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[发明专利]一种双脉冲飞秒激光沉积超高频率响应超级电容的方法-CN202110581968.8在审
发明人：姜澜;张子豪;李欣;张学强;许晨阳 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明涉及一种双脉冲飞秒激光沉积超高频率响应超级电容的方法，属于飞秒激光应用技术领域。本发明采用时域整形的双脉冲飞秒激光结合脉冲激光自下而上沉积的制造方法成功制备了一种具有超高频率响应特性的超级电容，该方法为研究超高频响应超级电容提供了一个新颖的角度，有望在未来应用于小型化便携式电子设备的超高频滤波单元上对于该方法，一方面经过双脉冲飞秒激光加工的碳材料具有丰富且均匀的孔径分布和高的比表面积，另一方面脉冲激光自下而上原位转移沉积碳材料使得电极材料的堆叠均匀有序。
一种脉冲激光沉积超高频率响应超级电容方法

[发明专利]薄膜涂层微纳米织构制备方法及其装置-CN201110369863.2有效
发明人：杨海峰;贺海东;郝敬斌;朱华 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种薄膜涂层微纳米织构制备方法及其装置，属于表面工程的薄膜涂层；制备方法包括前期准备、薄膜涂层沉积、微纳米织构制备和后处理；专用装置为多光束脉冲激光微纳米织构处理系统装置，多光束脉冲激光微纳米织构处理系统装置包括脉冲激光模块、光路传输模块和精密扫描模块，脉冲激光模块、光路传输模块和精密扫描模块顺序连接。优点：本发明加工方便、效率高，采用一个激光光源同时实现材料表面的薄膜涂层沉积微纳米织构制备，工艺简单、易于控制，无需对制备的样品进行复杂的后处理工艺；应用范围广、紫外脉冲激光具有光子能量大、波长短的特点，能对任何材料进行精密的微纳米织构处理，同时能诱导多种气体的化学反应，高效的进行薄膜涂层沉积。
薄膜涂层纳米制备方法及其装置

[实用新型]一种用于脉冲激光沉积系统中可拆卸的激光入射密封窗口-CN201920490708.8有效
发明人：黄传威;魏思聪;廖肇龙 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及材料工程技术领域，且公开了一种用于脉冲激光沉积系统中可拆卸的激光入射密封窗口，包括闸板阀，所述闸板阀顶部的一侧设有真空密封口，所述真空密封口的顶部设有固定螺丝，所述真空密封口内腔的顶部设有激光入射玻璃窗口该一种用于脉冲激光沉积系统中可拆卸的激光入射密封窗口，通过采用可拆卸的激光玻璃密封窗口装置，能够在不破坏真空腔体内部的气体氛围的条件下，将激光玻璃密封窗口拆卸下来，实现对玻璃窗口的高效清洁，解决了在脉冲激光沉积技术中存在的激光入射玻璃难以清洗的问题，确保了高质量的入射激光能透过玻璃窗口进入腔体。
一种用于脉冲激光沉积系统可拆卸入射密封窗口

[发明专利]一种透明阴极及其制备方法与OLED-CN202210898246.X在审
发明人：卢青;王波;周文斌;朱成显;孙剑;高裕弟 -专利权人：昆山梦显电子科技有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：所述制备方法包括如下步骤：在OLED基板表面进行镀膜，得到所述透明阴极；所述镀膜的材料为透明阴极材料；所述镀膜的方式为脉冲激光沉积。本发明采用了脉冲激光沉积技术在OLED基板表面镀透明阴极材料，得到了透明阴极，通过脉冲激光沉积技术的特性，有效的降低了镀膜ITO/IZO/IGZO等透明阴极材料的分子团能量，避免了OLED发光层出现薄膜损伤的现象
一种透明阴极及其制备方法 oled

[发明专利]一种使用脉冲激光沉积技术生长锆钛酸铅(PZT)纳米环的方法-CN201711241702.9有效
发明人：刘向力;王斌 -专利权人：哈尔滨工业大学深圳研究生院
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用脉冲激光沉积技术生长锆钛酸铅(PZT)纳米环的方法。本发明使用脉冲激光沉积方法，通过精确控制沉积温度、退火温度、退火时间、激光脉冲数、氧气压力等参数，实现了锆钛酸铅(PZT)纳米环的制备。
一种使用脉冲激光沉积技术生长锆钛酸铅 pzt 纳米方法

[发明专利]低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法-CN200410044605.7无效
发明人：杨少延;刘志凯;柴春林;陈诺夫;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-05-14 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明一种低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法，其特征在于：氧化物薄膜材料的沉积生长步骤如下：将氧化物靶材及清洗后的衬底置入生长室；将生长室抽真空；利用脉冲激光辐照氧化物靶材，同时用低能离子束装置产生的低能氧离子束轰击衬底，低能氧离子束起辅助生长与补充脉冲激光沉积法制备氧化物薄膜过程中缺失的氧的作用。
低能离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜方法

[发明专利]一种制造超导电缆导体薄膜的方法-CN201911278964.1在审
发明人：曹奎红;马江飞;马立明;马曼昆;曹琰 -专利权人：河北环亚线缆有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造超导电缆导体薄膜的方法，利用脉冲激光沉积分子束外延薄膜制备系统生产基片薄膜，脉冲激光沉积分子束外延薄膜制备系统配备有涡轮分子泵将沉积室抽成真空。本发明提高准分子激光器的波长、单脉冲能量，加速脉冲粒子束速率，采用低脉冲能量和高重复频率的方法达到高速沉积优质薄膜的目的。
一种制造超导电缆导体薄膜方法

[发明专利]一种基于脉冲激光沉积技术的铋氧硒外延薄膜制备方法-CN202210294266.6在审
发明人：乔梁;陈培;高云冲;周祥寅 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明属于薄膜沉积技术领域，具体提供一种基于脉冲激光沉积技术的铋氧硒外延薄膜制备方法，用以解决铋氧硒薄膜制备过程中出现的结晶度不高、杂质浓度过高等问题。本发明采用铋氧硒靶材，基于脉冲激光沉积技术于钙钛矿氧化物单晶衬底上外延生成铋氧硒薄膜，对脉冲激光沉积参数进行精准设计：设置背底真空小于9×10‑3Pa、靶材与衬底之间的距离为50mm～60mm、生长温度范围为400℃～510℃、生长时间大于2min～20min，设置脉冲激光的重复频率为1Hz～9Hz、脉冲激光聚焦在靶材上的能量密度范围为0.5J/cm2～4J/cm2、脉冲激光聚焦在靶材上的光斑面积为1～2.5mm2，最终制备得高结晶度、无杂质的铋氧硒外延薄膜
一种基于脉冲激光沉积技术铋氧硒外延薄膜制备方法

[发明专利]碳化硅的连接方法-CN202310033072.5在审
发明人：张宝亮;涂蒙河 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：连接方法包括：利用脉冲激光沉积法，在碳化硅基体的表面沉积致密的铝钛纳米颗粒层；将沉积有铝钛纳米颗粒层的碳化硅基体对接；对对接后的碳化硅基体进行钎焊，以将碳化硅基体连接为一体。本申请的实施例提供的碳化硅的连接方法，铝钛纳米颗粒层可以作为连接碳化硅基体的连接层；同时，通过脉冲激光沉积法沉积形成的连接层的颗粒为纳米级大小，可以降低碳化硅基体钎焊时所需的温度；此外，利用脉冲激光沉积法，可以在更多形状的碳化硅基体表面沉积连接层，降低了碳化硅基体形状对连接的限制。
碳化硅连接方法

[发明专利]一种厚度可控纳米多孔金属薄膜的制备方法-CN201410603878.4有效
发明人：杨晓朋;马振壬;曹丙强;乔振松 -专利权人：济南大学
申请日： 2014-11-03 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光脉冲沉积制备纳米多孔金属薄膜的方法，首先根据所需比例制作镂空的A金属片，A金属片与B金属片复合作为靶材；然后在衬底上用脉冲激光沉积方法以靶材为原料沉积一层合金薄膜，真空腔内真空度10^-5-10⁵Pa，薄膜沉积时衬底温度为50-1100摄氏度，激光频率为1-10Hz，激光能量为50-300mj，根据脉冲激光次数和激光能量密度调节合金薄膜厚度。本发明无需高温熔炼合金，薄膜厚度可根据脉冲次数精确可控，节省原料，孔径可根据加热保温时间调节。
一种厚度可控纳米多孔金属薄膜制备方法

[发明专利]一种激光辅助电沉积制备梯度镀层的方法及装置-CN202110941303.3有效
发明人：徐坤;沈文嵘;郭盛;朱浩;张朝阳;鲁金忠;王亮;吴予澄 -专利权人：江苏大学
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C25D5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光辅助电沉积制备梯度镀层的方法及装置，在工件基板上利用脉冲激光和电化学反应电沉积出沉积层的同时利用脉冲激光的热量对工件基板表面的沉积层进行重熔，获得均匀分布的重熔层，随后利用残余热量诱导电镀另外，本发明装置可以实现激光束和工件基板之间的相对运动，从而可利用多个脉冲激光的热量累积效应在工件表面引发瞬时重熔。
一种激光辅助沉积制备梯度镀层方法装置

[发明专利]一种基于钛纳米薄膜的脉冲激光参数测定方法-CN202210669929.8在审
发明人：邱璐;陈翔宇;陶智;朱剑琴 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G01J1/50 文献下载
摘要：本发明提供一种基于钛纳米薄膜的脉冲激光参数测定方法，属于脉冲激光参数测定方法领域。该方法先制备钛纳米颗粒墨水；然后通过喷墨打印或旋涂制备钛沉积层；最后将钛沉积层置于激光扫描范围内，设定单点或线路扫描模式，记录烧结后钛烧结区域图像，通过图像处理软件分析获得相应激光参数。本发明的方法能够直观、便捷、低成本获得主要脉冲激光参数，且能够较准确得获得光斑尺寸与重复频率等参数。
一种基于纳米薄膜脉冲激光参数测定方法

[发明专利]采用脉冲激光沉积工艺制备大面积超导薄膜的方法和装置-CN200410098799.9无效
发明人：刘震;周岳亮;何萌;王淑芳;程波林;金奎娟;陈正豪;吕惠宾;杨国桢 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2004-12-16 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用脉冲激光沉积工艺制备大面积超导薄膜的方法和装置，首先用真空机组将真空室内抽真空，然后向真空室内充入高纯度氧气再启动旋转加热器使基片升温并保持该温度直到薄膜沉积完成；再打开激光扫描控制系统，使激光脉冲打到靶面上靶材升华形成的羽辉到达基片表面沉积成膜；实现上述方法的装置包括反射镜、真空室、聚焦透镜、旋转加热装置、基片、靶材固定装置、真空机组、脉冲激光发生装置和测温仪；采用上述方法和装置得到的薄膜的组分与靶材一致，而且可方便得到双面、不同面积的薄膜，整个沉积过程沉积条件易控制、沉积速率高；上述装置还具有设备简单成本低、操作方便、便于引入新技术的优点。
采用脉冲激光沉积工艺制备大面积超导薄膜方法装置

[发明专利]制造激光二极管基座的激光烧蚀工艺和激光二极管单元-CN201380028022.2有效
发明人：亚历山大·奥夫契尼可夫;伊格尔·贝尔谢夫;阿列克谢·科米萨诺夫;斯韦勒坦·图德洛夫;帕维尔·特鲁边科 -专利权人： IPG光子公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：一种制造激光二极管基座的方法包括提供底座的步骤，底座配置有陶瓷载体和在衬底上沉积的金属层。该方法还包括使用脉冲激光器，脉冲激光器操作为产生多个脉冲，所述多个脉冲在金属层表面上以预定的图案选择性排列，从而将金属层的所需区域烧蚀至所需深度。随后，将底座分割为多个基座，每一个基座均支撑激光二极管。金属层包括在陶瓷上沉积的并且厚度足以有效地促进散热的银子层。
制造激光二极管基座激光工艺单元

[发明专利]一种提高脉冲激光沉积薄膜均匀性与面积的光学沉积系统与方法-CN202110998579.5有效
发明人：马飞;王琛;路文墨 -专利权人：西安交通大学;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高脉冲激光沉积薄膜均匀性与面积的光学沉积系统与方法，该系统依次设置有真空腔体、透镜滑轨、反射镜滑轨和脉冲激光器。该系统能够制备大面积均匀薄膜的弊端。通过控制入射激光位置和脉冲发射的时机、数量，使得从靶材溅射出的等离子体均匀覆盖在基体表面，以获得大面积均匀的薄膜。
一种提高脉冲激光沉积薄膜均匀面积光学系统方法