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[发明专利]一种改善栅氧化层TDDB失效的方法-CN200910202978.5无效
发明人：张建伟;张松;王文全;洪文田;曾海 -专利权人：和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-05-26 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善栅氧化层TDDB失效的方法，包括如下步骤：步骤1，提供一衬底；步骤2，在该衬底上形成一层牺牲氧化层；步骤3，在该牺牲氧化层上形成氮化硅层，该氮化硅层作为硬掩膜；步骤4，在该氮化硅层上形成对位标记；步骤5，用浅沟道隔离工艺对该对位标记进行蚀刻，在衬底中形成STI；步骤6，用介电质填充上述STI并在氮化硅层上形成介电质层；步骤7，对该介电质层进行化学机械研磨，研磨至该氮化硅层；步骤8，在该氮化硅层及STI的上部形成热氧化层；步骤9，用热磷酸去除该热氧化层及氮化硅层。
一种改善氧化 tddb 失效方法

[发明专利]半导体器件制备方法及半导体器件-CN201910431035.3在审
发明人：周耀辉;秦仁刚;孙晓峰;文浩宇 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件制备方法及一种半导体器件，该制备方法包括：提供衬底，在衬底上形成缓冲氧化层和氮化硅掩膜；开设刻蚀窗口并刻蚀衬底，形成沟槽；在沟槽的内壁依次形成隔离氧化层和隔离氮化硅层；向沟槽内填满牺牲层；对牺牲层进行回刻，去除部分牺牲层，使牺牲层的高度低于衬底的上表面以暴露部分隔离氮化硅层，并对隔离氮化硅层进行刻蚀；去除剩余的牺牲层，并形成覆盖氮化硅掩膜和填满沟槽的介质氧化层；对介质氧化层进行研磨；去除氮化硅掩膜和缓冲氧化层，且不暴露隔离氮化硅层；在衬底表面形成栅氧层，并在栅氧层上形成多晶硅层。在上述过程中，隔离氮化硅层不会形成尖角，因此不会影响栅氧层的TDDB测试。
半导体器件制备方法

[实用新型]一种防辐射钢化玻璃膜-CN201620685360.4有效
发明人：何伟 -专利权人：东莞捷尔信实业有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种防辐射钢化玻璃膜，包括钢化玻璃层、透明基材层，所述钢化玻璃层设置在所述透明基材层的上端，在所述透明基材层的下端设置有胶粘层，在所述胶粘层的下端和所述钢化玻璃层的上方分别设置有离型层；所述钢化玻璃层包括玻璃基片，在所述玻璃基片上设置有第一氮化硅膜层、第二氮化硅膜层和第三氮化硅膜层，在所述玻璃基片与第一氮化硅膜层之间、所述第一氮化硅膜层与第二氮化硅膜层之间和第二氮化硅膜层与第三氮化硅膜层之间分别设置有透明导电膜层
一种防辐射钢化玻璃

[发明专利]通孔刻蚀方法、集成电路制造方法和集成电路-CN201110379853.7有效
发明人：俞柳江 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-24 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：根据本发明的通孔刻蚀方法包括：二氧化硅薄膜沉积步骤，用于沉积一层二氧化硅薄膜；第一氮化硅薄膜沉积步骤，用于在沉积了所述碳化硅薄膜之后沉积一层第一氮化硅薄膜；第一氮化硅薄膜部分去除步骤，用于利用二氧化硅作为刻蚀停止层刻蚀PMOS器件区域的第一氮化硅薄膜；碳化硅薄膜沉积步骤，用于沉积碳化硅薄膜；第二氮化硅薄膜沉积步骤，用于沉积一层第二氮化硅薄膜；以及第二氮化硅薄膜部分去除步骤，用于利用干刻的方法去除NMOS区域的第二氮化硅薄膜
刻蚀方法集成电路制造

[发明专利]通过原子层沉积工艺沉积氮化硅的方法及半导体晶圆-CN201910842508.9在审
发明人：陈丹;林崇茂;郭晓海;吴加奇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种通过原子层沉积工艺沉积氮化硅的方法及半导体晶圆。该方法包括：提供一衬底；将衬底固定在半导体炉管的晶舟上；通过原子层沉积工艺在衬底上沉积氮化硅，在衬底上形成氮化硅薄膜，在原子层沉积工艺中，通过增加反应气体的载流气体流量降低衬底外侧的氮化硅薄膜的厚度与衬底内侧的氮化硅薄膜厚度的差值，以提高氮化硅薄膜的厚度均一性。本申请通过在原子层沉积工艺沉积氮化硅的过程中增加反应气体的载流气体流量，增加了反应气体在炉管反应腔内的流速，从而减小了氮化硅在衬底外侧的淀积速度，降低了生成的氮化硅薄膜在衬底外侧与衬底内侧的厚度差值，从而提高了氮化硅薄膜的均一性
衬底氮化硅薄膜原子层沉积工艺氮化硅反应气体沉积载流气体半导体晶圆厚度均一性半导体炉流量降低反应腔均一性淀积减小晶舟炉管申请

[发明专利]氮化硅膜的生长方法及厚膜氮化硅波导器件的制备方法-CN202011263056.8有效
发明人：李彬;李志华;谢玲;唐波;张鹏;杨妍;刘若男 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅膜的生长方法及厚膜氮化硅波导器件的制备方法。氮化硅膜的生长方法：在半导体衬底上生长氧化层；在氧化层上刻蚀出多条深槽，每条深槽底部深入半导体衬底内部，并且多条深槽相交将氧化层分成多个区域；然后在氧化层表面，利用LPCVD方法分多次沉积多层氮化硅膜，多层氮化硅膜堆叠成预设厚度的氮化硅膜，并且多次沉积中除最后一次沉积外，其余每次沉积之后都进行退火处理。氮化硅波导器件的制备方法：采用上述的生长方法生长氮化硅厚膜，制作波导结构，经过后续工艺形成波导器件。本发明以多组相邻深槽作为隔离区，提出了划区域预留氮化硅沉积区域的方法，解决了氮化硅因膜太厚而产生的高应力问题。
氮化生长方法波导器件制备

[发明专利]增加聚硅氮烷和氮化硅间黏性和形成沟槽隔离结构的方法-CN201110354595.7有效
发明人：施信益;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种增加聚硅氮烷和氮化硅间黏着性的方法，包括提供基底，包括沟槽；在沟槽的底部和侧壁形成氮化硅衬层；对氮化硅衬层进行处理制程，产生具有OH基团的亲水表面，以增加氮化硅衬层和后续步骤形成的聚硅氮烷涂布层的黏着性；及在沟槽的氮化硅衬层上形成聚硅氮烷涂布层。
增加聚硅氮烷氮化黏性形成沟槽隔离结构方法

[发明专利]一种高深宽比接触孔的制作方法-CN202310160705.9在审
发明人：庄琼阳;贺术;夏超;鄢江兵;卢金德;贾晓峰;赵丽丹;陈献龙 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种高深宽比接触孔的制作方法，包括：提供衬底，于衬底上形成金属层和层间介质层，层间介质层包括相对设置的第一厚度部与第二厚度部；于层间介质层上形成层叠的氮化硅掩膜层和氮化钛掩膜层，氮化硅掩膜层与第二厚度部的厚度比不大于氮化硅掩膜层与第二厚度部的刻蚀选择比，氮化钛掩膜层与第一厚度部的厚度比不小于氮化钛掩膜层与第一厚度部的刻蚀选择比；图形化掩膜叠层以形成开口；基于图形化的掩膜叠层刻蚀层间介质层以形成通孔。本发明中采用氮化硅掩膜层和氮化钛掩膜层作为阻挡层刻蚀层间介质层，根据刻蚀选择比能够完全消耗氮化硅掩膜层，避免氮化硅残留提高器件电性能；并且无需增加氮化硅研磨液和氮化硅回刻工艺，降低成本。
一种高深接触制作方法

[发明专利]具有多重闸极绝缘层的非挥发性存储器组件-CN01143000.1有效
发明人：范左鸿;卢道政;潘正圣;汪大军 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-12-05 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种具有多重闸极绝缘层的非挥发性存储器组件,它包括形成于闸极与通道区域之间的一闸极绝缘层构造。此闸极绝缘层构造包括一顶部氮化硅层、一中间氮化硅层及一底部氮化硅层。当电场施予闸极与通道区域一侧的汲极区时,热载子从汲极区直接穿越底部氮化硅层以执行写入/清除的操作。从汲极区直接穿越底部氮化硅层的热载子是被捕捉于中间氮化硅层。
具有多重绝缘挥发性存储器组件

[发明专利]一种双接触孔刻蚀停止层的制作方法-CN201410428687.9有效
发明人：雷通;周海锋;方精训 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明公开了一种双接触孔刻蚀停止层的制作方法，通过在MOS器件作为接触孔刻蚀停止层的高张应力氮化硅层上，以由氮化硅层和氧化硅层交替组成的多层叠层作为PMOS区域的紫外光阻挡层，对PMOS、NMOS区域的高张应力氮化硅层进行选择性的紫外光固化处理，得到在PMOS区域上覆盖张应力相对较低的高张应力氮化硅层，而在NMOS区域上覆盖张应力相对较高的高张应力氮化硅层，实现在PMOS、NMOS区域具有不同高张应力的氮化硅双接触孔刻蚀停止层，既避免了单步高张应力氮化硅沉积对PMOS器件空穴迁移率的消极影响，又避免了两步氮化硅沉积形成双接触孔刻蚀停止层工艺的复杂性，实现用较低的成本提升了器件的电性能。
一种接触刻蚀停止制作方法

[发明专利]一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法-CN201210110866.9无效
发明人：毛智彪;胡友存;徐强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属-多层绝缘体-金属电容器（MOM）的制作方法，其中：在衬底上沉积第一低K值介质层；采用沉积和含氧气体处理循环方式，在第一低K值介质层上沉积氮化硅层，其包括MOM区域的第一氮化硅层和非MOM区域的第二氮化硅层；刻蚀第二氮化硅层；在非MOM区域的上方沉积第二低K值介质层；光刻第一氮化硅层，形成第一金属槽，并且减薄第一氮化硅层；采用沉积和含氧气体处理循环方式，在第一氮化硅层表面沉积氧化硅层，并且刻蚀水平方向上的氧化硅，形成氧化硅-氮化硅-氧化硅结构；刻蚀第二低K值介质层，形成第二金属槽；向第一金属槽和第二金属槽进行金属填充工艺。
一种金属多层绝缘体电容器制作方法

[发明专利]一种基于碳纳米红外吸收层的红外探测器-CN201610566514.2有效
发明人：魏兴战;杨俊;冯双龙;申钧;周大华;汤林龙;史浩飞;杜春雷 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于碳纳米红外吸收层的红外探测器，包括第一氮化硅层，所述第一氮化硅层向下依次为第一碳纳米红外吸收层，第二氮化硅层，热敏电阻层和第四氮化硅层；所述第一氮化硅层、第一碳纳米红外吸收层和第二氮化硅层构成红外探测器的宽波段红外吸收复合膜；所述第四氮化硅层和金属反射层之间通过支撑桥墩形成红外吸收谐振腔；所述金属反射层位于硅衬底之上。
氮化硅层红外探测器红外吸收层碳纳米红外吸收金属反射层宽波段热敏电阻层探测灵敏度器件结构复合膜硅衬底谐振腔桥墩兼容支撑生产

[发明专利]氮化硅膜、制备方法及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池-CN201210294388.1无效
发明人：范志东;赵学玲;李倩;解占壹;李永超;王涛 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅膜、制备方法及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池。该氮化硅膜包括依次设置在硅片上的钝化层和减反射膜层，氮化硅膜的厚度为80～90nm，折射率为2.08～2.12，减反射膜层包括第一减反射膜层和设置在第一减反射膜层上的第二减反射膜层。通过在硅片上设置具有一层钝化层和两层减反射层的氮化硅膜，相对于目前只有一层减反射层的氮化硅膜，提高了氮化硅膜的钝化和减反射效果，进而提高了硅太阳能电池的转换效率。
氮化制备方法含有硅片太阳能电池

[实用新型]氮化硅膜及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池-CN201220414730.2有效
发明人：范志东;赵学玲;李倩;解占壹;李永超;王涛 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化硅膜及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池。该氮化硅膜包括依次设置在硅片上的钝化层和减反射膜层，氮化硅膜的厚度为80～90nm，折射率为2.08～2.12，减反射膜层包括第一减反射膜层和设置在第一减反射膜层上的第二减反射膜层。通过在硅片上设置具有一层钝化层和两层减反射层的氮化硅膜，相对于目前只有一层减反射层的氮化硅膜，提高了氮化硅膜的钝化和减反射效果，进而提高了硅太阳能电池的转换效率。
氮化含有硅片太阳能电池

[实用新型]一种基于碳纳米红外吸收层的红外探测器-CN201620763869.6有效
发明人：魏兴战;杨俊;冯双龙;申钧;周大华;汤林龙;史浩飞;杜春雷 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于碳纳米红外吸收层的红外探测器，包括第一氮化硅层，所述第一氮化硅层向下依次为第一碳纳米红外吸收层，第二氮化硅层，热敏电阻层和第四氮化硅层；所述第一氮化硅层、第一碳纳米红外吸收层和第二氮化硅层构成红外探测器的宽波段红外吸收复合膜；所述第四氮化硅层和金属反射层之间通过支撑桥墩形成红外吸收谐振腔；所述金属反射层位于硅衬底之上。
一种基于纳米红外吸收红外探测器