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[发明专利]突显文字的显示方法及装置、设备-CN202110355582.5在审
发明人：姚照锋 -专利权人：竞技世界（北京）网络技术有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G06F40/109 文献下载
摘要：本申请提供了突显文字的显示方法及装置、设备，定位显示区域中的文字显示层和背景显示层，获取文字的显示颜色，依据文字的显示颜色，确定浮层的显示颜色，并至少使用浮层的显示颜色，在文字显示层和背景显示层之间，显示浮层因为浮层的显示颜色与文字的显示颜色的对比度大于第一预设阈值，所以，位于文字显示层和背景显示层之间显示的浮层，能够突显文字，从而避免了在文字和背景图像的显示颜色相似的情况下，文字的识别度降低的问题。
突显文字显示方法装置设备

[发明专利]一种网页信息的统计方法和装置-CN201810251125.X在审
发明人：吴凯;王海旭 -专利权人：北京京东尚科信息技术有限公司;北京京东世纪贸易有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G06F16/958 文献下载
摘要：该方法的一具体实施方式包括：监听网页上的统计事件，每当触发统计事件时，获取所述统计事件的触发位置，若所述触发位置对应的网页元素存在浮层信息，则获取所述浮层信息；根据浮层信息对所有存在浮层信息的统计事件分类，以获得所述网页的每个浮层的所有统计事件的触发位置，和/或将不存在浮层信息的统计事件作为所述网页的底层的统计事件，以获得所述网页的底层的所有统计事件的触发位置。该实施方式能够更准确的绘制具有浮层的网页的热力图。
浮层统计触发位置网页计算机技术领域方法和装置事件分类网页信息网页元素监听触发绘制

[发明专利]OTA平台的自驾租车的交互方法-CN201711396744.X在审
发明人：肖翠鸿 -专利权人：上海携程商务有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： G06F3/0485 文献下载
摘要：本发明公开了一种OTA平台的自驾租车的交互方法，包括以下步骤：S1、接收用户的第一点击操作，展示自驾租车系统的取还车时间浮层，在所述取还车时间浮层上显示有取还车日期；S2、接收用户在所述取还车时间浮层的取车日期选择操作，在所述取还车时间浮层上选择取车日期；S3、接收用户在同一所述取还车时间浮层的还车日期选择操作，在同一所述取还车时间浮层上选择还车日期。本发明使得用户可以在同一个浮层上选择取还车日期，并且在该同一浮层上横向滑动时间刻度选择取还车时间，使得交互体验更加切合用户场景，解决了现有技术中用户需要将取还车日期和时间在不同控件浮层中多次点击选择的问题
ota 平台驾租车交互方法

[发明专利]金属浮栅存储器及其制造方法-CN202310172579.9在审
发明人：顾珍;张磊;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属浮栅存储器，具有金属浮栅侧壁结构，金属浮栅侧壁结构包括：自对准形成于第一栅极沟槽侧面的第一氧化层以及第二氮化层并叠加形成第一侧侧墙。以第二氮化层的第二侧面为自对准条件对底部的半导体衬底进行刻蚀形成的第二凹槽。第三隧穿氧化层自对准形成在第二氮化层的第二侧面和底部的第二凹槽的侧面并延伸到第二凹槽的底部表面。金属浮栅自对准形成在第三隧穿氧化层的第二侧面，在金属浮栅的第二侧面形成有第二侧侧墙，由第四氧化层、第五氮化层、第六氧化层和第七氮化层叠加而成。金属浮栅侧壁结构呈ONO‑金属浮栅‑ONON结构。本发明还提供一种金属浮栅存储器的制造方法。本发明能降低金属浮栅周围的氧含量从而改善器件的擦除性能。
金属存储器及其制造方法

[发明专利]快闪存储器及其制作方法-CN202310326188.8在审
发明人：杨辉;陈宏;王卉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种快闪存储器及其制作方法，快闪存储器包括：衬底，衬底上形成有源线，源线两侧的衬底上由下往上依次形成有浮栅结构层和第一侧墙；且第一侧墙位于浮栅结构层靠近源线一侧的上方；隧穿氧化层，隧穿氧化层至少覆盖浮栅结构层远离源线一侧拐角的上表面和侧壁表面；字线，字线位于浮栅结构层远离源线一侧的衬底上方。本发明中，字线通过隧穿氧化层包裹浮栅结构层的拐角，拐角处的包裹性增加，能够提高拐角处的电场强度，进而提高了擦除效果。同时，可降低浮栅结构层的厚度，减小了字线与浮栅的耦合比，利于增大字线与浮栅的压差，从而提高了擦除效果。省去了形成浮栅尖角的复杂工艺，保证了快闪存储器的可靠性。
闪存及其制作方法

[发明专利]气浮承载设备-CN202210352833.9在审
发明人：陈鲁;张龙;方一;张嵩 -专利权人：深圳中科飞测科技股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01D11/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开的一种气浮承载设备例如包括：承载层；间隔层，连接在承载层的一侧；气路连接层，连接在间隔层远离承载层的一侧；承载层、间隔层和气路连接层之间形成有用于气浮承载待测件的第一气压通道和第二气压通道；第一气压通道和第二气压通道分别从承载层上远离气路连接层的一侧依次穿过承载层、间隔层和气路连接层，并延伸到气路连接层上远离承载层的一侧。本发明提供的气浮承载设备通过设置第一气路通道和第二气路通道用于对待测件进行气浮承载，以提高气浮承载设备的气浮承载效果。
承载设备

[发明专利]闪存器件浮栅的制作方法-CN202310637298.6在审
发明人：徐杰;马富林 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种N闪存器件浮栅的制作方法。所述闪存器件浮栅的制作方法包括以下步骤：在半导体衬底层上沉积多晶硅，形成浮栅多晶硅层；向所述浮栅多晶硅层中注入磷元素；通过加热氧化工艺激活所述浮栅多晶硅层中的磷元素，并在所述浮栅多晶硅层的表面形成用于阻挡磷元素析出的缓冲氧化层；待闪存器件冷却后，对所述闪存器件的浮栅多晶硅层进行平坦化。本申请能够避免在激活磷元素的过程中产生磷元素析出的问题，提高各个存储单元中浮栅的一致性，利于机台量产。
闪存器件制作方法

[实用新型]覆膜浮球的结构-CN202021915658.2有效
发明人：陈银平;角田贤次 -专利权人：福建盛世中兴新材料有限公司;杰斯比高新材料（东莞）有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： A01K75/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种覆膜浮球的结构，其特征在于：包括由至少两个空心分体相互贴合形成的浮球，所述由至少两个空心分体相互贴合形成的浮球外围密封设有用于密封裹紧浮球的包裹膜层。本实用新型覆膜浮球的结构通过在浮球外围密封设有用于密封裹紧浮球的包裹膜层，从而在浮球受到外力碰损后，碎屑只会滞留在包裹膜层内，而不会外溢，从而有利于减小对环境的污染，此外通过该包裹膜层还可以减少水体对浮球表面的腐蚀、侵蚀等，有利于提高浮球的使用寿命。
覆膜浮球结构

[实用新型]一种具有表层浮线结构的针织面料-CN202221632191.X有效
发明人：方伟霞;蔡清来;蔡永安 -专利权人：百润（晋江）科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： D04B1/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有表层浮线结构的针织面料，包括面料主体，所述面料主体包括面层和与面层连接的底层，所述面料主体还设置有浮线结构，所述浮线结构至少一部分浮线于面层和/或底层，本实用新型的针织面料为具有表面浮线结构的单层或者双层，当其具有双层编织层的情况下，使浮线结构能够浮线于编织层的表面，且其浮线于表面的部分对应的下端为双层编织层，该浮线结构还能浮线于编织层的连接面上以增强面料的物性和挺阔性，此外其与提花组织的交错编织增强了面料的肌理感和美观
一种具有表层结构针织面料

[发明专利]一种闪存器件及其制造方法-CN201910394766.5有效
发明人：罗清威;李赟;周俊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存器件的制造方法，衬底上形成有浮栅层以及浮栅层上的图案化的栅堆叠层，栅堆叠层包括依次层叠的隔离层和控制栅，栅堆叠层一侧为擦除栅区，另一侧为字线区，在栅堆叠层的侧壁上可以形成侧墙，沿横向去除字线区的部分厚度的侧墙，使字线区的侧墙和擦除栅区的侧墙厚度不一致，以侧墙及栅堆叠层为掩蔽，进行浮栅层的刻蚀，以形成浮栅，沿横向去除擦除栅区部分厚度的侧墙，这样，得到的浮栅层在擦除栅区保留较多且伸出侧墙一部分，从而得到非对称结构的浮栅层，简化形成浮栅的工艺流程，降低器件的制造成本。
一种闪存器件及其制造方法

[发明专利]一种或非门闪存存储器及其制作方法-CN201410855875.X有效
发明人：冯骏;舒清明 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种或非门闪存存储器及其制作方法，该方法包括：刻蚀半导体衬底，形成有源区和沟道区，沟道区延伸至基底内，露出基底；在沟道区内露出的基底的底部及侧壁形成隧穿栅氧层；在基底底部的隧穿栅氧层之上形成浮栅层，浮栅层上表面的高度高于基底上表面的高度，且浮栅层上表面的高度低于牺牲层上表面的高度；在浮栅层之上以及浮栅层之上的沟道区侧壁形成层间介电质层；在浮栅层之上的层间介电质层之上形成控制栅层；刻蚀牺牲层及沟道区侧壁的层间介电质层，露出基底；在浮删层两侧露出的基底表面分别形成源极和漏极。
浮栅层或非门闪存存储器基底沟道区上表面侧壁层间介电栅氧层隧穿质层制作基底上表面刻蚀半导体刻蚀牺牲层基底表面介电质层控制栅层制作工艺牺牲层衬底沟道量产漏极微缩源极源区延伸

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置-CN201410325477.7有效
发明人：王新鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法和电子装置，在半导体衬底上形成有硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层和所述半导体衬底；在所述浅沟槽中填充隔离材料层；去除所述硬掩膜层以露出所述半导体衬底；在露出的所述半导体衬底上形成隧穿氧化物层；在所述半导体衬底上形成第一浮栅材料层；在所述半导体衬底上形成牺牲层；去除未覆盖有所述牺牲层的所述第一浮栅材料层；去除所述牺牲层；采用外延生长工艺在所述第一浮栅材料层上形成第二浮栅材料层。根据本发明的制作方法提供了良好的工艺窗口用于浅沟槽隔离结构氧化物层和浮置栅极多晶硅的形成；良好地控制了浮置栅极的轮廓；浮置栅极的物理轮廓有利于提高器件耦合率。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]一种半导体器件的制造方法和电子装置-CN201410527833.3有效
发明人：王新鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：该方法包括：步骤S101：在半导体衬底上依次形成第一硬掩膜层和第二硬掩膜层，进行刻蚀以形成用于容置浅沟槽隔离的沟槽；步骤S102：在沟槽内形成浅沟槽隔离；步骤S103：去除第二硬掩膜层，形成浮栅材料层；步骤S104：执行如下工艺过程至少两次：形成覆盖浮栅材料层的缓冲层，通过CMP工艺去除缓冲层高于浮栅材料层的部分以及浮栅材料层的一部分；步骤S105：通过干法刻蚀去除浮栅材料层高于浅沟槽隔离的部分以及缓冲层的剩余部分以形成浮栅该方法可以保证浅沟槽隔离和浮栅内不具有空洞且浮栅具有良好的形貌。该电子装置包括上述的半导体器件，同样具有上述优点。
一种半导体器件制造方法电子装置

[发明专利]非挥发性记忆单元的集成电路的制作方法-CN200410091078.5无效
发明人：丁逸 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2004-11-16 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明是关于一种非挥发性记忆单元的集成电路的制作方法，特别是一种浮置闸层下方的电介质层远离隔离沟渠的边角及/或与浮置闸层的边角的挥发性记忆体的制作方法，在半导体基底上形成设有第一电介质和第一浮置闸层。蚀刻第一电介质、第一浮置闸层和基底，以形成隔离沟渠。蚀刻第一电介质，使第一电介质远离沟渠边角和/或第一浮置闸层的边角。然后氧化沟渠边角和/或第一浮置闸层的边角。在沟渠中填充第二电介质之后，此第二电介质紧邻着沟渠边角和第一浮置闸层的边角的部分被横向蚀刻。形成第二浮置闸层，其延伸至第二电介质蚀刻前所占的区域。
挥发性记忆单元集成电路制作方法

[实用新型]用于景观的新型水体生态修复系统-CN201821984611.4有效
发明人：马丁;张浩洋 -专利权人：苏州博路环保科技有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C02F3/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于景观的新型水体生态修复系统，包括景观浮床和升降装置，所述景观浮床皆包括浮床框架和种植袋，所述浮床框架包括中心浮板、第一层浮板和第二层浮板，所述中心浮板和所述第一、二层浮板皆连接有种植袋；所述中心浮板的外周均匀设有多个挂环，所述第一层浮板和第二层浮板分别设有挂钩；所述中心浮板与所述第一、二层浮板皆包括多个种植孔，所述种植孔的底部设有网袋，所述种植袋置于网袋内；所述升降装置包括伸缩杆和底座
浮板水体生态修复种植袋网袋本实用新型浮床框架景观浮床升降装置第一层种植孔二层景观浅水修复景观美学伸缩杆底座挂环外周水体挂钩