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[发明专利]一种化工安全用气体检测装置-CN202210695271.8在审
发明人： 何世禹 -专利权人： 何世禹
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明属于化工安全装置技术领域，且公开了一种化工安全用气体检测装置，包括箱体、密封门、观察窗和气体检测仪，所述箱体内壁的顶部设置有风扇，所述箱体的背面固定安装有减速电机，所述减速电机的输出轴固定连接有转轴，所述箱体的内壁固定连接有支撑板，所述支撑板的底部固定连接有固定绝缘环，所述固定绝缘环的外表面活动套接有移动绝缘环。本发明通过利用两者的相互摩擦在固定绝缘环的内壁产生静电并将气体中的灰尘吸附，利用随移动板上下移动的刮环对固定绝缘环的内壁进行反复刮擦，保持固定绝缘环内壁金属部分与气体接触的面积，从而达到防尘的目的，以提高气体检测仪内部传感器的检测精度。
一种化工安全气体检测装置

[发明专利]一种化工安全用气体采样装置-CN202210696304.0在审
发明人： 何世禹 -专利权人： 何世禹
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01N1/22 文献下载
摘要：本发明属于气体采样技术领域，且公开了一种化工安全用气体采样装置，包括箱体，所述箱体内部的上方固定安装有气泵，所述气泵的顶部固定连接有第一进气管，所述第一进气管的另一端固定安装有过滤机构，所述气泵的底端固定连接有第二进气管，所述第二进气管的底端固定安装有出气嘴，所述第二进气管的外表面缠绕有线圈，所述线圈的一端固定安装有第一金属接片。本发明通过设置线圈、进气嘴和采样袋，与传统的装置相比，该装置对利用线圈通电产生磁场与采样袋存气膨胀的原理，在动力装置相互配合的情况下，实现对多个采样袋进行采样存气，提高了工作人员的采集效率，降低了工作人员的作业量。
一种化工安全气体采样装置

[发明专利]抗辐照双极器件及该器件的制备方法-CN201410135845.1有效
发明人：李兴冀;杨剑群;刘超铭;肖景东;何世禹 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：抗辐照双极器件及该器件的制备方法，涉及双极器件的抗辐照技术。它为了解决现有双极器件抗辐照能力差的问题。本发明在双极器件基区表面设置有以发射区为中心的高掺杂浓度区。抗辐照双极器件的制备方法为在完成基区扩散或离子注入后，进行发射区扩散或离子注入前，进行抗辐照加固方法，抗辐照加固方法首先在基区掩膜版的基础上制备基区表面掺杂掩膜版，基于该掩膜版向基区表面注入与基区体内相同的杂质离子，注入浓度为体区浓度的10～10000倍，最后进行退火处理。本发明通过改变基区表面结构及掺杂浓度，使器件失效阈值高了1.4～3.7倍。本发明适用于NPN器件、PNP器件、数字双极电路、模拟双极电路及数模/模数电路。
辐照器件制备方法

[发明专利]一种基于第二钝化层钝化方式的双极器件抗辐照加固方法-CN201410136054.0有效
发明人：李兴冀;刘超铭;杨剑群;肖景东;何世禹 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种基于第二钝化层钝化方式的双极器件抗辐照加固方法，涉及双极器件抗辐照技术领域。解决了双极器件的钝化层中，由于氧化物俘获正电荷和界面态的影响，导致双极器件的抗辐照能力低的问题。所述抗辐照加固方法包括以下步骤步骤一、采用传统工艺制备双极晶体管，并在双极晶体管上形成第一钝化层；步骤二、第一钝化层形成后，采用低压化学气相淀积法在第一钝化层上生长第二钝化层；步骤三、对第二钝化层进行离子注入；步骤四、对双极晶体管、第一钝化层和第二钝化层形成的一体结构进行退火工艺。本发明适用于提高双极器件抗辐照能力。
一种基于第二钝化方式器件辐照加固方法

[发明专利]一种基于氢离子注入的双极型器件ELDRS效应加速实验方法-CN201410135842.8有效
发明人：李兴冀;刘超铭;杨剑群;肖景东;何世禹;杨德庄 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种基于氢离子注入的双极型器件ELDRS效应加速实验方法，属于电子技术领域，本发明为解决现有双极型器件的ELDRS效应地面模拟实验没有加速实验的普遍适用方法，即不能用高剂量率辐照实验来实现低剂量率增强效应加速实验的问题。具体过程为根据选取的双极型器件钝化层厚度和密度，利用SRIM软件进行仿真，获取注入氢离子的能量与射程；利用TCAD软件进行仿真，获取抗辐照性能参数电流增益；改变氢离子的注量，使TCAD模拟双极型器件的电流增益变化量小于10%，记录氢离子注量；根据注入氢离子的能量、射程和注量，在钝化层中注入氢离子；对注入氢离子后的双极型器件进行辐照实验。本发明用于空间辐照环境中。
一种基于氢离子注入双极型器件 eldrs 效应加速实验方法

[发明专利]一次性获得不同尺寸和不同分布的撞击坑试样的试验装置及方法-CN201610213237.7在审
发明人：覃耀春;何世禹;常云琪 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：一次性获得不同尺寸和不同分布的撞击坑试样的试验装置及方法，本发明涉及获得撞击坑试样的装置及方法。本发明是为了解决现有获得撞击坑的高速撞击试验存在试验成本高和周期长的问题。本发明装置包括立板一(1)、试样(2)及立板二(3)。本发明方法步骤为：一、设计所述装置并设定入射弹丸撞击速度；二、根据所述装置和入射弹丸撞击速度进行高速撞击过程模拟，确定试验参数；三、依据确定的试验参数设计试样(2)的尺寸和排布后，固定立板一(1)、立板二(3)及试样(2)并进行高速撞击试验，使试样(2)表面获得不同尺寸和不同分布的撞击坑。本发明应用于获得撞击坑试验领域。
一次性获得不同尺寸分布撞击试样试验装置方法

[发明专利]一种锂离子电池正极材料LiM_xMn_2-xO₄纳米颗粒的制备方法-CN201410216400.6有效
发明人：覃耀春;何世禹 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：一种锂离子电池正极材料LiM_xMn_2-xO₄纳米颗粒的制备方法，涉及一种锂离子电池正极材料纳米颗粒的制备方法。是为了解决现有锂离子电池正极材料纳米颗粒的制备存在工艺复杂，原材料成本较高的问题。方法：一、将锂源化合物溶解于水得到溶液A，将锰源化合物、M源化合物和修饰剂溶解在油相溶剂中得到溶液B；二、将水相溶液A和油相溶液B加到反应釜里，反应后自然冷却至室温；三、用吸管吸取上层褐色清液到离心管中，加无水甲醇，有沉淀析出，再用无水甲醇洗涤，真空干燥即得到纳米颗粒。本发明的成本低廉，工艺简单；合成的纳米颗粒分散性好，尺寸可控；电化学性能稳定。用于制备锂离子电池正极材料。
一种锂离子电池正极材料 lim sub mn 纳米颗粒制备方法

[发明专利]一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法-CN201410135934.6有效
发明人：李兴冀;刘超铭;杨剑群;马国亮;肖景东;何世禹;杨德庄 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法，属于电子技术领域。适应了对位移辐射损伤小、双极型器件抗辐照能力强的双极型器件的需求。本发明利用双极型器件的结构参数，采用SRIM软件模拟获得注入双极型器件的离子的能量和射程信息；采用TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化，改变双极型器件的离子注入量，使TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化量小于未注入离子时双极型器件电流增益的10%，记录离子注入量；并根据注入双极型器件的离子的能量、射程信息和离子注入量设置离子注入机的电压、电流和注入时间，最后进行退火处理，实现双极型器件抗位移辐照加固。本发明适用于对双极型器件进行抗位移辐照加固。
一种基于离子注入方式双极型器件位移辐照加固方法

[发明专利]一种基于钝化层离子注入方式的双极型器件的抗电离辐照加固方法-CN201410135913.4有效
发明人：李兴冀;刘超铭;杨剑群;肖景东;何世禹 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种基于钝化层离子注入方式的双极型器件的抗电离辐照加固方法，属于电子技术领域。本发明目的是针对目前的双极型器件表面的氧化物俘获正电荷和界面态使得双极型器件的抗辐照能力减弱的问题。本发明所述基于钝化层离子注入方式的双极型器件抗电离辐照加固方法，首先通过对离子种类为F、Cl、Br、I和As离子采用SRIM和TCAD软件进行模拟仿真，仿真获得离子能量、射程与注量，再进行离子注入。入射离子选用F、Cl、Br、I和As元素形成电离辐射缺陷的俘获陷阱，可降低电离辐射缺陷的密度。通过钝化层离子注入方式，减小氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能的影响，提高双极型器件的抗辐照能力，用于航天器用电子器件的抗辐照加固。
一种基于钝化离子注入方式双极型器件电离辐照加固方法

[发明专利]基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法-CN201410136016.5有效
发明人：李兴冀;杨剑群;刘超铭;肖景东;马国亮;何世禹;杨德庄 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法，涉及电子技术领域。它是为了解决低剂量率增强试验的测试时间长，导致过剩基极电流和电流增益产生较大的影响的问题。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低低剂量率增强效应试验的时间与费用，同比降低了15%以上，也可为优化双极晶体管和电路抗辐照性能提供必要依据，减小过剩基极电流和电流增益产生的影响，同比减小了15%，对电子元器件的低剂量率增强效应测试和研究具有重大的意义。本发明适用于电子技术领域。
基于改变温度剂量率增强效应加速实验方法

[发明专利]一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法-CN201410136051.7有效
发明人：李兴冀;王敬贤;刘超铭;刘文宝;杨剑群;季轩;田智文;何世禹 -专利权人：哈尔滨工业大学;中国航天标准化研究所
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法，属于电子技术领域。本发明是为了解决现有的双极器件在空间辐射环境下会产生电离及位移效应，双极器件受辐射损伤后电性能指标下降的问题。本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件通过多晶硅连接双极器件的金属层与发射区的方式进行连接，从而达到抑制双极器件在空间辐射环境产生电离及位移辐射损伤的目的；本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件的制备方法，在保留了传统的双极器件制备工艺的同时，制备出了能够大幅度降低辐射损伤的双极器件。本发明适用于双极器件抗辐照加固技术应用中。
一种基于发射极电极接触方式辐照器件制备方法

[发明专利]一种基于高温氢气浸泡技术的双极型器件低剂量率增强效应加速试验方法-CN201410136726.8有效
发明人：李鹏伟;李兴冀;赵玉玲;刘艳秋;刘广桥;刘超铭;周捧娟;孙毅;杨剑群;朱伟娜;何世禹 -专利权人：中国空间技术研究院;哈尔滨工业大学;石家庄天林石无二电子有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：一种基于高温氢气浸泡技术的双极型器件低剂量率增强效应加速试验方法，涉及电子技术领域。本发明是为了解决现有的地面实验采用实际空间环境的低剂量率评估电子元器件进行抗辐射能力，导致辐照时间长的问题。本发明所述的采用TCAD软件模拟氢气气氛下的双极型器件电性能及电离辐射缺陷的变化规律，根据氢气气氛中双极型器件内的氧化物电荷与界面态密度，获得氢气浸泡的时间与氢气浓度，通过氢气浸泡、加热，加速双极型器件内部的电离辐射缺陷产生，从而起到加速低剂量率增强效应评价的作用，达到用高温氢气浸泡条件下高剂量率辐照双极型器件与低剂量率条件下辐照双极型器件的辐照时间相比所用的时间短的目的。它可用于航天电子系统中。
一种基于高温氢气浸泡技术双极型器件剂量率增强效应加速试验方法

[发明专利]一种抗辐照加固双极型晶体管及该晶体管的制备方法-CN201410135478.5有效
发明人：刘广桥;李兴冀;赵玉玲;刘艳秋;段庆禄;杨剑群;孙毅;刘超铭;李鹏伟;宋桂芬;何世禹 -专利权人：石家庄天林石无二电子有限公司;哈尔滨工业大学;中国空间技术研究院
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种抗辐照加固双极型晶体管及该晶体管的制备方法，属于电子技术领域。它是为了解决现有双极型晶体管抗辐照能力低的问题。一种抗辐照加固双极型晶体管，发射区以基区的对角线为对称线呈左右对称的正方形对称梳状结构，该对称线两侧对称向外延伸出n对矩形齿结构，每对矩形齿结构之间的夹角均为90度；上述晶体管的制备方法，在掺杂元素扩散形成基区时，基区的扩散结深度在1μm至2.5μm之间；在基区的表面扩散一层硼；掺杂元素扩散形成发射区时，发射区的扩散结深度在0.5μm至2μm之间；在氧化时，保证干氧的厚度在1nm至10nm之间，湿氧的厚度在200nm至1μm之间。本发明适用于商业化抗辐照双极型晶体管的应用及生产。
一种辐照加固双极型晶体管制备方法

[发明专利]基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法-CN201410135985.9有效
发明人：李兴冀;赵玉玲;刘超铭;刘广桥;孙毅;杨剑群;韩力争;刘艳秋;李鹏伟;赵运霞;何世禹 -专利权人：哈尔滨工业大学;石家庄天林石无二电子有限公司;中国空间技术研究院
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/328 文献下载
摘要：基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法，涉及电子技术领域。它是为了解决现有的双极晶体管及电路在空间辐射环境中的电流增益损伤程度大，双极器件抗辐照能力低的问题。本发明的双极器件抗辐照加固方法保留了传统的双极器件工艺技术，制造工艺步骤非常简单。本发明所提出的新型技术可通过改进发射区几何结构，能大幅度降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能参数的影响，显著增强双极器件的抗辐照能力，同比增强了2-5倍。本发明适用于电子技术领域。
基于发射几何结构器件辐照加固方法

[发明专利]一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法-CN201410136007.6无效
发明人：李兴冀;刘超铭;杨剑群;马国亮;肖景东;何世禹;杨德庄 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： G01N27/61 文献下载
摘要：一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法，属于电子技术领域。解决了现有双极型晶体管的电离辐射损伤缺陷无法定量化的问题。它的过程为：首先，将双极型器件安装到深能级瞬态谱仪低温测试台上，保证双极型器件与深能级瞬态谱仪低温测试台紧密连接，并将双极型器件基极与集电极分别与深能级瞬态谱仪的高、低测试接头相连；其次，设置测试参数，该参数包括反向偏压V_R、脉冲电压V_P、测试周期T_W、脉冲宽度T_P及温度扫描范围，获得氧化物电荷和界面态的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽，最后，根据DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽获得双极型器件电离辐射损伤缺陷。应用在缺陷检测领域。
一种基于能级瞬态技术双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法

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