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- [发明专利]分栅式闪存器件的制备方法-CN202310323956.4在审
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汤志林
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-03-29
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2023-06-02
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H01L21/28
- 本发明提供了一种分栅式闪存器件的制备方法,包括提供衬底,衬底上形成有浮栅材料层,浮栅材料层覆盖衬底,浮栅材料层内形成有凹槽,凹槽的侧壁呈圆弧状;刻蚀凹槽底部的浮栅材料层以形成开口,开口暴露出衬底;采用RTO工艺氧化凹槽外侧的浮栅材料层的部分厚度,以形成牺牲层,牺牲层覆盖浮栅材料层;除去牺牲层及牺牲层下方的浮栅材料层,剩余的浮栅材料层构成浮栅层,且浮栅层远离开口的一侧具有浮栅尖端;在浮栅层远离开口的一侧形成字线,字线覆盖浮栅层的侧壁及部分浮栅尖端。通过RTO工艺将沟槽外部分厚度的浮栅材料层氧化为牺牲层,进而在保证浮栅尖端尖锐度不变的前提下降低浮栅尖端的高度,降低编程失效的风险。
- 分栅式闪存器件制备方法
- [发明专利]浮栅的制备方法-CN201610884653.X有效
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曹子贵;黄浩
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2016-10-10
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2019-02-01
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H01L21/28
- 本发明公开了一种浮栅的制备方法,包括提供一基底,在基底上自下至上依次形成浮栅层及掩膜层;在浮栅层和掩膜层中形成一沟槽,并在沟槽的两内侧形成第一侧墙;去除掩膜层,暴露出浮栅层;在暴露的浮栅层的上表面形成一浮栅保护层;对浮栅保护层和浮栅层进行浮栅刻蚀工艺,保留第一侧墙下方的浮栅层,以形成浮栅;在浮栅刻蚀工艺的击穿步刻蚀中,击穿步刻蚀的时间等于刻蚀浮栅保护层的固定时间与刻蚀部分浮栅层的时间之和。本发明通过上述击穿步刻蚀可以防止因所述浮栅层的厚度偏厚而导致浮栅尖端过高的现象,确保后续形成稳定的浮栅尖端,保证闪存性能的良好。
- 制备方法
- [发明专利]一种多浮层的展现方法和装置-CN201410820106.6在审
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惠焕桂;于佳
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乐视致新电子科技(天津)有限公司
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2014-12-24
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2015-04-29
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H04N21/431
- 本申请实施例提供了一种多浮层的展现方法和装置,其中,所述的方法包括:当在同一时间点存在至少两个待展现浮层时,依据所述待展现浮层的优先级和时间参数确定各待展现浮层的展现时间区间;所述各待展现浮层的展现时间区间不重叠;按照所述各待展现浮层的展现时间区间,分别对应展现各待展现浮层。本申请实施例通过在不同待展现浮层的展现时间区间发生冲突时,依据所述待展现浮层的优先级和时间参数确定各待展现浮层的展现时间区间,使得各待展现浮层的展现时间区间不重叠,使不同的浮层能够在不同的时间区间进行展现,解决了多个浮层展现时容易出现冲突的问题,避免了出现漏播某个浮层或浮层播到一半即被切换的情况。
- 一种多浮层展现方法装置
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