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[发明专利]碲镉汞光伏探测器深能级缺陷的检测方法-CN200810200210.X无效
发明人：陆卫;殷菲;张波;甄红楼;李天信;陈平平;李志锋;李宁;陈效双 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测碲镉汞红外探测器深能级缺陷的检测方法，它是基于在激光辐照下，深能级被激活引起隧穿电流的原理，采用相敏检测技术(锁相放大器+机械斩波器)得到激光辐照下的反常电流信号，并除去常规的激光束诱导电流信号，剩下的即为深能级缺陷引起的陷阱辅助隧穿电流，可作为判断样品中深能级的标准，此电流值越大，样品中深能级缺陷数目越多。本发明的优点在于能独立表征对器件暗电流有贡献的深能级缺陷特性。
碲镉汞光伏探测器能级缺陷检测方法

[发明专利]检测宽禁带半导体中深能级缺陷态的方法-CN202010595872.2有效
发明人：杨学林;沈波;黄华洋;吴珊;沈剑飞;许福军;唐宁;王新强 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测宽禁带半导体中深能级缺陷态的方法，利用在高温下仍然能保持很好的二极管特性的重‑轻‑重掺杂pn二极管样品结构，通过测量不同填充电压的高温深能级瞬态电容谱来同时获得样品内的多子陷阱和少子陷阱的信号，最终利用阿列纽斯曲线得到样品内的深能级缺陷态能级位置和浓度的信息。本发明方法简单且快捷有效，能够精确地测定宽禁带半导体中深能级缺陷态的能级位置和浓度，对于研究宽禁带半导体材料中的深能级缺陷态能级位置和浓度及其对器件应用的影响将发挥重要的作用。
检测宽禁带半导体能级缺陷方法

[发明专利]一种大尺寸晶圆中深能级缺陷态的检测方法-CN202210801932.0在审
发明人：郑理;王昊;俞文杰;程新红;俞跃辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种大尺寸晶圆中深能级缺陷态的检测方法，所述检测方法包括：提供待检测晶圆；于所述待检测晶圆底面刻蚀形成若干个互不连接的刻蚀区，所述待检测晶圆底面未经刻蚀的区域被所述刻蚀区间隔为若干个未刻蚀区；于所述待检测晶圆底面形成底面金属层；于所述待检测晶圆顶面形成图形化的顶面金属层；测量所述待检测晶圆的深能级瞬态电容谱曲线，使用所述深能级瞬态电容谱曲线作出阿伦尼乌斯曲线，得到所述待检测晶圆的深能级缺陷的能级位置及浓度信息本发明所述大尺寸晶圆中深能级缺陷态的检测方法能够解决现有测量技术无法准确探测到大尺寸晶圆中深能级的缺陷态，同时也很难检测到缺陷态的浓度和能级位置的问题。
一种尺寸晶圆中深能级缺陷检测方法

[发明专利]双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法-CN202010735183.7在审
发明人：李兴冀;杨剑群;吕钢 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G01N23/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法，包括以下步骤：选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；选择至少2个不同的偏置电压，测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；根据深能级瞬态谱中的信号峰位置，判定缺陷是否为电离缺陷；根据深能级瞬态谱中的缺陷信号能级，判定缺陷类型为氧化俘获电荷或界面态；根据缺陷信号类型的判断结果，判定双极晶体管的电离损伤敏感区本发明检测方法基于深能级瞬态谱分析，能够快速判断和评估双极晶体管辐射损伤的敏感区，有利于推进辐射环境下双极器件性能退化等效性问题和抗辐射加固技术的研究。
双极晶体管电离损伤敏感部位检测方法

[发明专利]半绝缘碳化硅单晶-CN201010617348.7有效
发明人：陈小龙;刘春俊;彭同华;李龙远;王刚;刘宇 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：公开了一种半绝缘碳化硅单晶，包括本征点缺陷、深能级掺杂剂、本底浅施主和受主杂质；其中所述深能级掺杂剂和本征点缺陷的浓度之和大于浅施主和浅受主杂质浓度之间差值，且所述本征点缺陷的浓度小于深能级掺杂剂的浓度该单晶通过深能级掺杂剂和本征点缺陷共同作用来补偿浅能级杂质，以获得高质量的半绝缘单晶；该单晶经过高温1800℃退火后，电阻率没有明显降低，保持大于1×105Ω·cm。
绝缘碳化硅

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法-CN201210327148.7有效
发明人：程凯 -专利权人：程凯
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法，Ⅲ族氮化物半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的氮化物成核层；位于所述氮化物成核层上的氮化物缓冲层；位于所述氮化物缓冲层上的宽禁带深能级调制层；位于所述宽禁带深能级调制层上的氮化物沟道层；以及位于所述氮化物沟道层上形成的电极，所述宽禁带深能级调制层由含有深能级缺陷的Ⅲ族氮化物半导体层形成，所述深能级缺陷的浓度为一个常数或者由氮化物缓冲层向氮化物沟道层逐渐减小；所述宽禁带深能级调制层的禁带宽度大于所述氮化物沟道层的禁带宽度本发明通过在氮化物沟道层和氮化物缓冲层中间插入宽禁带深能级调制层，起到控制漏电流，降低电流崩塌效应的作用。
氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底-CN201811204690.7有效
发明人：高超;刘家朋;李加林;李长进;李霞;张红岩 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：该半绝缘碳化硅单晶包含浅能级杂质、低浓度深能级掺杂剂和极少量本征点缺陷；所述深能级掺杂剂与所述本征点缺陷共同补偿浅能级杂质，所述深能级掺杂剂的浓度小于掺杂半绝缘碳化硅单晶中深能级掺杂剂的浓度；所述本征点缺陷的浓度为室温下碳化硅单晶中的本征点缺陷原生浓度，所述本征点缺陷浓度不影响碳化硅单晶电学性能的稳定性。
一种掺杂少量质量绝缘碳化硅衬底

[发明专利]一种有效分离深能级瞬态谱测试信号的数值模拟方法-CN201610963954.1有效
发明人：张玮;李欣益;陆宏波;张梦炎;张华辉;杨丞;陈杰;郑奕 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： G06F17/11 文献下载
摘要：一种有效分离深能级瞬态谱测试信号的数值模拟方法，包含：S0、利用深能级瞬态谱测试仪器测试得到深能级缺陷谱信号ΔC_exp(T_i)；S1、对化合物半导体Schottkysub>)；S4、将数值计算信号ΔC_sim(T_i)与仪器测试信号ΔC_exp(T_i)比较拟合，分析偏离情况；S5、调节深能级缺陷参数或数目本发明对化合物半导体Schottky势垒的深能级瞬态谱信号进行数值模拟并有效分离数个相互耦合的深能级缺陷，提高器件设计与测试分析的准确性。
一种有效分离能级瞬态测试信号数值模拟方法

[发明专利]一种判断电子器件费米能级发生钉扎效应的方法-CN201810135795.5有效
发明人：杨剑群;李兴冀;李何依;刘勇 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种判断电子器件费米能级发生钉扎效应的方法，涉及一种电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法。本发明为了解决目前还没有一种针对粒子辐射环境用电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法的问题。本发明首先利用软件计算辐照粒子在芯片材料中单个辐照粒子产生的空位数量，确定辐照粒子种类和能量，然后选择不同辐照注量进行辐照试验，辐照注量点不少于3个并对辐照后器件进行深能级瞬态谱测试；对比按照不同辐照注量的DLTS结果曲线，分别比较深能级缺陷和浅能级缺陷对应的信号峰，如果随着辐照注量的增大，深能级缺陷浓度升高且浅能级缺陷浓度降低，则器件材料发生了费米能级的钉扎效应。本发明适用于电子器件发生费米能级钉扎效应的确定。
一种判断电子器件费米能级发生效应方法

[发明专利]存储器-CN201910088556.3在审
发明人：吕杭炳;罗庆;许晓欣;龚天成;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器，包括多个存储器单元，其中，所述存储器单元包括：块体衬底；块体衬底上方的源极和漏极以及在源极和漏极区域之间延伸的沟道区；深能级缺陷介质层，位于沟道区之上；栅极，位于深能级缺陷介质层之上本公开的存储器通过提供生能级缺陷介质层，可以使存储单元能够在电荷俘模式以及极化翻转模态下工作，因此，该存储器兼具DRAM和NAND的功能，融合了两者的优点。
存储器介质层存储器单元深能级缺陷沟道区衬底块体源极能级存储单元极化翻转漏极区域电荷漏极模态融合延伸

[发明专利]双极晶体管位移损伤敏感部位的检测方法-CN202010735169.7有效
发明人：李兴冀;杨剑群;应涛;吕钢;董善亮 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种双极晶体管位移损伤敏感部位的检测方法，包括以下步骤：选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；选择至少2个不同的偏置电压，测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；根据不同的偏置电压下深能级瞬态谱中的信号峰变化，判定缺陷信号的类型；根据缺陷信号类型的判定结果，判定双极晶体管的位移损伤敏感区。本发明检测方法基于深能级瞬态谱分析，能够快速判断和评估双极晶体管位移损伤的敏感区，有利于推进辐射环境下双极器件性能退化等效性问题和抗辐射加固技术的研究。
双极晶体管位移损伤敏感部位检测方法

[发明专利]一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法-CN201410136007.6无效
发明人：李兴冀;刘超铭;杨剑群;马国亮;肖景东;何世禹;杨德庄 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： G01N27/61 文献下载
摘要：一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法，属于电子技术领域。解决了现有双极型晶体管的电离辐射损伤缺陷无法定量化的问题。它的过程为：首先，将双极型器件安装到深能级瞬态谱仪低温测试台上，保证双极型器件与深能级瞬态谱仪低温测试台紧密连接，并将双极型器件基极与集电极分别与深能级瞬态谱仪的高、低测试接头相连；其次，设置测试参数，脉冲宽度T_P及温度扫描范围，获得氧化物电荷和界面态的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽，最后，根据DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽获得双极型器件电离辐射损伤缺陷应用在缺陷检测领域。
一种基于能级瞬态技术双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法

[发明专利]一种半导体缺陷深能级瞬态谱精确模拟方法-CN202210769647.5在审
发明人：徐晓东;李兴冀;杨剑群;吕钢;魏亚东 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体缺陷深能级瞬态谱精确模拟方法，涉及模拟技术领域，本发明通过结合精确缺陷结构设计和模拟手段，精确定义深能级瞬态谱探测实验中观测缺陷的种类及结构，且模拟方法完全基于精确第一性原理杂化泛函获得各物理参数，并在量子力学密度泛函理论框架下构建，可准确预测DLTS缺陷表征实验结果，相比实验手段，本发明能够准确获得缺陷结构的详细信息，且成本低、效率高。
一种半导体缺陷能级瞬态精确模拟方法

[发明专利]一种光致电流瞬态谱自动化分析方法与系统-CN202010093124.4在审
发明人：叶建东;程东;陈选虎;巩贺贺;徐阳;任芳芳;顾书林 -专利权人：南京大学;南京大学深圳研究院
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：，在导带形成过剩载流子，并在空间电荷区驱动至外部电路，形成光致电流；激发光源为方波形式，即前半周期样品处于光激发状态，而后半周期则无光激发；当在光照激发条件下，光吸收形成的过剩载流子会被半导体样品中的深能级陷阱缺陷俘获；而无光照时，深能级陷阱缺陷将释放出过剩载流子，这些载流子则是无光照条件下形成的过剩载流子，同样也会被外部电路收集形成电流，通过这一电流强度及电流随时间的变化关系，获得深能级缺陷的能级位置及陷阱密度信息
一种致电瞬态自动化分析方法系统

[发明专利]一种基于电声脉冲法计算绝缘材料陷阱能级分布的方法-CN201710948278.5有效
发明人：郝建;廖瑞金;杨丽君;李剑;成立;赵学童;袁媛;邹润豪;陈光辉;吴高林;王谦;李小平;张施令 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于电声脉冲法计算绝缘材料陷阱能级分布的方法，属于绝缘材料的电气性能表征领域。一是提出对快速和慢速消散的空间电荷分别进行电荷衰减规律的指数拟合分析方法，将传统空间电荷随消散时间的一阶动力学关系式改进为空间电荷随消散时间的二阶动力学关系式；二是基于获得的二阶动力学关系式中快、慢电荷初始衰减密度及衰减时间常数，通过改进的具有区分深、浅陷阱能级分布的计算公式分别获得快、慢电荷对应的深、浅陷阱的能级分布，进而实现判断引起深、浅陷阱能级分布改变的原因属于物理缺陷还是化学缺陷。
一种基于电声脉冲计算绝缘材料陷阱能级分布方法

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