专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [其他]接收元件-CN87102632无效
  • 天田搏;武井哲也;白井直子 - 佳能株式会社
  • 1987-04-08 - 1988-01-20 - G03G5/08
  • 提供一种改进的用铝材料作为基底的、用于电子摄影和其它各类装置中的光接收元件,其特征在于,在基底和光接收层之间设有一层缓冲层,以改善在铝基底和设在其上的光接收层之间的粘结力。改进的光接收元件满意地解决了常规的光接收元件中由于在铝基底和压在其上的光接收层之间粘结力不足,而产生的各种问题。
  • 接收元件
  • [其他]接收元件-CN86108488无效
  • 本田充;小池淳;小川恭介;村井启一 - 佳能株式会社
  • 1986-10-16 - 1987-07-22 - G03G5/08
  • 一种光接收元件包括基底,光敏层和表面层。光敏层由含硅原子和至少还含锗原子或锡原子的无定形材料形成。表面层由含硅原子和至少还含从氧、碳和氮原子中选出的一种原子的无定型材料形成。克服了常规光接收元件中的所有问题。有效防止图象中出现干涉条纹,即使使用相干激光束作光源,也能得到优质图象。
  • 接收元件
  • [其他]接收元件-CN86108363无效
  • 本田充;小池淳;小川恭介;村井启一 - 佳能株式会社
  • 1986-11-01 - 1987-07-15 - G03G5/02
  • 接收元件的光敏层由含硅原子及含锗、锡原子中至少一种原子的非晶材料构成,表面层由含硅原子及含氧、碳、氮原子中至少一种原子的非晶材料构成,基底表面由具有微小不平整内表面的球形凹痕构成,光频带隙匹配在光敏层和表面层之间的界面上该光接收元件解决了所有用非晶硅制成光接收层的传统元件中的问题,特别是有效地防止了由干涉现象在图像中引起的干涉条纹,即使用可能产生干涉的相干激光束作光源,也能形成高质量图像。
  • 接收元件
  • [其他]接收元件-CN86108356无效
  • 本田充;小池淳;小川恭介;村井启一 - 佳能株式会社
  • 1986-11-02 - 1987-06-17 - G03G5/02
  • 一种光接收元件,包括基片、光敏层和表层。光敏层由含硅原子和锗原子或锡原子中至少一种的非晶材料组成,表层为多层结构,基片表面具有球形凹痕组成的不平面,每个凹痕内面具有更微小的不平面。光接收元件克服了所有由非晶硅组成的光接收层构成的普通光接收元件中存在的问题,尤其它有效地防止了由于干涉现象造成成象的干涉条纹,从而能摄制高质量的清晰影象,即使是使用可产生干涉的相干激光束作为光源。
  • 接收元件
  • [其他]接收元件-CN86107571无效
  • 本田充;小池淳;小川恭介;村井启一 - 佳能株式会社
  • 1986-10-17 - 1987-06-10 - G03G5/08
  • 一种光接收元件包括基底和光接收层。该接收层有非晶材料光敏层和表面层。该非晶材料包含硅原子并至少包含锗或锡原子。所说表面层是至少具有最外层的耐磨层和内层防反射层的多层结构。该元件克服了非晶硅作光接收层的普通光接收元件的所有问题,特别有效地防止了因干涉现象而在形成的图象上产生干涉条纹,即使在利用相干激光束作为光源可能产生干涉的情况下也能形成质量极好的可见光图象。
  • 接收元件
  • [其他]接收元件-CN86108413无效
  • 本田充;小池淳;小川恭介;村井启一 - 佳能株式会社
  • 1986-10-24 - 1987-08-05 - G03G5/02
  • 一种光接收元件,它包括基底和多层结构的光接收层。该多层结构至少有一层由非晶硅组成的光敏层或者有光敏层和表面层。上述基底有一个由球形凹痕组成的不规则表面,每个凹痕都有微小的不规则内表面。在光接收层内,表面层具有的光带隙和被表面层覆盖的光敏层具有的光带隙在二者界面上直接匹配。该表面层由包括抗磨层和防反射层的多层结构组成。
  • 接收元件
  • [其他]接收元件-CN86107585无效
  • 本田充;小池淳;小川恭介;村井启一 - 佳能株式会社
  • 1986-10-23 - 1987-07-29 - G03G5/08
  • 一种光接收元件包括基底和多层结构物的光接收层,该层由含硅原子和至少锗或锡原子之一的非晶材料形成的内层和由含硅原子且无锗无锡原子的非晶材料形成的外层构成。该元件克服了含有非晶硅复合的常规光接收元件存在的所有问题,尤其有效防止了因干涉现象在图象中产生的干涉条纹,即使在利用相干激光束作为光源可能产生干涉时也能形成质量极好的可见图象。
  • 接收元件
  • [其他]接收元件-CN87100556无效
  • 白井茂;大野茂 - 佳能株式会社
  • 1987-02-07 - 1988-01-27 - G03G5/08
  • 提供了一种改进的,由基底和光接收层组成的光接收元件,光接收层由具有光电导性的第一层和第二层组成,第一层由含有作为主要组分原子的硅原子和锗原子的非晶材料构成,第二层由含有硅原子、碳原子和一种导电性控制元素的非晶材料构成
  • 接收元件
  • [发明专利]接收元件-CN96111416.9无效
  • 新纳博明 - 佳能株式会社
  • 1996-08-23 - 2003-10-01 - G03G5/082
  • 一种光接收元件,包括一基衬和一光电导层,此光电导层由一主要由硅原子构成并含有氢原子和卤素原子至少一种的非单晶(例如非结晶的)材料形成,其中该光电导层具有互相在光带隙(Eg)和特征能量(Eu)方向的特定范围内有不同值的第一层区域和第二层区域
  • 接收元件
  • [发明专利]接收元件-CN96120192.4无效
  • 福永直树;久保胜 - 夏普株式会社
  • 1996-09-26 - 2002-03-13 - H01L27/146
  • 接收元件包括第一导电类型的半导体衬底;形成于第一导电类型半导体衬底表面预定区域的第二导电类型的第一半导体层;至少一块其形成方式是从第二导电类型的第一半导体层的上表面延伸至第一导电类型的半导体衬底表面的第一导电类型半导体区域
  • 接收元件
  • [发明专利]接收元件-CN87102632.5无效
  • 天田搏;武井哲也;白井直子 - 佳能株式会社
  • 1987-04-08 - 1991-06-12 - G03G5/08
  • 提供一种改进的用铝材料作为基底的、用于电子摄影和其它各类装置中的光接收元件,其特征在于,在基底和光接收层之间设有一层缓冲层,以改善在铝基底和设在其上的光接收层之间的粘结力。改进的光接收元件满意地解决了常规的光接收元件中由于在铝基底和压在其上的光接收层之间粘结力不足,而产生的各种问题。
  • 接收元件
  • [发明专利]接收元件-CN86107571.4无效
  • 本田充;小池淳;小川恭介;村井启一 - 佳能株式会社
  • 1986-10-17 - 1991-06-05 - G03G5/082
  • 一种光接收元件包括基底和光接收层,该接收层有非晶材料光敏层和表面层,该非晶材料包含硅原子并至少包含锗或锡原子,所说表面层是至少具有最外层的耐磨层和内层防反射层的多层结构,该基底有由球形凹痕构成的不平整表面该元件克服了非晶硅作光接收层的普通光接收元件的所有问题,特别有效地防止了因干涉现象而在形成的图象上产生干涉条纹,即使在利用相干激光束作为光源可能产生干涉的情况下也能形成质量极好的可见光图象。
  • 接收元件
  • [发明专利]接收元件-CN87100556.5无效
  • 白井茂;大野茂 - 佳能株式会社
  • 1987-02-07 - 1991-10-02 - G03G5/082
  • 提供了一种改进的,由基底和光接收层组成的光接收元件,光接收层由具有光导导性的第一层和第二层组成,第一层由含有作为主要组分原子的硅原子和锗原子的非晶材料构成,第二层由含有硅原子、碳原子和一种导电性控制元素的非晶材料构成
  • 接收元件

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