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[发明专利]页面处理方法、页面处理装置、电子设备以及存储介质-CN202110694745.2在审
发明人：陈都;杨澍 -专利权人：北京百度网讯科技有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G06F16/957 文献下载
摘要：具体实现方案为：接收来自小程序应用端的跳转请求，其中，跳转请求包括浮层配置参数，跳转请求用于请求从当前页面跳转至全屏浮层页面；响应于跳转请求，根据浮层配置参数生成全屏浮层页面；利用与全屏浮层页面对应的跳转接口，使得小程序应用端从当前页面跳转至全屏浮层页面。
页面处理方法装置电子设备以及存储介质

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202010927132.4在审
发明人：施秉嘉;庄贵雅;阙壮鑫;蔡明哲;王雯琳;邓仪君;刘思吟;廖万春 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包括：基材、栅极介电层、浮置栅极、第一介电层以及控制栅极。栅极介电层设置在基板上。浮置栅极设置在栅极介电层上，浮置栅极具有至少一尖端，此至少一尖端位于浮置栅极的顶表面上。第一介电层设置在浮置栅极上。控制栅极设置在第一介电层的上方，控制栅极至少部分重叠浮置栅极。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]半浮栅器件及其形成方法-CN201410370627.6有效
发明人：王文博;卜伟海;康劲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半浮栅器件及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底内具有第一阱区；在衬底内形成沟槽，沟槽的底部低于第一阱区的底部；在沟槽的侧壁和底部表面形成第一介质层；在沟槽内的第一介质层表面和衬底表面形成浮栅层，浮栅层的表面高于衬底表面，浮栅层内和第一阱区内的掺杂类型相反；刻蚀部分浮栅层，形成浮栅，浮栅包括位于沟槽内的第一结构、以及位于第一结构部分表面的第二结构，第二结构与位于沟槽一侧的部分第一阱区相接触，且第二结构暴露出位于沟槽另一侧侧壁表面的第一介质层顶部；在浮栅表面形成第二介质层，第二介质层与浮栅暴露出的第一介质层相连接；在第二介质层表面形成控制栅。所形成的半浮栅器件性能改善。
半浮栅器件及其形成方法

[发明专利]一种双盘浮顶储罐的浮顶及其保温方法-CN200910024158.1无效
发明人：吴江涛;陆雅红;肖礼军;杨春来 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-04-14 - 主分类号： B65D88/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种双盘浮顶储罐的浮顶保温方法，该方法包括以下步骤：(1)建立双盘浮顶储罐的温度场数学模型，计算出二维非稳态导热情况下双盘浮顶储罐的温度场分布；(2)根据步骤(1)得出的双盘浮顶储罐的温度场分布，计算分析，得出最优保温方式：在双盘浮顶储罐的浮顶底板上表面设置保温层。所述保温层是保温隔热涂料、岩棉保温层、石棉制品保温层、玻璃棉保温层、珍珠岩制品保温层、蛭石制品保温层、复合硅酸盐制品保温层、聚氨酯制品保温层或聚乙烯制品保温层。本发明基于对双浮顶储罐的数值模拟，求出二维非稳态导热情况下的温度场分布，进而对罐顶进行能耗分析，论证了双浮顶加保温层的可行性，并得出最优浮顶保温层位置，从而起到节能作用。
一种双盘浮顶储罐及其保温方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法和半导体结构-CN201711114127.6有效
发明人：陈亮 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法和半导体结构，半导体器件的形成方法包括：提供基底，包括具有沟槽的衬底、位于沟槽之间的衬底上的浮置栅层、以及位于浮置栅层上的硬掩膜层；在浮置栅层的侧壁上形成保护层；形成保护层后，在沟槽内形成隔离结构；形成隔离结构后，去除硬掩膜层。本发明在形成隔离结构之前，在浮置栅层的侧壁上形成保护层，所述保护层能够对所述浮置栅层的侧壁起到保护作用，以减小或避免去除所述硬掩膜层的工艺对所述浮置栅层侧壁的刻蚀损耗，从而避免出现所述浮置栅层的宽度过小或者宽度均一性较差的问题
半导体器件及其形成方法半导体结构

[发明专利]具有绝缘栅半导体元件的半导体器件和绝缘栅双极晶体管-CN200910009837.1有效
发明人：小山雅纪;冈部好文;浅井诚;藤井岳志;吉川功 -专利权人：株式会社电装;富士电机电子技术株式会社
申请日： 2009-01-24 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：一种具有IGBT的半导体器件包括：衬底(1)；衬底上的漂移层(2)和基极层(3)；穿透基极层以将基极层分成基极部分(3a-3d)的沟槽(4)；一个基极部分中的发射极区(5)；沟槽中的栅极元件(7a-7c所述一个基极部分提供沟道层(3a)，另一基极部分提供没有发射极区的浮置层(3b-3d)。栅极元件包括与沟道层相邻的栅电极(7a)和与浮置层相邻的虚设栅电极(7b-7c)。浮置层包括与沟道层相邻的第一浮置层(3b)以及远离沟道层的第二浮置层(3c)。虚设栅电极和第一浮置层与基极层上的第一浮置布线(12)电耦合。虚设栅电极与第二浮置层隔离开。
具有绝缘半导体元件半导体器件双极晶体管

[发明专利]快闪存储单元及其制造方法-CN03109216.0有效
发明人：倪志荣;朱聪明;俞笃豪;王国镇;罗文勋;刘豪杰 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2003-04-03 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种快闪存储单元，此快闪存储单元至少是由基底、穿隧氧化层、浮置闸极、绝缘层、控制闸极与闸间介电层所构成。穿隧氧化层设置于基底上。浮置闸极设置于穿隧氧化层上，且浮置闸极是由设置于穿隧氧化层上的第一导体层与设置于第一导体层上的第二导体层所构成，其中第二导体层的底部低于第一导体层上表面，且第二导体层的剖面为碗状。绝缘层设置于浮置闸极之间。复数个控制闸极分别设置于浮置闸极上。闸间介电层设置于控制闸极与浮置闸极之间。
闪存单元及其制造方法

[发明专利]一种浮顶及使用该浮顶的储油罐-CN202111217608.6在审
发明人：龚险峰;王飞;侯念忠;代二去;张珊;李剑;焦亚龙;王育才 -专利权人：中国石油化工股份有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： B65D88/48 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种浮顶及使用该浮顶的储油罐，以解决现有技术中浮顶式储油罐在储油过程中其浮顶易生锈腐蚀、维护繁琐且维护成本较高的技术问题。储油罐包括罐体以及罐体中设置的浮顶。浮顶采用非金属材料制成，包括主体芯层，主体芯层的上方设有阻燃层，阻燃层中包括阻燃剂，阻燃层用于防止浮顶外部的明火引燃油液；主体芯层的下方依次设有隔离层和抗静电层；隔离层中设有树脂，以防止油罐中的油液渗透到主体芯层中；抗静电层中设有石墨或炭黑，用于导出油液在储油罐中产生的静电，抗静电层通过导线接地。
一种使用储油罐

[发明专利]闪存器件的形成方法-CN201910001500.X有效
发明人：刘宪周 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种闪存器件的形成方法，包括：提供基底，基底表面具有浮栅层；在浮栅层表面形成控制栅，所述控制栅内具有暴露出浮栅层的第一开口；在第一开口的侧壁形成第一氧化层和位于第一氧化层表面的材料层；氧化所述材料层，在所述第一开口侧壁的控制栅表面形成第二氧化层；以控制栅和第二氧化层为掩膜，刻蚀浮栅层，直至暴露出基底，形成浮栅以及位于浮栅之间的第二开口；在所述第一开口和第二开口内形成字线。所述方法形成的闪存器件能够平衡控制栅和字线之间的击穿电压以及控制栅对浮栅的控制作用。
闪存器件形成方法

[实用新型]一种浮球式液位传感器-CN202120165646.0有效
发明人：马春军;刘志慧;张乾;杨金龙 -专利权人：开封中志工控仪表有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G01F23/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种浮球式液位传感器，包括：干簧管和控制终端；所述控制终端通过导线与控制终端连接；所述干簧管外表面设置有保护层，所述保护层外表面设置有磁性浮块，所述保护层外侧上端设置有固定件；所述磁性浮块外侧设置有弹性层；所述保护层内设置有气体通道，所述气体通道的出气口位于保护层的下方，所述气体通道的进气口位于保护层的上端，所述进气口连接有供气装置。通过在磁性浮块外侧设置有弹性层，当磁性浮块外侧吸附有较多的铁屑时，通过向气体通道内通气，气流作用于磁性浮块表面的弹性层，弹性层扩张，铁屑与磁性浮块之间的距离增加，达到去除铁屑的目的。
一种浮球式液位传感器

[发明专利]浮层展示方法、客户端和电子设备-CN201611025675.7有效
发明人：杨森森 -专利权人：阿里巴巴集团控股有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G06F3/0481 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种浮层展示方法、客户端和电子设备，该方法包括：接收服务器根据用户的浮层请求所返回的响应；根据所述响应构建渲染树，并对所述渲染树进行布局和绘制，以展示浮层；在展示所述浮层的过程中，当检测到与所述浮层上的指定区域对应的接触时，获取接触点的初始位置；当所述接触为滑动接触时，获取所述接触点的当前位置，并根据所述初始位置和所述当前位置，确定所述浮层的指定边界的伸缩量；根据所述伸缩量调整所述指定边界，并对所述渲染树进行重新布局和绘制，以更新浮层展示。本申请实施例可实现浮层边界的自由调节，进而使得用户可根据个性化需要，自由掌控每个浮层中内容展示的多少，因而提高了用户体验。
展示方法客户端电子设备

[实用新型]一种生活污水处理系统-CN201320584815.X有效
发明人：沈昆根;沈建华;曾智;徐春燕 -专利权人：上海宏成实业发展有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生活污水处理系统，包含依次相连的调节池、生态浮床区以及潜流湿地区；调节池进水口通过污水收集管线与生活污水池相连，出水口处设有提升泵，另一侧通过管线与生态浮床区相连；污水收集管线上在靠近调节池处设有格栅井；生态浮床区内设有生态浮床，其包含生态浮床框架和若干生态浮床单元，生态浮床单元包含设置在生态浮床框架内的基质层和植物层，植物层包含若干种植在基质层上的能够净水的水生植物；生态浮床区内还设有若干生物挂膜箱；潜流湿地区内从底部向上依次设有粗砾石层、沸石层、粗砂层、自然土壤层，以及种植在自然土壤层上的湿地植物层。
一种生活污水处理系统

[发明专利]一种半浮栅存储器及其制备方法-CN202010346224.3有效
发明人：朱宝;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种半浮栅存储器及其制备方法。该半浮栅存储器包括：半导体衬底，其具有第一掺杂类型；半浮栅阱区，其具有第二掺杂类型，位于半导体衬底的上层区域；U型槽，贯穿半浮栅阱区，其底部处于半浮栅阱区的下边界；第一栅介质层覆盖U型槽的表面；浮栅覆盖第一栅介质层，并形成中间高、两边低的凸起形状；隧穿晶体管沟道层覆盖浮栅的中间凸起上表面；第二栅介质层形成在隧穿晶体管沟道层两侧并延伸覆盖浮栅表面，控制栅覆盖第二栅介质层和隧穿晶体管沟道层上表面；栅极侧墙，位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧；源极和漏极，形成于半浮栅阱区中，位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧。
一种半浮栅存储器及其制备方法

[发明专利]金属浮栅MTP器件及其制备方法-CN201610207922.9有效
发明人：施森华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明揭示了一种金属浮栅MTP器件，包括：衬底；浅掺杂沟道增强区，形成于所述衬底的表面；氧化物层和氮化物层，依次形成于所述衬底的浅掺杂沟道增强区上；高k电介质层，形成于所述氮化物层上；以及金属浮栅，形成于所述高k电介质层上。本发明揭示了一种金属浮栅MTP器件的制备方法。本发明提供的金属浮栅MTP器件的浮栅为金属浮栅，有利于降低所述金属浮栅MTP器件的尺寸。
金属 mtp 器件及其制备方法

[发明专利]一种闪存器件及其制备方法-CN202111422192.1在审
发明人：曹子贵 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存器件及其制备方法，包括：衬底，所述衬底内具有沟槽和位于所述沟槽底部的源区；源线层，位于所述沟槽中且向上延伸；两个浮栅层，位于所述沟槽中且分别位于所述源线层的两侧，所述浮栅层还延伸覆盖部分所述衬底；两个字线层，分别位于一个所述浮栅层的外侧；两个漏区，分别位于所述字线层的外侧的所述衬底内，所述源线层与所述浮栅层之间在所述沟槽中垂直方向上的重叠面积不受所述浮栅层平面面积的限制，在保证所述源线层与所述浮栅层之间耦合系数的同时缩小所述浮栅层在平面上的长度
一种闪存器件及其制备方法

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