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[发明专利]具有多种在线原位监测功能的脉冲激光沉积装备-CN202310249427.4在审
发明人：刘胜;籍超越;东芳;汪启军;周振 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本申请公开了具有多种在线原位监测功能的脉冲激光沉积装备。该脉冲激光沉积装备包括PLD装置，以及装配在PLD装置上并对PLD装置所针对外延薄膜实施对应性能测试的光谱仪、X射线衍射仪、差分式反射式高能电子衍射仪、质谱仪和翘曲测量仪。脉冲激光沉积装备，将光谱仪、X射线衍射仪、差分式反射式高能电子衍射仪、质谱仪和翘曲测量仪等集成于PLD装置中，以达到在线/原位监测外延薄膜表面形貌、结构、温度、膜厚、应力、缺陷、翘曲等参数的目的，并建立数据库
具有多种在线原位监测功能脉冲激光沉积装备

[实用新型]脉冲激光沉积三维加热台-CN201921802768.5有效
发明人：张晓军;朱新华;胡凯;代瑞娜 -专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及脉冲激光沉积技术领域，公开了一种脉冲激光沉积三维加热台。所述脉冲激光沉积三维加热台，包括加热平台、波纹管、维修旋钮、水平位移机构、垂直位移机构、旋转机构、样品托和控制电机。
脉冲激光沉积三维加热

[发明专利]K-H共掺制备p型氧化锌薄膜的方法-CN201110102010.2无效
发明人：武军;秦会斌;郑梁;徐军明;郑鹏 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：目前还没有用脉冲激光沉积法进行K-H共掺的p-ZnO薄膜的制备。本发明方法首先将氢氧化钾粉末、氧化锌粉末和粘结剂在球磨机中球磨混合成前驱粉，然后将前驱粉压制成型，经烧结制得掺氢氧化钾的氧化锌靶材；再将靶材和衬底分别放入脉冲激光沉积装置的真空腔内，并加热衬底，真空腔内通入氩气和氧气的混合气，开启脉冲激光沉积装置中的激光源，激光束打在靶材上，进行薄膜生长；生长的薄膜达到所需厚度后，关闭激光源，在氧气保护气氛下进行原位退火。
制备氧化锌薄膜方法

[发明专利]一种AZO源漏电极透明薄膜晶体管及其制备方法-CN201810353578.3在审
发明人：姚日晖;章红科;宁洪龙;李晓庆;张啸尘;邓宇熹;邓培淼;周尚雄;袁炜健;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：将基底清洗，烘干预处理后在基底上通过等离子体增强化学气相沉积制备ITO栅极和Si3N4栅极绝缘层；在栅极绝缘层上使用脉冲直流磁控溅射沉积IGZO半导体层；然后使用射频磁控溅射在半导体层上沉积Al2O3半导体修饰层；最后在室温下使用脉冲激光沉积AZO源漏电极，得到AZO源漏电极透明薄膜晶体管。本发明通过激光脉冲沉积室温制备AZO源漏电极，在降低薄膜电阻率的同时且兼有优良的透明度，极大地提高了TFT的器件性能。
源漏电极透明薄膜晶体管制备栅极绝缘层半导体层等离子体增强化学气相沉积磁控溅射沉积激光脉冲沉积脉冲激光沉积射频磁控溅射薄膜电阻率烘干预处理基底清洗脉冲直流器件性能室温制备显示器件修饰层基底沉积半导体透明度

[发明专利]一种脉冲激光填丝增材制造镍基合金结构的方法-CN201610457976.0在审
发明人：吴东江;柴东升;周思雨;马广义;牛方勇;金洙吉 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本发明公布了一种脉冲激光填丝增材制造镍基合金结构的方法，利用脉冲激光焊接系统以镍基合金丝为原料增材成形结构，属于激光修复、激光近净成形技术领域。具体步骤是：以脉冲激光填丝焊接系统为基础，以惰性气体作为保护气体，通过层层沉积的方式得到最终的结构。成形过程中通过控制脉冲激光脉冲能量、脉冲宽度、脉冲频率，实现对于成形结构微观组织的调控和力学性能的改善。本发明结合了脉冲激光热源及填丝增材制造的优势，提供了一种低成本、清洁及低应力的高性能镍基合金结构的制备方法。
一种脉冲激光填丝增材制造合金结构方法

[发明专利]一种可调谐铁磁共振复合薄膜及其制备方法-CN202210324408.9在审
发明人：陈水源;李赫;苏超;霍冠忠;王可;张裕详 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调谐铁磁共振复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜包括采用脉冲激光沉积法依次沉积于铁电衬底上的缓冲层Ta层薄膜、FeGaB薄膜、防氧化层Ta层薄膜，所述铁电衬底为铌酸铅镁钛酸铅PMN‑PT本发明采用脉冲激光沉积技术，制备的磁电复合薄膜更为均匀，具有良好的保成分性，根据探究薄膜制备的激光能量、激光频率等参数以及腔内更替交换靶材的独特制备方式不仅可以确保薄膜厚度的均一性，还可有效提高薄膜材料质量基于在PMN‑PT铁电衬底上沉积的FeGaB磁电复合薄膜有较好的微波吸收能量信号，使其成为理想的微波材料。
一种调谐磁共振复合薄膜及其制备方法

[发明专利]激光脉冲沉积法制备Cu扩散掺杂ZnO基半导体的方法-CN201110143396.1无效
发明人：方庆清;张瀚铭 -专利权人：安徽大学;方庆清;张瀚铭
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：其扩散层为沉积Cu高温扩散掺杂进入ZnO基层形成的扩散层。薄膜采用脉冲激光沉积方法制备，衬底为(100)硅单晶，激光脉冲腔内真空度5×10-4Pa，沉积温度为450℃，激光频率4Hz，激光能量190kV，ZnO基薄膜溅射时间40分钟，在上述基础上加镀Cu层，沉积时间为
激光脉冲沉积法制 cu 扩散掺杂 zno 半导体方法

[发明专利]一种三氧化钼纳米棒的制备方法-CN201310022362.6有效
发明人：邹友生;张亦弛;汪海鹏;楼东;董宇辉;窦康 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2013-01-18 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明采用两步扩散脉冲激光沉积技术，以α-MoO3为靶材，在硅衬底上沉积正交晶系MoO3纳米棒，所沉积的MoO3纳米棒具有密度高、直径小。首先通过传统的脉冲激光烧蚀在基片上沉积一层薄的MoO3籽晶层，然后将样品反转，用扩散脉冲激光沉积方法在籽晶层上进一步生长均一的MoO3纳米棒。
一种氧化钼纳米制备方法

[发明专利]一种镧锶锰氧薄膜制备方法-CN202110389349.9有效
发明人：王学锋;袁霄;陈勇达;刘汝新;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种镧锶锰氧薄膜制备方法，方法在脉冲激光沉积系统真空腔室内一定的温度与压力条件下，将处理好的基片利用脉冲激光沉积系统首先进行铝酸锶薄膜的沉积，对基片进行原位退火后，采用同样的方式在基片上进行镧锶锰氧薄膜的沉积，之后再进行原位退火，制备过程通过脉冲激光沉积系统进行原位监控。
一种镧锶锰氧薄膜制备方法

[发明专利]一种改变半导体材料PN型的方法-CN202210260057.X有效
发明人：王丽;高东文;苏雪琼;王进 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：将硒化锌掺杂半导体沉积到基底表面形成半导体薄膜，通过控制制备条件，达到控制基片上半导体薄膜PN型的目的。制备过程中选择使用脉冲激光沉积技术完成薄膜的制备，基片选择使用石英玻璃。本发明的半导体材料通过脉冲激光沉积法来制备的，采用如下技术方案实现：先采用固体反应烧结法制备ZnSe0.4:Mo0.3:Ga0.3陶瓷靶材，再采用脉冲激光沉积法制备ZnSe:Mo:Ga薄膜，通过控制不同的制备条件，得到不同PN特性的半导体薄膜。
一种改变半导体材料 pn 方法

[发明专利]脉冲激光沉积装置-CN201310619627.0无效
发明人：章嵩;王传彬;沈强;张联盟;涂溶 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种脉冲激光沉积装置，包括沉积腔以及设于沉积腔内的靶材和基板座，所述的基板座与靶材相对设置，沉积腔腔体上设有与靶材倾斜相对的光学窗口，用于入射脉冲激光以轰击靶材，靶材烧蚀后产生等离子气并到达基板座上的基板表面，作用生成目标薄膜，所述的靶材为圆盘状，包括多种不同材料的扇形体；由于靶材是多种不同单元材料构成的多元靶材，绕中心轴旋转时，脉冲激光光束周期性照射在各单元靶材表面，由各单元靶材产生的等离子气在基板上进行自组装
脉冲激光沉积装置

[发明专利]电致变色装置及制造方法-CN200880019007.0有效
发明人： P·阮 -专利权人：索拉迪格姆公司
申请日： 2008-06-09 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： G02F1/15 文献下载
摘要：上述层是使用PVD、CVD、PECVD、原子层沉积、脉冲激光沉积、镀膜法或溶胶-凝胶技术沉积得到的。
变色装置制造方法

[发明专利]脉冲激光沉积装置及方法-CN202110591239.0在审
发明人：冯中沛;金魁;袁洁;许波;赵忠贤 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：公开了一种脉冲激光沉积装置，包括：反应腔，内部设置有用于固定基片台的支撑柱，位于基片台上方的第一加热元件和位于基片台下方的第二加热元件；多个靶机，靶机的第二端固定有靶材，靶材位于反应腔内的基片台的上方和/或下方，靶材的表面与基片台的表面形成夹角；多个激光装置，多个激光装置分别产生激光束，其中，第一加热元件和第二加热元件上分别具有缺口，激光束沿平行于基片台表面的方向直线到达靶材表面，激光束照射靶材表面形成的等离子体经由第一加热元件和第二加热元件上的缺口到达基片台表面本申请的脉冲激光沉积装置，采用的双面斜对称沉积工艺，可以在基片台的双面都进行薄膜沉积，实现了大面积、大批量、高质量的薄膜制备。
脉冲激光沉积装置方法

[实用新型]脉冲激光沉积系统-CN201721304052.3有效
发明人：石永敬 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本实用新型提供一种脉冲激光沉积系统，该系统包括真空室、衬底承载架、非平衡磁极辅助靶、激光器和光路系统，其中衬底承载架设置在真空室的下侧，非平衡磁极辅助靶设置在真空室内且其面向真空室内侧的一面上设置有至少一对磁极且在该对磁极之间形成有非平衡磁场，在该对磁极之间设置有靶材，激光器产生的激光束通过光路系统聚焦至所述靶材表面，以在靶材上产生烧蚀等离子体，烧蚀等离子体在非平衡磁场的作用下做进一步电离并均匀分布至靶材表面。通过本实用新型，可以有效解决激光沉积薄膜的厚度及成分的均匀性。
磁极脉冲激光沉积系统等离子体本实用新型非平衡磁场靶材表面光路系统激光器承载架非平衡真空室靶材衬底烧蚀室内激光沉积有效解决激光束均匀性电离薄膜聚焦

[发明专利]脉冲激光沉积方法-CN200680005716.4无效
发明人：杰瑞·鲁图 -专利权人：比克顿有限公司
申请日： 2006-02-23 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于涂层金属、玻璃、岩石或塑料的主体的方法，其中：该主体通过激光烧蚀涂层，其中：主体在从移动目标烧蚀的材料等离子扇中移动，以产生具有尽可能规则质量的表面。本发明还涉及由该方法生产的产品。
脉冲激光沉积方法