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[发明专利]一种改善闪存单元的工艺集成方法-CN201711099991.3有效
发明人：田志;蔡彬;殷冠华;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明提出一种改善闪存单元的工艺集成方法，包括：器件离子注入形成衬底结构；依次沉积闪存氧化层、浮栅多晶硅层和氮化硅层；形成浅沟槽隔离结构并在其中沉积氧化硅层；进行预清洗处理，刻蚀去除部分氮化硅层以及浅沟槽隔离结构中的部分氧化硅层，露出浮栅多晶硅尖角；氧化露出的浮栅多晶硅尖角，使尖角处圆滑；进行刻蚀处理，去除浅沟槽隔离结构中的部分氧化硅层，同时去除用于浮栅多晶硅尖角圆化的氧化硅；刻蚀去除所述氮化硅层直至露出所述浮栅多晶硅层。本发明利用增加的氧化硅将浮栅极的尖角提前圆弧化，同时实现浮栅极尖角的圆弧化和闪存单元浮栅极顶部未受损伤的闪存单元，从而为继续缩减的闪存单元提供了另一种优化的方法。
一种改善闪存单元工艺集成方法

[发明专利]一种非易失性存储单元、阵列及其制作方法-CN201910024107.2有效
发明人：陈耿川 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10B41/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储单元、阵列及其制作方法，该非易失性存储单元包括衬底、浮栅结构及字线结构，其中，浮栅结构包括L型浮栅导电层，字线结构的字线介电层包括依附于浮栅水平导电部上表面的水平介电部及依附于浮栅垂直导电部侧面的垂直介电部，字线结构的字线导电层交迭于浮栅结构的部分构成字线侧墙，该字线侧墙依附于垂直介电部的侧壁与水平介电部的上表面。本发明的非易失性存储单元、阵列中，字线侧墙同时与L型浮栅导电层的垂直导电部、水平导电部相对，从而与浮栅导电层之间具有较大的相对面积，可以实现控制栅到浮栅极高的耦合比。同时，由于L型浮栅导电层的厚度很薄，可以降低结构复杂度及工艺复杂度，实现相对简单的制造工艺。
一种非易失性存储单元阵列及其制作方法

[实用新型]一种绿色泡沫浮岛-CN201821411160.5有效
发明人：沈士华;裘金玉;陈剑平;杜犇;董铸梁 -专利权人：杭州晨航环境工程有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： C02F3/32 文献下载
摘要：本实用新型属于生态保护技术领域，具体涉及一种绿色泡沫浮岛，包括浮岛框架，浮岛框架内设置上种植层、中间层和下种植层，中间层容水通过，上种植层内设置多个种植框，种植框内连接设置种植陆上植物的第一种植篮，下种植层设置种植沉水植物的第二种植篮；浮岛框架的四周设置一圈泡沫浮块，泡沫浮块上均匀固定连接四个垃圾桶固定圈，垃圾桶固定圈上固定水上垃圾桶。本实用新型的泡沫浮岛设置了上种植层和下种植层，可分别种植陆上植物和沉水植物，丰富生态浮岛的生态环境，而且还设置了水上垃圾桶，可以清理水上垃圾，帮助净化水体。
垃圾桶浮岛框架上种植层下种植层浮岛本实用新型沉水植物陆上植物绿色泡沫固定圈中间层种植框种植篮浮块种植均匀固定生态保护生态浮岛生态环境水上垃圾内连接水体净化帮助

[发明专利]阵列基板及显示器-CN201410500511.X在审
发明人：周士翔;周政盈 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种阵列基板及显示器，阵列基板包括多条扇出导线、多个浮置图案以及绝缘层。多条扇出导线位于基底上。多个浮置图案配置于扇出导线上且电性绝缘于扇出导线，其中各浮置图案仅与两相邻扇出导线或仅与三相邻扇出导线重叠。绝缘层位于扇出导线以及浮置图案之间。本发明的显示器包括如上所述的阵列基板以及配置在阵列基板上的显示层。在本发明的阵列基板中，浮置图案配置在扇出导线上，因此浮置图案可避免扇出导线受到表面刮伤或断线。此外，当经由后续制程而在浮置图案上配置保护层时，浮置图案可使得保护层的高度提高，且经由浮置图案与扇出导线的配置方式，可进一步提高保护层的保护效果。
阵列显示器

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200810098334.1无效
发明人：郑泰雄 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用MPS工艺实现闪存多晶硅浮栅的方法，包括在半导体衬底的有源区上形成隧道氧化层；然后在该隧道氧化层上并接触该隧道氧化层形成第一浮栅；然后在该第一浮栅上并接触第一浮栅形成第二和第三浮栅，其中第二和第三浮栅相对于第一浮栅垂直延伸；然后在第一、第二和第三浮栅上形成多亚稳态多晶硅层；然后在包括多亚稳态多晶硅层的半导体衬底上形成控制栅。因此，与平浮栅相比，它可以通过有限的面积增加电容器的表面积。从而，可以提高对闪存装置很重要的耦合器的分光比并提高半导体装置的产量和可靠性。
半导体装置及其制造方法

[实用新型]一种记忆体结构-CN201920360355.X有效
发明人：张明丰 -专利权人：江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：一种记忆体结构，包含基板、在基板上的浮栅介电层、在浮栅介电层上的第一浮栅及第二浮栅、分别在第一浮栅及第二浮栅上的第一控制栅极堆叠及第二控制栅极堆叠、选择栅极介电层及覆盖选择栅极介电层的选择栅极。第一凹槽分离第一浮栅及第二浮栅，且具有第一侧壁。第二凹槽分离第一控制栅极堆叠及第二控制栅极堆叠，且具有由第一侧壁凹陷的第二侧壁。选择栅极介电层覆盖第一凹槽及第二凹槽。本实用新型的记忆体结构具有较大的电场，使电子更容易通过F‑N穿隧方式由浮栅抹除至选择栅极。
浮栅选择栅极介电层控制栅极堆叠记忆体结构第一侧壁基板本实用新型电场第二侧壁凹陷穿隧覆盖抹除填充

[实用新型]一种用于基础底板的抗浮支撑装置-CN201922409098.7有效
发明人：张茜;毕亚文;常芳芳;于小刚;张金顺 -专利权人：山东天齐置业集团股份有限公司
申请日： 2019-12-28 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： E02D31/12 文献下载
摘要：一种用于基础底板的抗浮支撑装置，属于筏板施工技术领域。其特征在于：包括抗浮锚杆（2）、筏板钢筋（1）和孔（5），在筏板钢筋（1）下方的筏板基础层上开设孔（5），孔（5）内竖置抗浮锚杆（2），所述筏板钢筋（1）分为上下两层，上部的一层筏板钢筋（1）压制在抗浮锚杆（2）的顶部，下部一层筏板钢筋（1）设置在抗浮锚杆（2）的下部，上部的一层筏板钢筋（1）压制在抗浮锚杆（2）的顶部紧固连接。本实用采用抗浮锚杆代替传统的马凳筋，在基础垫层上钻孔，并在孔内安装抗浮锚杆，抗浮锚杆弯折段作为马凳，与传统筏板马凳支撑相比，无需专门下料，制作简单，施工速度大大提高，缩短工期。
一种用于基础底板支撑装置

[发明专利]一种带USB端口的设备-CN201680091359.1有效
发明人：戴勇军;刘晓松;张文亮;何成 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01R13/648 文献下载
摘要：印刷电路板具有至少两层布线层，所述至少两层布线层中的第一布线层具有第一浮地区和第一浮地区以外的线路，在所述第一浮地区与所述第一浮地区以外的线路之间填充有绝缘介质，所述至少两层布线层中的第二布线层与所述第一布线层相邻并通过绝缘材质隔离，所述第二布线层具有第一金属区，所述第一浮地区在所述第二布线层的正投影与所述第一金属区具有重合区域，所述第一浮地区和所述第一金属区不连接；所述USB端口的金属外壳上具有多个固定脚，所述多个固定脚固定在所述印刷电路板上，所述多个固定脚与所述印刷电路板的地不连接，所述多个固定脚包括第一固定脚，所述第一固定脚与所述第一浮地区相连接，所述第一固定脚与所述第一金属区不连接；所述第一浮地区的材质为金属。
一种 usb 端口设备

[发明专利]快闪存储器的形成方法-CN200810208186.4无效
发明人：蒋莉;蔡孟峰;常建光 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-29 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种快闪存储器的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有浮栅以及位于浮栅上的层间绝缘层；在半导体衬底上形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖浮栅；在多晶硅层上形成研磨保护层；平坦化研磨保护层和多晶硅层；刻蚀多晶硅层至露出半导体衬底，在浮栅位置的层间绝缘层上形成控制栅。本发明改善了多晶硅层从层间绝缘层上剥落的情况。
闪存形成方法

[发明专利]闪存器件的制备方法-CN202110258184.1在审
发明人：王旭峰;于涛 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存器件的制备方法，包括提供衬底，在所述衬底上依次形成第一介质层、浮栅层及第二介质层；依次刻蚀所述第二介质层及浮栅层以形成开口，所述开口显露出所述第一介质层，刻蚀完成后所述浮栅层形成浮栅尖端；在所述开口的侧壁上形成侧墙；在所述开口中填充擦除栅层；对所述擦除栅层进行退火工艺，且所述退火工艺的工艺气体为氮气。本发明避免浮栅尖端产生钝化，以提高闪存器件的擦除速率。
闪存器件制备方法

[外观设计]带图形用户界面的手机-CN201730450701.X有效
发明人：华华;杨雪 -专利权人：上海携程商务有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：界面变化状态图2显示的界面为兴趣点筛选浮层展开的样式，点击“兴趣点”浮层展开，再次点击，浮层收起，浮层内标签点击后被选中（显示为高亮）、再次点击取消选中，标签可多选，下方的重置按钮点击后可清空所选的所有标签，点击确定按钮保存选中，浮层收起，原“兴趣点”位置回显选择的标签，若选择多个标签则显示“文案…”（界面变化状态图3），点击页面下方灰色区域，浮层解散。界面变化状态图3显示的界面为目的地筛选浮层展开的样式，此浮层标签为单选，即选中某个标签浮层解散、“目的地”位置回显选中标签，点击页面下方灰色区域，浮层解散。界面变化状态图4显示的界面为时间／预算筛选浮层展开的样式，此浮层内每个类型的标签均为单选，即出发时间、出行天数和出行价格均为单选，默认进入时选中“含周末”选项（不回显宰筛选条上），点击页面下方灰色区域，浮层解散。
浮层选中标签变化状态外观设计筛选兴趣点图形用户界面点击页面灰色区域样式手机点击确定按钮出行标签点击手机屏幕选中状态用户展示运行程序重置按钮滑动预算高亮清空下层天数选项浏览保存图片

[发明专利]非易失性存储器装置-CN201910231443.4在审
发明人：林媛宣 -专利权人：卡比科技有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种非易失性存储器装置，包括：浮接栅极元件、控制耦合元件、抹除耦合元件及选择栅极元件。浮接栅极元件包含浮接栅极层。控制耦合元件接收控制电位以耦合控制电位至浮接栅极层，以使浮接栅极元件根据控制电位、字元选择电位及位元选择电位进行读取或写入。抹除耦合元件接收抹除电位以耦合抹除电位至浮接栅极层，以根据抹除电位进行抹除。选择栅极元件电性耦接于浮接栅极元件，根据字元驱动电位及源极驱动电位产生字元选择电位。本发明的非易失性存储器装置可减少对于浮接栅极元件的栅极氧化层的损坏，并提升元件的可靠度。
电位浮接抹除栅极元件栅极层字元非易失性存储器装置控制电位控制耦合选择栅极耦合元件读取栅极氧化层驱动电位提升元件元件电性元件接收源极驱动耦合控制可靠度耦合位元耦接写入

[发明专利]一种Y型结构的半浮栅器件的制造方法-CN201510435959.2在审
发明人：张红伟;黄秋铭 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种Y型结构的半浮栅器件的制造方法，包括：提供具有第一掺杂类型的半导体衬底，并在半导体衬底内形成包含具有第二掺杂类型的源区和漏区的有源区；在半导体衬底内且介于源区与漏区之间定义Y型凹槽开口区域；在Y型凹槽的表面形成栅介质层，淀积具有第一掺杂类型的浮栅，刻蚀所述Y型凹槽内的栅介质层和浮栅；在浮栅的一侧形成一个缺口，缺口的底部高于所述源区和漏区的底部并不高于栅介质层的顶部，使得源区与浮栅被栅介质层隔离；在源区、浮栅与漏区形成绝缘介质层，并在Y型凹槽靠近漏区一侧顶部的绝缘介质层和栅介质层的顶部之间定义并形成的一个浮栅开口区域，通过浮栅开口区域所述浮栅在所述Y型凹槽的顶部与漏区接触形成PN结接触。
一种结构半浮栅器件制造方法

[发明专利]一种水生植物浮床-CN202010390135.9在审
发明人：常锋毅;万端极;谢逾群;刘德富;李祝 -专利权人：湖北工业大学
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C02F3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种水生植物浮床，包括浮床单体，浮床单体之间通过种植架链接装置连接；浮床单体包括种植架浮力层和位于植架浮力层上方的水生植物种植层；水生植物种植层具有水生植物种植孔。本发明在具体实施时，可以根据现场面积采用1个或多个单体相连接而实现，拆卸便捷，且单体内的种植架浮力层具有自浮能力，具有排水口和进水口，便于根据浮床的种植物调整入水深度。浮床上的植物在生长过程中，通过种植架浮力层上方种植层的相对稳定的水体进行营养吸收，有利于提高浮床吸收污染物的效率。可以大量减少水体覆盖面积，便于调整种植密度，适用于不同种植密度的水生植物，其具有很强的稳定性，且便于拆卸组装，适合于河道型水库的人浮床制作。
一种水生植物

[发明专利]一种浮球液位开关的浮球-CN201110040594.5无效
发明人：胡凯华 -专利权人：司捷易兰姆布斯控制科技（苏州）有限公司
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01H35/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种浮球液位开关的浮球，包括第一半部和第二半部，所述第一、第二半部经热熔成型后形成所述浮球；所述第一、第二半部分别包括间隔开的热熔主焊接层和热熔辅助焊接层，所述热熔主焊接层和辅助焊接层之间具有与所述浮球的外部隔绝的外围空腔体所述浮球具有主焊接层和辅助焊接层，这两个焊接层通过热熔焊接的方式对浮球起到双层防漏的效果，使得浮球的外壳被完整的密封、不会出现漏水和漏气现象，并且外观美观；所述经过热熔形成的浮球，其主焊接强度分裂强度可达100磅以上，浮球焊接后不会在焊接边缘分裂，远优于一般的密封工艺；所述热熔形成的结构有利于流水线上的大规模快速的制造，且制造成本低、效率高，有利于推广。
一种浮球液位开关