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[发明专利]一种控制闪存浮栅尖端的方法-CN201810800762.8有效
发明人：高学;杜天伦;韩国庆;徐涛 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制闪存浮栅尖端的方法，包括：提供一衬底；在衬底上形成浮栅层、栅极氧化层以及浮栅掩膜层；刻蚀浮栅掩膜层形成开口，并且形成具有斜率的第一侧墙；刻蚀浮栅层形成沟槽，在开口及沟槽处沉积氧化物形成氧化物层；刻蚀氧化物层形成与第一侧墙的侧面成结合面的第二侧墙，第二侧墙的斜面的斜率与第一侧墙的侧面的斜率相同，量测第二侧墙的斜面或者量测第一侧墙的侧面上下边的尺寸差值；刻蚀剩余的浮栅层和所述栅极氧化层，并沉积氧化物，刻蚀氧化物形成第三侧墙；去除浮栅掩膜层；根据尺寸差值，选择不同的回刻时间，对第二侧墙的斜面进行回刻工艺处理。最终，控制浮栅尖端的高度在预定的范围内，从而保持器件的性能。
一种控制闪存尖端方法

[实用新型]一种新型复合碳钢浮盘-CN201921696349.8有效
发明人：孟翔宇 -专利权人：沃德林科环保设备（北京）有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： B65D88/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型复合碳钢浮盘，在浮顶油罐内制造常规的碳钢浮盘后对碳钢浮盘的浸液部分进行施工，贯穿孔内壁由里向外，依次涂刷和/或铺设有特制底漆层A、光固化玻璃钢材料的预浸料层，贯穿孔的末端、底板的表层粘贴有一个环形的补强圈，补强圈的内圆正对着贯穿孔的内径；侧壁和底板由里向外依次涂刷和/或铺设有特制底漆层B、第一层光固化玻璃钢材料的预浸料层、第二层光固化玻璃钢材料的预浸料层和导电层。本实用新型在碳钢浮盘的下表面施工一层玻璃钢增强层，可以极大的延长碳钢浮盘的寿命，增加浮盘运行的安全性；采用新型的光固化玻璃钢预浸料施工工艺做为复合浮盘的玻璃钢主体，可以极大的提高施工速度，并且降低施工难度
一种新型复合碳钢浮盘

[发明专利]改进的双掺杂浮栅晶体管-CN201410405898.0有效
发明人：吕冬琴;叶好华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明涉及一种改进的双掺杂浮栅晶体管。根据本发明的一种浮栅晶体管，包括：半导体衬底；以及依次形成在所述半导体衬底上的隧道氧化层、浮栅层、栅间介质层、控制栅层，其中所述浮栅层包括叠层区域，所述叠层区域包括多个第一掺杂类型的多晶硅子层，所述多个第一掺杂类型的多晶硅子层彼此以层间介质层隔开，所述浮栅层还包括在所述叠层区域两侧的第二掺杂类型的第一反型区域，所述第二掺杂类型和第一掺杂类型不同。
掺杂类型浮栅晶体管浮栅层叠层多晶硅双掺杂衬底子层半导体层间介质层隧道氧化层栅间介质层控制栅层反型隔开改进

[实用新型]一种坑塘河道水质净化的组合式生态浮岛-CN202022393199.2有效
发明人：胡志鑫;刘书洪;陈丹;唐传祥 -专利权人：湖南艾布鲁环保科技股份有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C02F3/32 文献下载
摘要：本申请提供了一种坑塘河道水质净化的组合式生态浮岛，涉及水体污染治理技术领域。坑塘河道水质净化的组合式生态浮岛，包括可相互拼接的多个生态浮岛单元；多个生态浮岛单元均包括沿竖直方向设置的平面植物培植层及水草培植层；使用时，水草培植层设置于水体内，平面植物培植层浮设于水体的表面。本申请提供的坑塘河道水质净化的组合式生态浮岛，每个生态浮岛单元通过沿竖直方向设置的平面植物培植层及水草培植层，以形成垂直的立体式结构，具有培植生物量大，微生物种类丰富的特点，水体污染治理效果好。
一种河道水质净化组合式生态

[实用新型]一种用于污水处理的环保型生态浮岛-CN202120545619.6有效
发明人：黄鑫松;刘旭升;叶雯 -专利权人：武汉恒原环保设备工程有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C02F3/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于污水处理的环保型生态浮岛，包括浮框，浮框的下端设置有网格框，网格框的底端设置有隔板，隔板的下端设置有若干曝气管，曝气管通过连接气管与一端的鼓风机连接，浮框的下端且位于网格框的内部设置有填料，浮框的上端中部设置有若干种植槽，种植槽上设置有与填料连接的水生植物，浮框的一端两侧均设置有卡扣组件，浮框的另一端两侧均设置有与卡扣组件相配合的卡杆，填料由砾石层、陶粒层、麦饭石层和石英砂层组成，砾石层的下端设置有陶粒层，陶粒层的下端设置有麦饭石层，麦饭石层的下端设置有石英砂层。有益效果：结构稳定，抗水流冲击能力强，大大的提高了人工生态浮岛的实用性。
一种用于污水处理环保生态

[发明专利]闪存器件的制造方法及闪存器件-CN202010369408.1在审
发明人：徐杰;吴志涛;杜怡行;张家瑞;王飞飞 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法包括提供一衬底，在衬底上依次形成耦合氧化层、浮栅层、ONO结构、控制栅层；沉积第一介质层，并在第一介质层内形成字线窗口；刻蚀字线窗口下方的控制栅层、ONO结构；沉积第二介质层，并刻蚀第二介质层，露出浮栅层；沉积氮化硅层，并刻蚀氮化硅层，露出浮栅层；刻蚀字线窗口下方露出的浮栅层；清洗衬底，减少浮栅层和氮化硅层之间的第二介质层；沉积隧穿氧化层，隧穿氧化层延伸至浮栅层和氮化硅层之间；形成字线；解决了目前在提高闪存器件存储单元的擦除能力时容易损害器件性能的问题
闪存器件制造方法

[发明专利]一种浮栅晶体管存储器及其制备方法-CN201711079521.0在审
发明人：韩素婷;毛靖宇;周晔 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种浮栅晶体管存储器及其制备方法，所述浮栅晶体管存储器，包括柔性基板，以及自下而上设置在所述柔性基板上的漏源电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、阻挡层及栅极；所述漏源电极及栅极均为柔性电极；所述浮栅层由单层二硫化钼量子制成本发明解决了现有技术中浮栅晶体管存储器存储密度过低、柔韧性不足的问题。
一种晶体管存储器及其制备方法

[发明专利]一种新型气浮池-CN201911207510.5在审
发明人：阙凤翔;苏传好;朱国婷;詹玮;蒋莹 -专利权人：安徽节源环保科技有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C02F1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型气浮池,包括：反应区、气浮分离区和压力溶气气浮装置，其中：反应区外接污水进水管，反应区与气浮分离区之间设有气浮接触区，反应区与气浮接触区之间设有连通二者的过水管；气浮接触区内设有竖直布置的中央管，且中央管的顶端与过水管的出水端连接；气浮分离区和气浮接触区的上方设有刮渣板，气浮分离区内侧设有过滤层，所述过滤层水平布置以将气浮分离区分隔成位于过滤层上方的待净化区和位于过滤层下方的清水区；压力溶气气浮装置包括通过管路与清水区连接的压力溶气罐、以及安装在气浮接触区内并通过管路与压力溶气罐连接的溶气水释放器。
一种新型气浮池

[实用新型]一种内浮顶储罐的浮盘以及内浮顶储罐-CN202021975934.4有效
发明人：张玉平;蒲鹤;马开良;赵坤芳;管孝瑞;陶彬;张卫华;曹琛 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院;河北澳科中意环保科技有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： B65D88/46 文献下载
摘要：本申请提供了一种内浮顶储罐的浮盘，包括骨架层和覆盖所述骨架层的盖板层，所述骨架层的边缘设有一圈沿浮盘径向延伸的防沉片，所述防沉片靠近浮盘的一端通过扭簧与骨架层连接，远离浮盘的一端向上翘起形成弯勾部，所述弯勾部与内浮顶储罐的罐壁抵接本申请提供的内浮顶储罐的浮盘，通过在浮盘的边缘设置形状仿生于能够漂浮于水面的昆虫足部的防沉片，配合扭簧以及内浮顶储罐的内壁，使得浮盘在上下或左右晃动时不易被浸没至储液中，有效起到防止浮盘沉底的效果。并且，该防沉片还能够同时起到协助密封的作用，其玻璃钢的材质使其即使受到撞击也不易损坏，适用于内浮顶储罐中。
一种内浮顶储罐以及

[发明专利]闪存存储单元的形成方法-CN201710368805.5在审
发明人：黄冲;李志国;徐杰;李儒兴 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存存储单元的形成方法，包括步骤提供衬底，所述衬底表面具有第一介质层，第一介质层表面具有浮栅层；形成侧墙；以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述第一开口底部的浮栅层，直至暴露出衬底表面为止，在所述浮栅层内形成第二开口；在第一开口底部的浮栅层表面和第二开口底部的衬底表面形成第二介质层；在所述第二介质层表面沉积控制栅层，直到所述第一开口被完全覆盖；对所述控制栅层进行研磨，直到暴露所述第一开口，形成控制栅；在形成所述控制栅之后，去除所述牺牲层、以及所述牺牲层底部的浮栅层，形成浮栅；在所述第一侧墙、控制栅、浮栅和第三介质层两侧形成字线，提高了闪存存储单元的可靠性。
闪存存储单元形成方法

[发明专利]闪存器件的制造方法-CN201911373600.1有效
发明人：欧少敏;吴长明;冯大贵 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请公开了一种闪存器件的制造方法，包括：提供一衬底，衬底上依次形成有栅氧化层、浮栅多晶硅层、隔离层以及控制栅，控制栅的顶端形成有硅氮化物层，硅氮化物层和控制栅的周侧形成有侧墙，侧墙包括硅氧化物层，侧墙之间的浮栅多晶硅层上覆盖有硅氧化物层；通过ICP刻蚀设备对硅氧化物层进行刻蚀，使侧墙之间的浮栅多晶硅层暴露；通过ICP刻蚀设备对侧墙之间的浮栅多晶硅层进行刻蚀，直至侧墙之间的栅氧化层暴露，形成浮栅。本申请通过ICP刻蚀设备对闪存器件的硅氧化物层和浮栅多晶硅层进行刻蚀，降低了闪存器件的制造工艺的复杂度。
闪存器件制造方法

[发明专利]具有横向耦合结构的非易失性存储单元、存储单元阵列-CN201610161066.8有效
发明人：朴圣根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：一种非易失性存储单元包括：有源区，其沿第一方向延伸；选择栅电极层，其与有源区相交并沿第二方向延伸；浮栅电极层，其与有源区相交，并且沿第二方向延伸，其中浮栅电极层沿与选择栅电极层平行的方向延伸并与选择栅电极层间隔开；以及电介质层，其设置在选择栅电极层和浮栅电极层之间。选择栅电极层、电介质层和浮栅电极层大体上位于同一水平并一起形成横向耦合电容器，并且浮栅电极层的第一端部与有源区相重叠。
具有横向耦合结构非易失性存储单元阵列

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202011353399.3在审
发明人：田志;梁启超;邵华;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：在本发明提供的半导体结构的制备方法中，在浮栅层通过硬掩膜层遮蔽起来的情况下，对浅沟槽隔离结构进行离子注入和退火处理，从而使注入到浅沟槽隔离结构中的杂质离子扩散到浮栅层中，即，在实现对浮栅层进行掺杂的同时，降低了掺杂离子聚集在浮栅层低端的浓度，进而抑制了浮栅层多晶硅的晶粒增大，避免了浮栅层与隧穿氧化层的界面所包含的能谷数量减小，最终降低了存储单元在擦除操作时的操作时间，提高了擦除效率。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种制备浮栅的方法-CN201210077723.2无效
发明人：肖海波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-03-22 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种制备浮栅的方法。本发明提出一种制备浮栅的方法，通过采用在硅衬底上依次沉积栅氧化层、浮栅、氮化硅以后，蚀刻氮化硅、浮栅层、氧化层，并停在硅衬底上，去除光阻后，采用低温原子层沉积（ALD）法沉积一层氧化层，然后以前面工艺形成的图案作为阻挡层继续蚀刻硅衬底，由于采用大于50：1的刻蚀选择比使得所用的蚀刻工艺具有各向异性，在浮栅的侧壁形成氧化硅保护膜，使得在后续的高温工艺之后浮栅下面的氧化层厚度是均匀的，从而有效地保证了器件编程的性能。
一种制备方法

[发明专利]具有掩埋浮栅结构的闪存单元及其制造方法-CN200680003851.5无效
发明人：张伦铢;朴光五;宋福男;崔乘旭;金汉兴 -专利权人：株式会社伊柯塞尔半导体
申请日： 2006-01-24 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有掩埋浮栅结构的闪存单元和制造该闪存单元的方法。该闪存单元包括半导体衬底、控制栅、介电层、浮栅、浮栅、隧道氧化物层以及源区和漏区。控制栅形成在半导体衬底上，并由第一传导层形成。介电层形成在半导体衬底表面和控制栅之间。浮栅在介电层之下埋入半导体衬底，并由第二传导层形成。隧道氧化物层形成为在半导体衬底内围绕浮栅。源区和漏区互相分隔开，在半导体衬底内的浮栅和隧道氧化物层被设置在源区和漏区之间。
具有掩埋结构闪存单元及其制造方法