专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种消息展示方法及装置-CN201610622458.X有效
  • 孙奇 - 五八同城信息技术有限公司
  • 2016-07-28 - 2019-12-06 - H04L12/58
  • 本发明提供一种消息展示方法及装置,用以解决相关技术中的多展示方式不能精准展现的问题。其中,消息展示方法,包括:接收消息;解析消息,得到消息的属性信息;将消息的属性信息与当前页面的属性信息进行比较,判断消息是否属于当前页面;若判断消息不属于当前页面,则在终端存储消息的模型;若判断消息属于当前页面,展示消息,该方案实现了消息的精准展示。
  • 一种消息展示方法装置
  • [发明专利]一种管理方法及系统-CN201710517267.1有效
  • 张磊;张文明;陈少杰 - 武汉斗鱼网络科技有限公司
  • 2017-06-29 - 2020-02-07 - H04N21/431
  • 本发明提供一种管理方法及系统,所述的方法包括:在Android系统的底层定义FrameLayout布局,所述FrameLayout布局用于放置播放器视频流以及各个,所述各个层位于播放器视频流之上;为所有配置管理器,以便通过管理器对每一个进行层级管理。通过本发明,为播放器视频流上的各个设计管理器,通过管理器对各个进行统一有序的管理,相比通过人工对所有的进行管理的方式,降低了对各个管理的难度,能够更清晰便携地对所有的进行管理
  • 一种管理方法系统
  • [发明专利]分栅式闪存器件的制备方法-CN202310323956.4在审
  • 汤志林 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2023-03-29 - 2023-06-02 - H01L21/28
  • 本发明提供了一种分栅式闪存器件的制备方法,包括提供衬底,衬底上形成有栅材料栅材料覆盖衬底,栅材料内形成有凹槽,凹槽的侧壁呈圆弧状;刻蚀凹槽底部的栅材料以形成开口,开口暴露出衬底;采用RTO工艺氧化凹槽外侧的栅材料的部分厚度,以形成牺牲,牺牲覆盖栅材料;除去牺牲及牺牲下方的栅材料,剩余的栅材料构成,且远离开口的一侧具有栅尖端;在远离开口的一侧形成字线,字线覆盖的侧壁及部分栅尖端。通过RTO工艺将沟槽外部分厚度的栅材料氧化为牺牲,进而在保证栅尖端尖锐度不变的前提下降低栅尖端的高度,降低编程失效的风险。
  • 分栅式闪存器件制备方法
  • [发明专利]一种实现动画的方法、存储介质、电子设备和系统-CN201810024360.3有效
  • 张磊;张文明;陈少杰 - 武汉斗鱼网络科技有限公司
  • 2018-01-10 - 2020-08-04 - G06F9/451
  • 本发明公开了一种实现动画的方法,涉及动画显示领域,所述动画由运动形成若干帧而成,包括步骤:预设运动的起点位置、终点位置、动画的播放总时长以及动画的帧数,根据所述起点位置、终点位置和帧数计算出每帧的实时位置,并根据所述播放总时长和帧数计算出每帧的显示时间;构建显示函数,并调用所述显示函数依次在每帧对应的显示时间时在对应的实时位置处显示相应帧,直至显示完所有帧,形成动画。本发明提供的实现动画的方法,极大地扩展了系统的动画功能,提高了的动画交互特性,从而提高了用户的使用体验。
  • 一种实现动画方法存储介质电子设备系统
  • [发明专利]栅的制备方法-CN201610884653.X有效
  • 曹子贵;黄浩 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2016-10-10 - 2019-02-01 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种栅的制备方法,包括提供一基底,在基底上自下至上依次形成及掩膜;在和掩膜中形成一沟槽,并在沟槽的两内侧形成第一侧墙;去除掩膜,暴露出;在暴露的的上表面形成一栅保护;对栅保护进行栅刻蚀工艺,保留第一侧墙下方的,以形成栅;在栅刻蚀工艺的击穿步刻蚀中,击穿步刻蚀的时间等于刻蚀栅保护的固定时间与刻蚀部分的时间之和。本发明通过上述击穿步刻蚀可以防止因所述的厚度偏厚而导致栅尖端过高的现象,确保后续形成稳定的栅尖端,保证闪存性能的良好。
  • 制备方法
  • [发明专利]一种元素的管理控制方法及系统-CN201710797020.X有效
  • 张磊;张文明;陈少杰 - 武汉斗鱼网络科技有限公司
  • 2017-09-06 - 2020-09-08 - H04N21/431
  • 本发明提供一种元素的管理控制方法及系统,所述的方法包括:设计浮动协议文档,其中包括每一个元素的协议描述信息,协议描述信息用来表示每一个元素的属性信息;管理器通过解析浮动协议文档,得到每一个元素的协议描述信息,进而得到每一个元素的属性信息;管理器根据每一个元素的属性信息,对每一个元素在界面上进行布局。本发明为界面中的元素设计浮动协议文档,其中包括每一个元素在界面中的属性信息,并利用管理器来根据每一个元素的属性信息,在界面上对元素进行布局,实现了对元素的自动化统一管理,避免人工管理带来的繁琐和不易维护
  • 一种元素管理控制方法系统
  • [发明专利]控制方法、装置、设备及计算机可读介质-CN202110772679.6在审
  • 张如 - 北京奇艺世纪科技有限公司
  • 2021-07-08 - 2021-10-26 - G06F9/445
  • 本申请涉及一种控制方法、装置、设备及计算机可读介质。该方法包括:在监听到第一所在页面中的第二发生状态变化的情况下,根据第二当前状态的属性参数确定第二当前状态下的属性信息;确定第一和第二在页面中的层级关系,并利用第二的属性信息和层级关系确定第二对第一的遮盖状态;根据遮盖状态对第一执行相应的目标操作,目标操作用于根据第一所在的业务提供服务。本申请通过分析的属性信息和之间的层级关系来确定之间是否存在遮挡并根据遮挡状态执行相应的操作,解决了系统无法根据层状态执行适当的操作的技术问题。
  • 控制方法装置设备计算机可读介质
  • [发明专利]一种间通信管理方法及系统-CN201710516149.9有效
  • 张磊;张文明;陈少杰 - 武汉斗鱼网络科技有限公司
  • 2017-06-29 - 2019-12-03 - G06F9/54
  • 本发明提供一种间通信管理方法及系统,所述的方法包括:S1,为播放器界面上的多个配置管理器,所述管理器用于统一管理各个;S2,当一个向另一个发送第一消息时,通过管理器进行转发的方式将一个内的第一消息传递给另一个本发明为直播领域中的播放器界面上的各个配置一个管理器,以及在各个内部配置视图控制器,通过管理器和视图控制器实现对各个之间以及各个视图元素之间的通信进行分层有序管理,解决了现有管理的混乱
  • 一种浮层间通信管理方法系统
  • [发明专利]闪存器件及其制作方法-CN201611249139.5有效
  • 刘涛;梁志彬;张松;金炎;王德进 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2016-12-29 - 2020-11-10 - H01L27/11521
  • 闪存器件的制作方法,包括在栅位置区域刻蚀栅多晶栅掩膜,在栅掩膜形成窗口,在栅多晶形成沟槽,窗口与沟槽连通;二次刻蚀栅掩膜的窗口侧壁,使位于栅多晶的沟槽宽度小于位于栅掩膜二次刻蚀后的窗口宽度的步骤由于沟槽侧壁与窗口侧壁形成了台阶,增大了暴露在外的栅多晶,相应增加了场氧化的形成。台阶处的栅多晶被氧化的过程中,可以使台阶处的场氧化栅多晶界面的弧度面趋近于平面。同时,由于沟槽的存在,可使场氧化栅氧化移动。也即,在栅位置区域的两侧,场氧化栅多晶的接触界面形成锐利的尖角。
  • 闪存器件及其制作方法
  • [发明专利]一种多的展现方法和装置-CN201410820106.6在审
  • 惠焕桂;于佳 - 乐视致新电子科技(天津)有限公司
  • 2014-12-24 - 2015-04-29 - H04N21/431
  • 本申请实施例提供了一种多的展现方法和装置,其中,所述的方法包括:当在同一时间点存在至少两个待展现时,依据所述待展现的优先级和时间参数确定各待展现的展现时间区间;所述各待展现的展现时间区间不重叠;按照所述各待展现的展现时间区间,分别对应展现各待展现。本申请实施例通过在不同待展现的展现时间区间发生冲突时,依据所述待展现的优先级和时间参数确定各待展现的展现时间区间,使得各待展现的展现时间区间不重叠,使不同的能够在不同的时间区间进行展现,解决了多个展现时容易出现冲突的问题,避免了出现漏播某个播到一半即被切换的情况。
  • 一种多浮层展现方法装置
  • [发明专利]一种闪存半导体器件的形成方法-CN202211512258.0在审
  • 梁海林;曹子贵;张连宝;王卉 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-11-29 - 2023-03-21 - H10B41/30
  • 本发明提出了一种闪存半导体器件的形成方法,在所述半导体衬底的整个表面上依次形成有耦合氧化,在所述的表面上还形成有内部具有一开口的堆叠材料和侧墙材料,在所述开口的内壁上及侧墙材料的表面上沉积预设厚度的栅氧化,对所述栅氧化进行APM清洗工艺,以均匀去除预设厚度的栅氧化,对进行所述APM清洗工艺后所剩余的栅氧化以及耦合氧化进行干法刻蚀,形成栅尖端。本发明通过在热氧化工艺沉积栅氧化后对栅氧化进行APM清洗工艺降低了栅氧化的厚度,使得形成的所述栅尖端所暴露出的长度控制在目标阈值范围内,最终增加栅的性能,进而改善闪存器件的读写干扰问题。
  • 一种闪存半导体器件形成方法
  • [发明专利]一种栅及其制作方法-CN201410836980.9有效
  • 刘钊;熊涛;许毅胜;舒清明 - 上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
  • 2014-12-24 - 2019-03-26 - H01L21/28
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种栅及其制作方法。该制作方法可以包括:提供衬底,并在衬底上依次形成浅沟槽氧化;对进行化学机械研磨处理,以去除浅沟槽氧化上的栅;对剩下的进行回刻蚀处理,得到具有稳定表面织构的;对浅沟槽氧化进行刻蚀处理,并在刻蚀处理后的浅沟槽氧化和具有稳定表面织构的上形成绝缘;在绝缘上形成控制栅。该方法通过去除栅表面因为化学机械研磨而产生的表面缺陷,提高了的表面稳定性,即提高了栅上表面层的激活能,使随后形成的绝缘可以与有良好的接触,改善了栅器件的电子保持性,提高了栅器件的质量
  • 一种及其制作方法
  • [发明专利]闪存栅的制作方法-CN202310635721.9在审
  • 高毅;马开阳;左睿昊;周婧涵 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-07-14 - H10B41/30
  • 本发明提供一种闪存栅的制作方法,包括:提供一具有存储区和外围区的衬底,衬底中形成有浅沟槽隔离和有源区;形成;采用化学机械研磨工艺减薄;刻蚀减薄后的形成栅,存储区刻蚀剩余的作为栅本发明形成后,先采CMP工艺减薄部分厚度的,然后通过刻蚀定义栅厚度。本发明CMP工艺需要减薄的厚度降低且研磨对象为材质相同的,因此受负载效应影响较小,较好控制减薄后的的厚度均匀性,刻蚀减薄后的通过刻蚀终点控制,有效提高栅厚度均匀性,可以消除由于台阶差导致的栅多晶硅颗粒实现了在有源区后形成,保证了与逻辑工艺较好地兼容。
  • 闪存制作方法

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