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[发明专利]长波碲镉汞光伏器件物理参数的检测方法-CN200610148065.6无效
发明人：陆卫;全知觉;李志锋;李宁;甄红楼;陈平平;陈效双;李天信 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种长波碲镉汞光伏器件物理参数的检测方法，包括步骤：S₁、测量碲隔汞光伏器件的I－V曲线；S₂、利用关系式R＝dV/dI获得R－V曲线，S₃、根据碲镉汞的暗电流模型拟合获得器件的物理参数，根据本发明将为碲镉汞长波器件分析提供新的途径。
长波碲镉汞光伏器件物理参数检测方法

[发明专利]一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量的方法-CN201310191038.7有效
发明人：崔昊杨;李志锋;许永鹏;曾俊冬;唐忠;杨俊杰;汤乃云;朱武;陈琳 -专利权人：上海电力学院;中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量的方法，采用超快脉冲激光照射光伏型碲镉汞薄膜探测器，探测器输出信号呈现脉冲形式的光伏响应信号，数字存储示波器采集并储存光伏信号，探测器光伏响应信号为一个峰值时，为欧姆电极；当探测器光伏响应信号存在两个峰值时，判断电极界面存在肖特基接触，第一个光伏峰值由电极界面肖特基接触形成，第二个光伏峰值由pn结形成，分别计算肖特基接触形成和pn结形成的脉冲光伏的峰值，判断电极质量是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，适合于衡量器件的实际性能，对于研究碲镉汞的界面效应，发展有关碲镉汞界面的理论，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。
一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量方法

[发明专利]一种碲镉汞外延材料的P型热处理方法-CN202211512462.2在审
发明人：黄晟;黄立;杨朝臣;张冰洁;刘永锋;周文洪 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明属于一种半导体材料加工制备的技术领域，具体为一种碲镉汞外延材料的P型热处理方法。本发明在碲镉汞外延材料P型热处理的过程中同时提供碲蒸气、镉蒸气和汞蒸气，克服了现有技术碲镉汞外延材料P型热处理过程中不进行镉气氛保护导致的碲镉汞外延材料内外组分不均匀的技术缺陷，解决了传统碲镉汞外延材料热处理方式造成的碲镉汞材料表面原子层组分低的问题，在调整碲镉汞P型材料电学参数的同时，也能对碲镉汞材料表面提供碲蒸气和镉气氛保护。碲镉汞P型材料在液氮温度下的载流子浓度能得到有效地控制，可提高碲镉汞光伏器件的性能和制备良率，有利于降低生产成本，实现工业化批量生产。
一种碲镉汞外延材料热处理方法

[发明专利]碲镉汞薄膜材料表面氧化膜层的处理工艺-CN200610027038.3无效
发明人：李毅 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2006-05-29 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：碲镉汞薄膜材料表面氧化膜层的处理工艺，是将碲镉汞薄膜材料先用丙酮、无水乙醇、去离子水清洗后，经溴和无水乙醇溶液腐蚀，再用乳酸和乙二醇溶液进行表面处理，可获得氧化物极少甚至无氧化物的碲镉汞表面。可大大提高碲镉汞光伏探测器阵列的光电性能、成品率和可靠性，整个工艺过程简单，操作方便，重复性好，实用性强，对人体基本无伤害。可广泛用于碲镉汞材料表面的制备和碲镉汞光电器件的制造。
碲镉汞薄膜材料表面氧化处理工艺

[发明专利]对光伏装置提供氯化物处理的方法和氯化物处理过的光伏装置-CN201380038897.0无效
发明人：熊刚;斯科特·克里斯坦森;瑞克·C·鲍威尔 -专利权人：第一太阳能有限公司;熊刚;斯科特·克里斯坦森;瑞克·C·鲍威尔
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L31/073 文献下载
摘要：一种制造光伏装置的方法和氯化物处理过的光伏装置。该方法包括：在基底上沉积碲化镉层；使用化合物对碲化镉层进行处理，所述化合物包括氯并且包括1族-11族的元素、锌、汞或鎶或者它们的组合；以及将碲化镉层退火。
对光装置提供氯化物处理方法

[实用新型]多通道碲镉汞红外探测器-CN95244914.5无效
发明人：徐国森;方家熊;张凤山;潘建东 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 1995-10-23 - 公布日： 1996-11-13 - 主分类号： G01J1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种多通道碲镉汞红外探测器，是利用线性渐变滤光器与多元线列碲镉汞光导探测器组合在一冷块上，获得8-14微米多通道碲镉汞红外探测器，其光谱灵敏度达到0.2微米，通道数达30个，探测率Ｄ*λp≥２.５×１０10厘米·赫兹1/2瓦，响应率Rλp≥3.0×104伏/瓦。
通道碲镉汞红外探测器

[发明专利]碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺方法-CN201310251737.6无效
发明人：焦翠灵;王仍;徐国庆;林杏潮;张莉萍;邵秀华;张可锋;杜云辰;陆液 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺方法，该方法采用开管式热处理工艺方法，可以在气相外延腔体内完成。该方法可以用于将利用气相外延技术生长的N型薄膜材料调整到77K空穴浓度为0.5～10×1016cm-3左右，使得生长出的碲镉汞气相外延材料满足制作N-on-P结构红外光伏器件制作的要求；在碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺中，热处理过程中要对腔体进行抽真空，从而为系统提供一个不平衡的汞压环境，以利于汞空位的形成；同时该方法无需在待处理样品表面生长CdTe覆盖层，避免了CdTe覆盖层和碲镉汞材料之间因晶格失配在外延材料表面产生失配位错，从而为光伏器件制作过程中ＰＮ结性能的提高提供了一定的保证。另外该方法也能保证碲镉汞外延材料组分的稳定和表面形貌的完整性。
碲镉汞气相外延材料热处理工艺方法

[发明专利]一种集成有增透膜的碲镉汞红外焦平面及增透膜制备方法-CN201010198869.3有效
发明人：廖清君;邢雯;胡晓宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2010-06-11 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成有增透膜的光伏型碲镉汞红外焦平面及增透膜制备方法，该方法可以在保持碲镉汞红外焦平面模块结构的情况下，采用磁控溅射制备方法，通过工艺参数优化，低温生长了在特定的工作波段3.5～5um具有良好的增透射特性的增透薄膜，同时保证薄膜与碲镉汞红外探测器芯片衬底表面有很好的附着性，在高低温度变化过程中不脱落不改变性能。
一种集成增透膜碲镉汞红外平面制备方法

[发明专利]一种柔性碲镉汞量子点光探测薄膜的制备方法-CN202111382491.7在审
发明人：刘玉峰;房诗玉;房永征;田志新;王雅荣;张娜;赵国营;侯京山 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性碲镉汞量子点光探测薄膜的制备方法。本发明的制备方法包括：首先，将CdTe量子点旋涂在涂覆有掺铟的二氧化锡层的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)上，并通过退火增加薄膜的结晶程度和薄膜在PET上的附着力，随后将旋涂层朝上放置在含汞前驱体溶液中，随后进一步退火得到柔性碲镉汞量子点光探测薄膜本发明的工艺路线简单，薄膜致密度高，相比于外延法生长碲镉汞薄膜，本发明提供的方法实现条件较温和，操作简单，对于近红外光电探测器、光伏器件等领域上有很好的应用前景。
一种柔性碲镉汞量子探测薄膜制备方法

[发明专利]一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法-CN200810033428.0无效
发明人：乔辉;周文洪;叶振华;蒋科;贾嘉;李向阳 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2008-02-01 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法。该方法是对离子注入后的碲镉汞样品进行光刻定义出氢离子处理区域，然后将样品置于氢离子氛围中进行处理；氢离子处理区域大小的确定是通过变面积方法来确定，自初始定义的离子注入区域大小开始逐渐扩大氢离子处理区域，对经过不同区域氢离子处理的碲镉汞样品进行电流－电压曲线测量，通过观察反向偏压下暗电流的增大现象来确定氢离子处理区域的大小。
一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响方法

[发明专利]一种新型采光顶薄膜光伏屋面板及其连接装置-CN202111516803.9在审
发明人：周观根;姜楠;周逸铖;何鹏飞;魏豪;屠齐华 -专利权人：浙江东南网架股份有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： E04D3/35 文献下载
摘要：本发明属于光伏发电技术领域，具体涉及一种新型采光顶薄膜光伏屋面板及其连接装置，包括可作为屋面板的采光顶薄膜光伏板与连接组件；采光顶薄膜光伏板包括第一碲化镉光伏组件、第二碲化镉光伏组件以及位于第一碲化镉光伏组件与第二碲化镉光伏组件之间的发电玻璃；第一碲化镉光伏组件包括在发电玻璃一表面的数个喷涂区域，第二碲化镉光伏组件包括在发电玻璃另一表面的数个喷涂区域；喷涂区域均为碲化镉涂料喷涂而成；第二碲化镉光伏组件通过连接组件与檩条连接。本发明能够解决屋面板的采光问题；同时第二碲化镉光伏组件通过连接组件与檩条连接，能够提高采光顶薄膜光伏板与屋顶结构的装配效率。
一种新型采光薄膜屋面板及其连接装置

[实用新型]一种集成有增透膜的光伏型碲镉汞红外焦平面-CN201020224891.6无效
发明人：廖清君;邢雯;胡晓宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2010-06-11 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本专利公开了一种集成有增透膜的光伏型碲镉汞红外焦平面，它由增透膜、带有铟柱阵列的碲镉汞芯片、衬底、带有铟柱阵列的信号读出电路、键压引线、聚氨酯改性环氧树脂和宝石片引线基板构成。该结构中增透薄膜与碲镉汞红外探测器芯片衬底表面有很好的附着性，在高低温度变化过程中不脱落不改变性能。该结构中增透膜的制备方法特别适合在碲镉汞红外焦平面探测器经过深度减薄抛光后(芯片厚度小于50μm)的衬底表面上生长增透膜。
一种集成增透膜光伏型碲镉汞红外平面

[发明专利]一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法-CN201110355312.0有效
发明人：仇光寅;魏彦锋;陈倩男;孙权志;孙瑞赟 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是：使用特定腐蚀剂，对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀，过程中不损伤碲镉汞外延层材料，然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀，以消除可能的界面层。通过此样品后续的霍尔测试，可以正确标定碲镉汞外延材料的电学性质，排除碲镉汞界面层对碲镉汞外延材料电学性质的影响。本方法操作方便，仪器要求简单，能够有效的去除碲镉汞界面层。解决了长久以来，难以排除界面层对碲镉汞材料影响，正确标定碲镉汞电学参数的问题。这对研究碲镉汞外延材料特性有着重要意义。
一种去除碲镉汞界面霍尔样品制备方法

[实用新型]红外光谱细胞水分检测仪-CN03238711.3无效
发明人：邓梁 -专利权人：邓梁
申请日： 2003-02-21 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了由一种半导体制冷器(1)、碲镉汞红外探测器(3)、红外激光器(5)、石英毛细管(4)、钢球(12)等组成的红外光谱细胞水分检测仪。红外激光器(5)与碲镉汞红外探测器(3)聚焦相向安装，石英毛细管(4)安装在红外激光器(5)与碲镉汞红外探测器(3)聚焦相向安装的位置间，细胞在石英毛细管(4)内流动流经红外激光器(5)与碲镉汞红外探测器(3)聚焦区、被红外光透射，透过细胞的红外光被细胞含水分子吸收效应产生干涉光，干涉光信号被碲镉汞红外探测器(3)接受并输出被干涉光电转换信号，根据被干涉光电转换信号，计算出水分子的量数值。
红外光谱细胞水分检测

[发明专利]一种碲镉汞材料的钝化方法-CN201810884274.X在审
发明人：王经纬 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲镉汞材料的钝化方法，包括以下步骤：在分子束外延设备中得到碲镉汞材料之后，关闭除汞源以外的碲镉汞材料生长需要的源，升高碲镉汞材料的温度；当碲镉汞材料升高至碲化镉的单晶生长温度之后，打开碲化镉源，关闭汞源，在碲镉汞材料上生长碲化镉钝化膜层。本发明在碲镉汞生长完成后直接在生长碲镉汞的分子束外延设备中进行钝化，避免了由于材料表面沾污引起的表面漏电，进而提升了探测器的性能，同时，本方法获得的碲化镉钝化膜层为质量更好的单晶材料，可以与碲镉汞吸收层形成更好的互扩散层
碲镉汞材料碲化镉碲镉汞钝化分子束外延设备生长漏电钝化膜层升高红外探测器单晶材料单晶生长扩散层吸收层探测器除汞汞源减小沾污

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