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[发明专利]一种HfO₂高介电常数薄膜电容器及其制备方法-CN200810047510.9无效
发明人：王浩;王毅;汪宝元;叶葱;冯洁;朱建华 -专利权人：湖北大学
申请日： 2008-04-29 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：它以硅片为基片，其特征在于用脉冲激光沉积技术在其上沉积一层HfO₂薄膜，再磁控溅射设备制备低电极和上图形电极。本发明采用成本相对较低的脉冲激光沉积设备和后氮气处理的方法获得了具有低表面粗糙度、高介电常数、低漏电流和高界面质量的HfO₂栅介质薄膜及其MOS电容器。
一种 hfo sub 介电常数薄膜电容器及其制备方法

[发明专利]一种原位实时定量诊断聚变装置面壁部件腐蚀沉积的方法-CN202010713562.6有效
发明人：赵栋烨;才来中;胡万鹏;黄向玫;王亚磊;曾晓晓;马会聪 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明聚变装置等离子体测量技术，具体为一种原位实时定量诊断聚变装置面壁部件腐蚀沉积的方法。首先制备等离子体辐照前多层膜PFCs，之后采集LIBS光谱，确定LIBS激光脉冲数和标记层的绝对厚度，多层膜PFCs经过辐照后，再次采集其LIBS光谱，确定LIBS激光脉冲数和标记层绝对厚度，得出辐照前后的标记层绝对厚度变化，积分求解得出PFCs腐蚀与沉积的绝对质量。本方法深度分辨测量聚变等离子体辐照前后多层膜偏滤器面壁部件的厚度变化，绝对定量诊断出PFCs的腐蚀与沉积量，从而实现对PFCs腐蚀与沉积的原位、实时诊断监测。
一种原位实时定量诊断聚变装置面壁部件腐蚀沉积方法

[发明专利]双脉冲涡旋飞秒激光制备级联增强SERS基底的方法-CN202110548198.7在审
发明人：姜澜;李晓炜;周世鹏;高帅;黄骥 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种双脉冲涡旋飞秒激光制备级联增强SERS基底的方法，属于激光应用技术领域。该方法制备的SERS基底由贵金属纳米颗粒、微针尖、微透镜三种结构组成。首先利用时空协同整形的涡旋脉冲序列在硅表面制备出微凹面‑微针尖复合结构，通过调节脉冲延时优化激光能量的沉积可以实现微凹面曲率的灵活调节。经过后续贵金属薄膜沉积，微凹面结构的反射率大大提高可以作聚焦微透镜，且在微针尖表面会附着大量贵金属纳米颗粒。通过调节微凹面曲率将入射激光汇聚到微针尖顶端，提高微针尖附近的局部激光能量密度，从而提高针尖纳米颗粒的局域表面等离子体共振强度，起到级联增强效果，达到提高拉曼散射信号强度的目的。
脉冲涡旋激光制备级联增强 sers 基底方法

[发明专利]基于SiC衬底的Ga2-CN201910975088.1在审
发明人：贾仁需;王卓;于淼;余建刚 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SiC衬底的Ga2O3薄膜的制备方法，包括：选取SiC衬底层；利用脉冲激光沉积工艺在所述SiC衬底层表面上制备Ga2O3缓冲层；利用脉冲激光沉积工艺在所述Ga2O3<本发明所提供的基于SiC和Ga2O3的半导体结构的制备方法首先通过脉冲激光沉积工艺在SiC衬底层表面形成Ga2O3缓冲层，从而减少了由于晶格失配引起的位错缺陷，然后又通过脉冲激光沉积工艺在Ga2
基于 sic 衬底 ga base sub

[发明专利]一种c轴择优取向的铌酸铋钙薄膜及其制备方法-CN202011573487.4有效
发明人：董显林;李宜冠;周志勇 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：所述c轴择优取向的铌酸铋钙薄膜的制备方法为脉冲激光沉积法，包括：将CaBi2Nb2O9靶材放入脉冲激光沉积系统腔体中，调节其与衬底的距离为30～70mm，在一定真空度下加热至600～800℃；向腔体内通入氧气使腔体压力维持在固定值，用脉冲激光对CaBi2
一种择优取向铌酸铋钙薄膜及其制备方法

[发明专利]用于皮肤病治疗的脉冲激光系统-CN201980074258.7在审
发明人： R·鲁瓦永;R·杜布拉斯 -专利权人：伊里西奥梅公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： A61N5/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于皮肤病治疗的脉冲激光系统，其包括适于发射光脉冲光束(10)的光源(1)和适于生成第一重复频率(F1)处的激光脉冲光束(20)的光放大器系统(2根据本发明，激光脉冲(20)的持续时间(d)在100飞秒与100皮秒之间，第一重复频率(F1)在1kHz与10GHz之间，每个激光脉冲具有小于或等于1微焦耳的能量的量，以及脉冲激光系统还包括用于在时间上调制激光脉冲光束(20)的装置和/或用于在空间上调制激光脉冲光束(20)的装置，所述时间和/或空间调制装置适于减小被沉积在待处理的表面上的能量密度并生成在0.0001J
用于皮肤病治疗脉冲激光系统

[发明专利]超清洁PLD样品制备及转移的系统和方法-CN202210651351.3在审
发明人：赵云;陈迪;许建兵;苏虹阳;刘鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：该系统包括脉冲激光沉积腔室、限位件、靶材屏蔽盒、激光发射装置、真空手套箱和抽真空设备，其中限位件用于限制电机通过传动装置驱动样品托架水平旋转的位置，靶材屏蔽盒内置于脉冲激光沉积腔室下部且可周期性移动，靶材屏蔽盒顶壁设有偏心通孔，靶材屏蔽盒内设有多个沿靶材屏蔽盒周向布置的子屏蔽区，多个子屏蔽区互不连通且可相对于靶材屏蔽盒的顶壁旋转；激光发射装置适于通过激光入射窗口和偏心通孔向置于子屏蔽区内的靶材发射激光，使靶材溅射到置于样品托架上的衬底上并沉积薄膜
清洁 pld 样品制备转移系统方法

[发明专利]薄膜沉积设备及薄膜沉积方法-CN201110362246.X无效
发明人：许波;曹立新;范慧;朱北沂 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜沉积设备及薄膜沉积方法。该薄膜沉积设备包括一薄膜沉积腔，该薄膜沉积腔包括：腔体外壳，腔体外壳围成薄膜沉积腔的腔体；靶材托架，设置于腔体的中部，用于放置由组分A构成的靶材；基片台，设置于腔体中部，与靶材托架相对设置；激光入射口，设置于腔体外壳的侧面，与并靶材托架倾斜相对，用于入射激光以轰击靶材托架上的靶材产生等离子体羽辉；束源炉接口，设置于腔体外壳的侧面并与基片台倾斜相对，用于入射由组分B构成的分子束流；激光入射口与束源炉接口同时入射激光和分子束流本发明能够有效避免脉冲激光沉积成膜过程和分子束外延成膜过程的相互干扰，可以制备质量更好和采用现有技术根本无法制备的薄膜。
薄膜沉积设备方法

[发明专利]外延生长氧化铝单晶薄膜的方法-CN201110366906.1无效
发明人：朱丽萍 -专利权人：安徽康蓝光电股份有限公司
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开的外延生长氧化铝单晶薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是氧化铝粉末液压成型的陶瓷靶，然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，以纯O2为生长气氛，控制O2压强0.5~5Pa，激光频率为3~10Hz，生长温度为450~650℃，在蓝宝石衬底上生长氧化铝单晶薄膜。
外延生长氧化铝薄膜方法

[发明专利]锂离子电池负极及其制备方法-CN200910308301.X无效
发明人：崔艳华;汪小琳;傅正文;苏伟;刘效疆;孟凡明 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2009-10-15 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01M4/02 文献下载
摘要：包括电极基片、基片表面的负极薄膜，基片表面的负极薄膜为氟化锰薄膜；制备方法是a.将氟化锰粉末压片制成脉冲激光沉积所用的靶，b.将靶和基片放入真空沉积腔内，靶与基片距离25-50mm，工作气氛为氩气气氛，c.经激光束激发的物质溅射到基片上，在基片上沉积得到氟化锰薄膜。本发明采用激光脉冲沉积制备了氟化锰薄膜，适合用作薄膜锂离子电池的负极材料。
锂离子电池负极及其制备方法

[发明专利]一种激光激励超声能场辅助等离子弧载粉增材制造方法-CN201910142420.6有效
发明人：罗怡;许洁;汤帆顺;罗成玲;杨晨林;王黎明;段晨杰;杨海林 -专利权人：重庆理工大学
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光激励超声能场辅助等离子弧载粉增材制造方法，所述方法采用金属粉末与等离子弧同轴送粉的方式，利用等离子弧热源作为熔化金属粉末并使其沉积成形的主热源，借助高频脉冲激光能量冲击等离子弧熔池，激励产生熔池超声能场，使熔池熔凝过程形成致密且细晶的沉积层熔凝组织结构，其包括如下步骤：1）调整等离子弧焊枪和激光出射头的相对位置，使得激光能量作用于等离子弧熔池尾部区域；2）设定等离子弧电流脉冲与激光脉冲的协同工作模式；3）设定激光束作用模式；4）开始成形制造过程至制造流程完成。
一种激光激励超声辅助等离子弧载粉增材制造方法

[发明专利]一种液相脉冲激光诱导制备纳米晶二氧化钛薄膜的方法-CN200910198042.X无效
发明人：王国兵;付敏恭;杜国平 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种液相脉冲激光诱导制备纳米晶二氧化钛薄膜的方法，步骤为，(1)将衬底基片清洗后垂直放入石英容器，浸泡在体积浓度为1％～10％的TiCl4溶液中，其导电面对准激光光源，进行激光脉冲诱导合成反应，使纳米晶二氧化钛沉积在衬底基片表面；反应时间为15～90min；衬底基片与激光光源的距离为10～35cm；激光频率1～30Hz，能量50～1000mJ，功率4～10W；(2)静置24～72小时，取出衬底基片清洗干燥本方法可以在常温常压下操作，省去复杂的真空沉积系统，而且不需要昂贵的金属为靶源，工艺简单，成膜条件易于控制，薄膜的形貌规整，层次分明，性能优良，为脉冲激光制备薄膜与合成纳米材料提供了一种途径。
一种脉冲激光诱导制备纳米氧化薄膜方法

[发明专利]一种磁场力辅助铝合金激光刻蚀制备疏水表面与强化成形的方法及装置-CN202310711314.1在审
发明人：周建忠;孙国航;缑延强;李礼;孟宪凯;黄舒 -专利权人：江苏大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁场力辅助铝合金激光刻蚀制备疏水表面与强化成形的方法及装置，包括如下步骤：将铝合金两端固定在夹具上；平面螺旋线圈和激光器位于铝合金待加工表面的正上方；所述平面螺旋线圈产生脉冲磁场，激光束位于脉冲磁场中心；利用激光刻蚀在铝合金待加工表面形成重熔凹槽和沉积飞溅物，所述重熔凹槽和沉积飞溅物构成微纳多级结构；所述脉冲磁场使铝合金表面感应产生涡电流，利用涡电流形成感应磁场，所述感应磁场的磁场方向与脉冲磁场的磁场方向相反
一种磁场辅助铝合金激光刻蚀制备疏水表面强化成形方法装置

[发明专利]一种一步法制备掺杂化合物薄膜的方法-CN200510111835.5无效
发明人：吴嘉达;孙剑;卢意飞 -专利权人：复旦大学
申请日： 2005-12-22 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：在ECR微波等离子体的辅助下，用一脉冲激光束烧蚀化合物基质膜的主源材料靶，在以反应脉冲激光沉积方式进行化合物基质膜合成沉积的同时，用另一脉冲激光束烧蚀杂质源材料靶，将杂质原子原位掺入基质膜层内。本发明作为一步法制备掺杂化合物薄膜的方法，利用两脉冲激光束对两个靶的共烧蚀和ECR微波等离子体的辅助，无需预先合成化合物基质，即能一步法制得掺杂薄膜，其中，低能等离子体束流的作用还促进膜层生长和杂质掺入
一种一步法制备掺杂化合物薄膜方法

[实用新型]一种制备掺杂薄膜的脉冲激光沉积装置-CN201720722007.3有效
发明人：郭禧斌 -专利权人：郑州科技学院
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制备掺杂薄膜的脉冲激光沉积装置，装置包括石英管、电炉、真空泵、激光脉冲发生器、第一反射镜、第二反射镜以及透镜；其中，石英管的一端连接真空泵，石英管的另一端设置有气体入口，石英管中设置有靶材架，靶材架上设置有至少两个靶材卡扣，电炉为管式炉，管式炉围绕着石英管的中部，透镜安装在可转动的支架上，第一反射镜、第二反射镜设置在透镜和激光脉冲发生器之间。采用本实用新型公开的脉冲激光沉积装置，可以得到不均匀的掺杂原子浓度梯度，这种特殊的结构，改变了薄膜的电学性能和光学性能，并且可以控制制备参数得到不同的掺杂浓度薄膜，适宜多种不同电学器件的应用。
一种制备掺杂薄膜脉冲激光沉积装置

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