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[发明专利]分栅快闪存储器及其形成方法-CN201210559669.5有效
发明人：张雄 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：分栅快闪存储器的形成方法包括衬底上依次形成第一介质层、浮栅层；浮栅层上形成分立的第二介质层，第二介质层所在的区域为字线区；第二介质层周围形成第一侧墙，相邻第一侧墙之间的区域为源极线区；以第一侧墙为掩膜，刻蚀浮栅层和第一介质层至衬底；在源极线区形成源极线；去除第二介质层、及第二介质层下面的浮栅层和第一介质层，形成浮栅和浮栅介质层；在与字线区相邻的浮栅顶部尖端处以下的浮栅侧壁形成第三介质层；形成隧穿介质层，覆盖衬底、第三介质层、浮栅、第一侧墙和源极线表面；在字线区隧穿介质层上形成字线。
分栅快闪存及其形成方法

[发明专利]NOR FLASH的形成方法-CN202110209862.5有效
发明人：田志;梁启超;邵华;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种NOR FLASH的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括相邻的闪存区和逻辑区；在所述衬底的表面依次形成闪存氧化层、浮栅层和氮化层，所述闪存氧化层、浮栅层和氮化层均形成在所述闪存区和逻辑区上；依次刻蚀所述氮化层、浮栅层和闪存氧化层，以形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的填充物为氧化物；去除所述闪存区的所述氮化层，并对所述闪存区和逻辑区的所述浮栅层进行离子注入和退火，部分所述离子通过所述浅沟槽隔离结构的侧壁进入所述浮栅层；在所述闪存区的所述浮栅层上形成层间介质层；去除逻辑区的所述层间介质层和浮栅层，以形成闪存区的栅极结构。
nor flash 形成方法

[发明专利]具有U－形浮栅的快闪存储器的制造方法-CN200610077306.2无效
发明人：韩政男;金东灿;姜昌珍;池京求;沈雨宽;李晓山;洪昌基;崔相俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-04-26 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：提供一种具有U－形浮栅的快闪存储器的制造方法。该方法包括形成被间隙隔开的相邻隔离层以及在该间隙中形成隧道氧化物层。在隧道氧化物层上形成导电层至不填充间隙的厚度之后，在导电层上形成抛光牺牲层。隔离层上的牺牲层和导电层被除去，由此形成在间隙中自对准的U－形浮栅，以及同时在浮栅内部内形成牺牲层图形。然后凹陷选择的隔离层，以露出浮栅的侧壁。然后从浮栅除去牺牲层图形，以露出浮栅的上表面。
具有形浮栅闪存制造方法

[发明专利]一种水体修复的生态浮床-CN201910117606.6在审
发明人：彭立战;彭功明;彭立彬 -专利权人：河南丰汇农业技术有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： C02F3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种水体修复的生态浮床，包括浮床主体、箱体和生态室，顶层浮床主体为盘状结构，包含提供浮力的外侧环形承载部分与挺水植物种植盘，箱体内设有支撑层、基质层和培养层；浮床主体两端与箱体两端分别通过连接板固定连接本发明的生态浮床包括浮床主体、箱体和生态室，浮床主体可种植各种浮叶植物、挺水植物和漂浮植物；箱体用于种植具有污水净化功能的水生或陆生植物；生态室内设有载体层、营养物层和生物膜层，生物膜层可以分解水体中的氨氮和磷，降低水体中的氮、磷含量，有利于提高水体的溶氧率，通过浮床主体、箱体和生态室合理的配置，达到高效净化水体的效果。
浮床主体生态浮床水体生态室生物膜层水体修复挺水植物浮叶植物高效净化陆生植物盘状结构漂浮植物污水净化箱体两端营养物层基质层连接板培养层溶氧率载体层支撑层种植盘氨氮顶层浮力种植承载分解室内配置生态

[发明专利]浮栅及闪存的形成方法-CN202111574035.2在审
发明人：贾红丹;顾林;王虎;王裕晓;王震 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种浮栅及闪存的形成方法。所述浮栅形成方法包括：提供衬底，所述衬底内具有多个浅槽隔离结构，相邻的浅槽隔离结构之间构成凹槽，并且在相邻的浅槽隔离结构之间的衬底表面覆盖有隧穿介质层；形成浮栅层，覆盖所述浅槽隔离结构和所述隧穿介质层；对所述浮栅层进行退火，所述退火的温度为850℃～1200℃。所述闪存的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成浮栅；在浮栅上形成第二隧穿介质层；以及在所述隧穿介质层上形成控制栅。本公开实施例通过在形成浮栅后进行退火，能够改善在填充浮栅层时产生的空洞，进而提高制备出的闪存的良率和可靠性。
闪存形成方法

[实用新型]一种新型组合生态浮岛-CN201821975389.1有效
发明人：吉世明;劳燕雯;王磊;康兆雨 -专利权人：广州中科建禹环保有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C02F3/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型组合生态浮岛，包括浮岛本体，所述的浮岛本体内设有组合基质和挺水植物；所述的浮岛本体的表面设有土工织物层；在所述的浮岛本体远离挺水植物的一面沿远离挺水植物的方向依次层叠设有悬浮填料层和多孔填料层其优点在于：能够克服常规生态浮岛本体易破损、净化层单一等问题，不仅能够有效防止本体的破碎形成的二次污染，同时通过设置悬浮填料层在吸附污泥时不增加浮岛自身的负载，多孔填料层能固定浮岛本体；并且实现了水面、水中、水底三位一体的水体净化层，净化能力强，适用于各种类型黑臭水体生态治理。
浮岛生态浮岛挺水植物多孔填料层悬浮填料层新型组合有效防止本体本实用新型土工织物层二次污染净化能力水体净化水体生态依次层叠组合基质净化层水中污泥吸附三位一体破碎破损水面治理

[发明专利]在SST型闪存制作工艺中改善放电尖角的方法-CN200610147411.9有效
发明人：杨鹏;杨斌;龚新军 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-12-18 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种在SST型闪存制作工艺中改善放电尖角的方法，它提高保留最终浮栅的放电尖角上部的横向延展部分的可靠性，进而改善了放电尖角。它包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上生长一层浮栅氧化层，然后在浮栅氧化层上沉积一层浮栅多晶硅；步骤2，接下来再沉积一层薄膜层和一层氮化硅，并将氮化硅作为浮栅刻蚀时的硬掩膜层；步骤3，对氮化硅进行刻蚀，将部分浮栅多晶硅暴露出来；步骤4，再次沉积一层氮氧化硅，然后利用反应离子蚀刻氮氧化硅，并利用浮栅多晶硅作为刻蚀终止层，以形成氮氧化硅的侧壁保护层；步骤5，在浮栅多晶硅打开的地方进行局部热氧化和刻蚀，以形成放电尖角。
sst 闪存制作工艺改善放电方法

[发明专利]一种浮栅存储器及其制备方法-CN201710307191.X在审
发明人：许毅胜;熊涛;刘钊;舒清明 -专利权人：上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-05-04 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种浮栅存储器及其制备方法，该浮栅存储器包括：衬底；形成在所述衬底上的多个凹槽；形成所述凹槽内的隔离绝缘层，所述衬底的上表面高度高于所述隔离绝缘层的上表面，以形成衬底凸起；形成在所述衬底凸起上方的隧穿氧化层，所述隧穿氧化层延伸在所述隔离绝缘层上方；形成在所述隧穿氧化层上方的浮栅，所述浮栅覆盖所述隧穿氧化层；形成在所述浮栅上方的层间绝缘层，所述层间绝缘层延伸至所述隧穿氧化层上方；覆盖在所述层间绝缘层上方的控制栅本发明实施例提供的一种浮栅存储器及其制备方法，将浮栅存储器的沟道图形制作成三维凸起结构，减小了浮栅存储器的尺寸的同时，没有减小沟道长度，巧妙地避免了短沟道效应。
浮栅存储器隧穿氧化层衬底层间绝缘层隔离绝缘层浮栅制备上表面减小凸起短沟道效应沟道图形凸起结构控制栅延伸覆盖沟道三维制作

[实用新型]一种浮栅存储器-CN201720485135.0有效
发明人：许毅胜;熊涛;刘钊;舒清明 -专利权人：上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-05-04 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种浮栅存储器，该浮栅存储器包括衬底；形成在所述衬底上的多个凹槽；形成所述凹槽内的隔离绝缘层，所述衬底的上表面高度高于所述隔离绝缘层的上表面，以形成衬底凸起；形成在所述衬底凸起上方的隧穿氧化层，所述隧穿氧化层延伸在所述隔离绝缘层上方；形成在所述隧穿氧化层上方的浮栅，所述浮栅覆盖所述隧穿氧化层；形成在所述浮栅上方的层间绝缘层，所述层间绝缘层延伸至所述隧穿氧化层上方；覆盖在所述层间绝缘层上方的控制栅本实用新型实施例提供的一种浮栅存储器，将浮栅存储器的沟道图形制作成三维凸起结构，减小了浮栅存储器的尺寸的同时，没有减小沟道长度，巧妙地避免了短沟道效应。
一种存储器

[发明专利]覆膜浮球的结构及生产工艺-CN202010923432.5在审
发明人：陈银平;角田贤次 -专利权人：福建盛世中兴新材料有限公司;杰斯比高新材料（东莞）有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： A01K75/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种覆膜浮球的结构及生产工艺，其特征在于：覆膜浮球的结构包括由至少两个空心分体相互贴合形成的浮球，所述由至少两个空心分体相互贴合形成的浮球外围密封设有用于密封裹紧浮球的包裹膜层。本发明覆膜浮球的结构通过在浮球外围密封设有用于密封裹紧浮球的包裹膜层，从而在浮球受到外力碰损后，碎屑只会滞留在包裹膜层内，而不会外溢，从而有利于减小对环境的污染，此外通过该包裹膜层还可以减少水体对浮球表面的腐蚀、侵蚀等，有利于提高浮球的使用寿命。
覆膜浮球结构生产工艺

[发明专利]一种二次浮态浇筑式沉管结构及二次浮态浇筑方法-CN202310551033.4在审
发明人：关兴;黄文慧;张佳伟;吴海森;李星霖;陈立发;冯海山;唐嘉成;戴适天;叶林 -专利权人：中交第四航务工程局有限公司;中交四航局第二工程有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： E02D29/073 文献下载
摘要：本发明涉及一种二次浮态浇筑式沉管结构及二次浮态浇筑方法。一种二次浮态浇筑式沉管结构，包括顶板、底板和墙体，所述顶板包括第一已浇筑层和待浇筑层，所述待浇筑层位于所述第一已浇筑层上方。已浇筑的第一已浇筑层能够配合底板和墙体形成一个稳定的结构，能够在浮运时保持稳定，即未浇筑的待浇筑层不会影响浮运安全；通过预留未浇筑的待浇筑层，使得二次浮态浇筑式沉管结构相比于完整的沉管结构的重量更轻，在浮运时所需吃水更浅，浮运更加容易以及提高了浮运的安全性，且能够减小对浮运线路下方的河流的开挖加深，能够节约工程投资，且对待浇筑层二次浮态浇筑后形成完整的顶板，能够保证基槽内使用的沉管质量安全。
一种二次浇筑式沉管结构方法

[发明专利]存储器及其形成方法-CN201910001907.2有效
发明人：李冰寒 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种存储器及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底包括沿第一方向排布的擦除区、浮栅区和字线位线区，浮栅区位于擦除区两侧，字线位线区位于擦除区和浮栅区两侧；在衬底上形成浮栅极结构膜和位在浮栅极结构膜上的介质层，介质层内具有暴露出浮栅区和字线位线区的浮栅极结构膜的第一开口；在第一开口的侧壁形成第一侧墙；在第一开口底部形成控制栅极膜；在第一侧墙侧壁形成第二侧墙；去除第一侧墙、第二侧墙和介质层暴露出的控制栅极膜和浮栅极结构膜，形成浮栅结构层、控制栅极层和第二开口；去除擦除区上的介质层和浮栅极结构层，形成第三开口和浮栅极结构；在第三开口中形成擦除栅极结构。
存储器及其形成方法

[发明专利]间层多晶硅电介质帽和形成该间层多晶硅电介质帽的方法-CN201280054973.2有效
发明人：马修·S·罗杰斯;克劳斯·许格拉夫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：在某些实施例中，间层多晶硅电介质帽设置在基板的顶上，所述基板具有第一浮置栅极、第二浮置栅极和设置在第一浮置栅极与第二浮置栅极之间的绝缘层，所述间层多晶硅电介质帽可包括第一含氮层，设置在第一浮置栅极和第二浮置栅极的上部和侧壁的顶上；第一含氧层，设置在绝缘层的上表面和第一含氮层的顶上；第二含氮层，设置在第一含氧层的上部和侧壁的顶上；和第二含氧层，设置在第一含氧层的上表面和第二含氮层的顶上。
间层多晶电介质形成方法

[发明专利]P型MOS闪存存储单元、存储器及其制备方法-CN201510689863.9在审
发明人：孙艳辉;张冠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提供一种P型MOS闪存存储单元、存储器及其制备方法，所述P型MOS闪存存储单元包括浮栅，所述浮栅包括浮栅多晶硅层，所述浮栅多晶硅层为P型掺杂多晶硅层。采用P型多晶硅层作为浮栅，由于P型多晶硅层中的电子及空穴均位于能量较低的价带或导带与价带之间的带隙中，电子从所述浮栅跃迁至隧穿氧化层及半导体衬底需要较大的能力，可以有效地防止电子从浮栅中的流失，进而改善器件的数据存储性能
mos 闪存存储单元存储器及其制备方法

[发明专利]非易失性存储器及其制造方法-CN201510393338.2有效
发明人：郑宗文;郑育明 -专利权人：物联记忆体科技股份有限公司;郑宗文;郑育明
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器及其制造方法，该存储器包括存储单元，存储单元包括：堆叠栅极结构、浮置栅极、穿隧介电层、抹除栅介电层、辅助栅介电层、源极区与漏极区、控制栅极和栅间介电层，堆叠栅极结构具有依序设置的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极。浮置栅极设置于堆叠栅极结构的第一侧的侧壁，浮置栅极的顶部具有转角部。抹除栅极包覆转角部。穿隧介电层设置于浮置栅极下。抹除栅介电层设置于抹除栅极与浮置栅极之间。辅助栅介电层设置于辅助栅极与浮置栅极之间。源极区与漏极区分别设置于堆叠栅极结构与浮置栅极两侧。控制栅极设置于源极区与浮置栅极上。栅间介电层设置于控制栅极与浮置栅极之间，进而增加存储器元件的可靠度。
非易失性存储器及其制造方法

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