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[发明专利]显示图层的方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质-CN202111329803.8有效
发明人：孙立尧;贾弘毅 -专利权人：北京达佳互联信息技术有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G06F3/04845 文献下载
摘要：本公开关于一种显示图层的方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，其中，上述显示图层的方法包括：接收对第一图层的第一操作，创建浮层管理器，其中，浮层管理器用于控制第二图层的显示和移除，第一图层和第二图层以堆叠的形式显示，从而根据浮层管理器的生命周期调整第一图层的显示方式，其中，浮层管理器的生命周期用于表征第二图层的显示时间和移除时间。本公开至少解决了现有技术中浮层与浮层下方的图层无法实现动态联动的问题。
显示方法装置电子设备计算机可读存储介质

[发明专利]闪存存储单元的形成方法-CN201310315027.5有效
发明人：曹子贵;贾敏 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种闪存存储单元的形成方法，包括：若干批次的半导体结构包括：衬底、位于衬底表面的隧穿氧化层、位于隧穿氧化层表面的浮栅层、位于浮栅层表面的牺牲层、以及位于牺牲层表面的掩膜层，掩膜层暴露出部分牺牲层表面；以掩膜层为掩膜，采用各向异性的干法刻蚀工艺依次刻蚀各批次的牺牲层和部分浮栅层，在各批次的牺牲层和浮栅层内形成第一开口，其中，每一待刻蚀批次的刻蚀时间的确定方法包括：通过待刻蚀批次前一批次的牺牲层厚度、待刻蚀批次前一批次的浮栅层刻蚀厚度、以及待刻蚀批次的牺牲层厚度获得待刻蚀批次的刻蚀时间。所述方法使各批次的浮栅层顶部表面凸起的顶端尺寸精确均一，从而提高闪存存储单元的擦除性能。
闪存存储单元形成方法

[实用新型]一种水产生物过滤装置-CN201721917948.9有效
发明人：毛凯 -专利权人：新昌县大成生物科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水产生物过滤装置，包括外壳组件、净化组件和舱体组件，所述外壳组件包括外壳本体、进水管、出水管、排污支管和排污管，所述进水管、所述出水管和所述排污支管均固定连接于所述外壳本体；由右到左，依次经过由所述隔板、所述全浮过滤材料层和所述半浮过滤材料层组成的过滤层，每组过滤层内的所述全浮过滤材料层因水的浮力浮起，而所述半浮过滤材料层则保持半浮状态，即有水时，所述全浮过滤材料层和所述半浮过滤材料层为分离状态，解决了机械过滤器中的过滤材料的比表面积偏小，效率低，比重大于水
过滤材料层过滤装置排污支管水产生物外壳本体外壳组件出水管过滤层进水管隔板本实用新型机械过滤器过滤器分离状态工作效率过滤材料净化组件反清洗排污管舱体浮力浮起省时省力

[发明专利]一种存储装置-CN201210365277.5有效
发明人：夏维 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：该存储装置包括：基板；位于所述基板上的源极；位于所述基板上的漏极；位于所述基板上的浮置栅极介电层；位于所述浮置栅极介电层上的浮置栅极，所述浮置栅极包含金属；位于所述浮置栅极上的选择栅极介电层；以及位于所述选择栅极介电层上的选择栅极
一种存储装置

[发明专利]嵌入式闪存器件的制备方法-CN202211369719.3在审
发明人：张家瑞;李志国;徐杰;周洋;蒋辉;赵慧;弓琴琴 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式闪存器件的制备方法，包括：提供一包含存储区和外围逻辑区的衬底，衬底上形成有栅氧化层、浮栅、ONO介质层、控制栅、第一氮化硅层；在存储区进行一些膜层制备的过程中，外围逻辑区的浮栅出现微笑效应；形成第二氮化硅层和光刻胶层；去除外围逻辑区上的光刻胶层；去除外围逻辑区上的第二氮化硅层、第一氮化硅层、控制栅、ONO介质层和浮栅，此时，外围逻辑区上的STI侧的栅氧化层中残留有浮栅多晶硅材料；去除外围逻辑区上残留的光刻胶层本申请采用快速热氧化工艺将浮栅多晶硅残留与栅氧化层融为一体，消除浮栅多晶硅残留，避免了后续湿法酸槽作业后浮栅多晶硅残留出现剥落缺陷的情况。
嵌入式闪存器件制备方法

[发明专利]一种半浮栅TFT存储器及其制备方法-CN202010346225.8有效
发明人：朱宝;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种半浮栅TFT存储器及其制备方法。本发明半浮栅TFT存储器包括：L型背栅；背栅底部上的L型阻挡层，其顶部与所述背栅的顶部相持平；在阻挡层底部上的L型浮栅，其顶部与所述阻挡层的顶部相持平；在浮栅底部的隧穿层，其上表面与所述浮栅的顶部相持平；在隧穿层和浮栅的上表面的沟道；在沟道上的源极和漏极；所述浮栅和沟道均为半导体材料，而且具有相反的导电类型，所述浮栅、所述沟道、所述阻挡层以及所述背栅构成栅控二极管。本发明的半浮栅TFT存储器数据写入和擦除全部通过栅控二极管来实现，可以加快数据擦写速度。
一种半浮栅 tft 存储器及其制备方法

[实用新型]一种水上充气浮毯-CN202020397816.3有效
发明人：林霖 -专利权人：上海域境建筑规划设计有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： B63B34/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水上充气浮毯，涉及水上浮毯技术领域，具体为一种水上充气浮毯，包括底毯，所述底毯的上表面固定连接有第一充气胶层，所述第一充气胶层的上表面固定连接有面毯，所述第一充气胶层的侧面分别固定连接有限位边该水上充气浮毯，通过第一充气胶层、限位边以及固定铝条的配合使用，利用限位边和固定铝条的配合使用，在对该水上充气浮毯进行收卷和使用时对浮毯的侧面进行限定，使浮毯不易变形，同时向第一充气胶层的内腔注入空气，不仅可以提高该水上充气浮毯的厚度，增加浮力，同时在浮毯受到踩压时，第一充气胶层下陷，减小底毯的变形，提高了该水上充气浮毯的稳定性。
一种水上充气

[发明专利]一种新型全接液浮盘及其实现方法-CN201711099681.1在审
发明人：孟翔宇 -专利权人：沃德林科环保设备（北京）有限公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： B65D88/34 文献下载
摘要：本发明提供一种新型全接液浮盘及其实现方法，浮盘密封好，能适用于内浮顶储罐和外浮顶储罐，施工时无需对罐体“开膛”从而安装方便。本发明提供的一种新型全接液浮盘，包括浸入并悬浮于液面浮盘主体，为复合多层结构，多层结构包括：底层复合层，是由导静电材料、玻璃钢和高强度树脂在储罐中现场复合形成的导电、耐腐蚀及达到预定强度的第一层结构；中间支撑层，重叠覆盖于底层复合层的上方；是由浮盘主体材料在储罐中现场构成的第二层结构；顶层复合层，重叠覆盖于中间支撑层的上方；是由导静电材料、玻璃钢和高强度树脂在储罐中现场复合形成的导电、耐腐蚀及达到所述预定强度的第三层结构；面漆层，覆盖顶层复合层的上表面。
浮盘复合层储罐接液导静电材料高强度树脂中间支撑层多层结构重叠覆盖玻璃钢耐腐蚀复合顶层导电浸入安装方便浮顶储罐主体材料层结构第三层第一层面漆层内浮顶上表面开膛罐体液面密封悬浮覆盖施工

[实用新型]一种新型全接液浮盘-CN201721485964.5有效
发明人：孟翔宇 -专利权人：沃德林科环保设备（北京）有限公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： B65D88/34 文献下载
摘要：本实用新型提供一种新型全接液浮盘，浮盘密封好，能适用于内浮顶储罐和外浮顶储罐，施工时无需对罐体“开膛”从而安装方便。本实用新型提供的一种新型全接液浮盘，包括浸入并悬浮于液面浮盘主体，为复合多层结构，多层结构包括：底层复合层，是由导静电材料、玻璃钢和高强度树脂在储罐中现场复合形成的导电及达到预定强度的第一层结构；中间支撑层，重叠覆盖于底层复合层的上方；是由浮盘主体材料在储罐中现场构成的第二层结构；顶层复合层，重叠覆盖于中间支撑层的上方；是由导静电材料、玻璃钢和高强度树脂在储罐中现场复合形成的导电及达到所述预定强度的第三层结构；面漆层，覆盖顶层复合层的上表面。
浮盘复合层储罐接液本实用新型导静电材料高强度树脂中间支撑层多层结构重叠覆盖玻璃钢复合顶层导电浸入安装方便浮顶储罐主体材料层结构第三层第一层面漆层内浮顶上表面开膛罐体液面密封悬浮覆盖施工

[发明专利]一种浮栅控制型近红外波段双向记忆的光电存储器及其制备方法-CN202110057215.7有效
发明人：王军;韩兴伟;韩超;韩嘉悦;刘澍锴;范书铭;李浩杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明属于光电存储器领域，具体公开了一种浮栅控制型近红外波段双向记忆的光电存储器及其制备方法，光电存储器包括从下至上依次设置的衬底层、浮栅层、介质层、导电沟道层和金属电极，所述浮栅层材料为富勒烯，用于存储载流子；所述导电沟道层吸收近红外光和提供导电沟道；所述介质层为大带隙绝缘材料，所述介质层与所述浮栅层之间形成势垒，所述介质层(3)与所述导电沟道层(4)之间形成势垒。在所述衬底层(1)和所述源电极(5)之间施加正向的电压时，所述浮栅层(2)中注入电子；在所述衬底层(1)和所述源电极(5)之间施加负向的电压时，所述浮栅层(2)中注入空穴，实现了近红外波段可调制的双向记忆的存储效果
一种控制红外波段双向记忆光电存储器及其制备方法

[发明专利]一种浮栅的制备方法-CN201210066527.5无效
发明人：肖海波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种浮栅的制备方法，具体步骤如下：步骤一:形成浅沟槽隔离（STI），依次沉积栅氧化层和浮栅；步骤二：再依次沉积第一阻挡层和第二阻挡层；步骤三：然后进行第二阻挡层的化学机械研磨（CMP），直至第一阻挡层；步骤四：以第二阻挡层作为阻挡层，去除浅沟槽隔离（STI）区域上面的第一阻挡层；步骤五：以第二阻挡层作为阻挡层，去除浅沟槽隔离（STI）区域上面的浮栅；步骤六：再用湿法依次去除有源区上面的第二阻挡层和第一阻挡层；步骤七：漏出浮栅，形成浮栅结构。本发明涉及的浮栅完全是炉管沉积出来的，没有经过CMP的研磨，其厚度是均匀的，有效地提高了编程和擦除的性能，非常适于实用。
一种制备方法

[实用新型]一种基于多层复合阻尼的浮置道床减振装置-CN202120502284.X有效
发明人：肖望强;张鸿权 -专利权人：厦门大学
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： E01B19/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及轨道交通领域，公开了一种基于多层复合阻尼的浮置道床减振装置，包括浮置道床、路基和隔振器，隔振器固定于路基上，浮置道床和基地混凝土之间具有浮起间隙，隔振器支承浮置道床；浮置道床包括基层和分别位于基层相对两侧面的两层阻尼复合层，阻尼复合层包括依次相贴合固定的第一阻尼层、第二阻尼层和第三阻尼层，第三阻尼层与基层的侧面相贴合，所述第一阻尼层的弹性模量大于第二阻尼层弹性模量，所述基层的弹性模量大于第一阻尼层、第二阻尼层和第三阻尼层的弹性模量，本实用新能够有效的降低浮置道床的振动，从而保证轨道交通的稳定运行。
一种基于多层复合阻尼道床装置

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510051526.7有效
发明人：杨震 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括：在半导体衬底上形成隧穿层后，在所述隧穿层上形成掺杂有N型离子的第一多晶硅层；之后刻蚀所述存储器区域上的第一多晶硅层，形成浮栅层；接着，在所述浮栅层上形成第一绝缘层后，在所述半导体衬底上形成的第二多晶硅层，所述第二多晶硅层覆盖所述浮栅层；刻蚀所述第二多晶硅层，在所述浮栅层上形成控制栅层，在所述存储器区域的半导体衬底上形成位于所述浮栅层一侧的选择栅层，所述浮栅层与选择栅层之间形成有间隙
半导体结构形成方法

[外观设计]用于手机的图形用户界面-CN201730149089.2有效
发明人：王鑫;卢刚;李远 -专利权人：北京三快在线科技有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：地图上还包括半透明浮层，该浮层中显示当前天气情况，例如下雨。该配送信息窗口浮于该半透明浮层之上显示。地图上还包括半透明浮层，该浮层中显示当前天气情况，例如下雪。该配送信息窗口浮于该半透明浮层之上显示。地图上还包括半透明浮层，该浮层中显示当前天气情况，例如雾霾。该配送信息窗口浮于该半透明浮层之上显示。地图上还包括半透明浮层，该浮层中显示当前天气情况，例如下雨。该半透明浮层浮于地图和配送信息窗口之上显示。地图上还包括半透明浮层，该浮层中显示当前天气情况，例如下雪。该半透明浮层浮于地图和配送信息窗口之上显示。
用于手机图形用户界面

[发明专利]非易失性存储器及其抹除方法-CN201510140206.9有效
发明人：郑育明 -专利权人：物联记忆体科技股份有限公司;郑育明
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：存储单元具有堆叠结构、浮置栅极、穿隧介电层、抹除介电层、源极区、漏极区、控制栅极以及栅间介电层。堆叠结构具有依次设置的删介电层、栅极、绝缘层。浮置栅极设置于堆叠结构的第一侧的侧壁。穿隧介电层设置于浮置栅极下。抹除介电层设置于栅极与浮置栅极之间。抹除介电层包括第一部分与厚度小于或等于第一部分的第二部分，且浮置栅极的转角部邻近第二部分。源极区与漏极区分别设置于堆叠结构与浮置栅极两侧。控制栅极设置于源极区与浮置栅极上。栅间介电层设置于控制栅极与浮置栅极之间，可以低操作电压操作，进而增加半导体元件的可靠度。
非易失性存储器及其方法