，球磨法具有操作简单、条件温和、易控制等特点；用脉冲激光沉积法沉积的钴酸锶薄膜，具有质量好、均匀性高和材料组分稳定等特点，同时采用晶格常数相近及同为钙钛矿结构的衬底上制得的钴酸锶薄膜结构更加稳定
一种钴酸锶薄膜材料制备方法

[发明专利]一种固体氧化物燃料电池阴极表面修饰方法-CN201810120600.X有效
发明人：陈燕;陈惠君;李菲;刘茜;刘江;刘美林 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：该修饰方法具体是通过燃烧法与高温煅烧法合成脉冲激光沉积仪(PLD)的LSCF靶材、GDC靶材和镨铈氧化物靶材；其中镨铈氧化物的化学式为PrxCe1‐xO2；x＝0～1；通过脉冲激光沉积仪在单晶衬底电解质上沉积SOFC阴极材料镧锶钴铁，并在其表面沉积纳米级别的镨铈氧化物作为表面修饰层
一种固体氧化物燃料电池阴极表面修饰方法

[发明专利]产生薄膜太阳能模块的方法及产生的薄膜太阳能模块-CN201980019443.6有效
发明人： A·海斯;H·福格特 -专利权人：中建材玻璃新材料研究院集团有限公司
申请日： 2019-02-08 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明涉及一种产生具有串联连接的太阳能电池（10）的薄膜太阳能模块（1）的方法，其包括以下步骤：‑提供平坦衬底（2），‑在衬底（2）的一侧（4）上沉积后电极层（5），‑通过第一图案化沟槽（P1）细分后电极层（5），‑在后电极层（5）上沉积吸收体层（6），‑通过第二图案化沟槽（P2）细分吸收体层（6），‑在吸收体层（6）上沉积前电极层（7），‑通过第三图案化沟槽P3、P3’细分至少前电极层（7），其中图案化区域（8）由直接连续的第一图案化沟槽P1、第二图案化沟槽P2和两个相邻的第三图案化沟槽P3、P3’形成，其中第三图案化沟槽P3、P3’在每种情况下通过使用脉冲激光射束的激光烧蚀产生，其中图案化区域（8）的一个第三图案化沟槽P3’利用相对大能量的激光脉冲产生，并且图案化区域（8）的另一第三图案化沟槽P3利用较低能量的激光脉冲产生。
产生薄膜太阳能模块方法

[发明专利]一种在蒙乃尔合金表面制备激光改性层的复合工艺方法-CN201110354119.5有效
发明人：张春华;齐麟;张松;郝玉喜;王茂才;王东生 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本发明是一种在蒙乃尔合金表面制备激光改性层的复合工艺方法，用微弧火花沉积工艺在蒙乃尔合金表面制备一合金过渡层，再在其上进行激光熔覆处理。微弧火花沉积材料采用专用NiCrMoFe合金电极，工艺参数：脉冲频率150~350Hz，沉积电压60~100V，氩气作为保护气，流速为10~30L/min。激光熔覆材料为NiCrBSiFe合金粉末，激光辐照工艺参数：激光输出功率2.0~6.0kW，宽带光斑6~10mm×1~2.0mm，激光束扫描速率2.0~20mm/s，表面预置合金粉末厚度为0.7~1.5mm
一种乃尔合金表面制备激光改性复合工艺方法

[发明专利]高通量组合半导体材料芯片合成设备-CN201510169448.0有效
发明人：茆胜;朱煜;张令辉;张耀辉 -专利权人：宁波华甬新材料科技有限公司
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，在超高真空腔室中同时配置了脉冲激光和电子束双沉积源，分别利用脉冲激光沉积的非热力学平衡沉积过程，将靶源材料的化学计量比例完整复制到样品薄膜，以及电子束沉积用于沉积高纯金属薄膜和非吸收性材料的优势
通量组合半导体材料芯片合成设备

[发明专利]一种可集成的全固态锂离子薄膜微电池正极的制备方法-CN200610035740.4无效
发明人：张耀;钟志源;朱敏;欧阳柳章;曾美琴 -专利权人：华南理工大学;钟志源
申请日： 2006-05-31 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：方法如下：在氧化铝、氮化铝、石英或者表面氧化的硅片的衬底上采用磁控溅射法沉积一层Pt、Au或Al用作集流电极，在集流电极与衬底之间沉积一层Ti、Co或Cr用作过渡层；以层状结构LiCo_{1－x_2－xM_xO₄中所包含金属的氧化物、氢氧化物、碳酸盐、硝酸盐或醋酸盐为原料制备粉末前驱体，将粉末前驱体研磨、圆饼压制、分区段煅烧、炉冷得到脉冲激光沉积用靶材，然后采用脉冲激光沉积法在金属化的衬底上均匀沉积一层正极薄膜。}
一种集成固态锂离子薄膜电池正极制备方法