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[发明专利]一种场氧化隔离制造方法-CN200910032419.4无效
发明人：罗泽煌;郭立 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-06-13 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体制造方法，特别是关于埋入式场氧化隔离工艺的制作方法，其包括如下步骤：提供一硅衬底，在硅衬底上形成一层氧化层，然后在氧化层上形成一层氮化硅层；通过掩模光刻以及腐蚀在预定区域对氧化层及氮化硅层进行蚀刻，以形成开口，露出硅衬底；在开口的硅衬底上形成一层热氧化层，然后蚀刻掉该热氧化层，在硅衬底表面形成浅槽；在整个硅片表面生长一层氮化硅膜，蚀刻该氮化硅膜，在浅槽的内壁形成氮化硅侧墙；然后在浅槽内生长场氧化层根据本发明的方法，在浅槽的内壁形成有氮化硅侧壁，在生长场氧化层时可以调整氮化硅的厚度来控制鸟嘴的厚度，修正鸟嘴的形貌。
一种氧化隔离制造方法

[发明专利]一种用碳包覆制备低氧含量、高热导的氮化硅陶瓷的方法及其应用-CN202010588120.3在审
发明人：伍尚华;杨平;李建斌 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷技术领域，公开了一种用碳包覆制备制备低氧含量、高热导的氮化硅陶瓷的方法及其应用，该方法是将聚多巴胺包覆的的氮化硅粉末与烧结助剂混合，获得混合粉末置于石墨模具，在真空气氛下加热至600～800℃碳化，形成核壳结构的碳‑氮化硅粉末，然后加以20～30MPa轴向压力，在保护气氛下，加热至1200～1500℃还原反应，再升温至1600～2000℃烧结，制得氮化硅陶瓷。本发明可精确控制碳层分布和精准调节碳层结构，有效还原氮化硅表面二氧化硅，降低氮化硅粉末氧含量，提高氮化硅陶瓷热导率。该氮化硅陶瓷的致密度高于98.5％，其热导率可达80W/(m·K)以上。
一种用碳包覆制备低氧含量高热氮化陶瓷方法及其应用

[发明专利]晶硅太阳能电池及其制作方法-CN201310552562.2有效
发明人：徐卓;杨学良;杨德成;胡志岩;熊景峰 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：该晶硅太阳能电池包括硅基片和设置在硅基片背面的氮化硅膜结构，氮化硅膜结构包括至少两层氮化硅膜，且至少两层氮化硅膜的折射率沿远离硅基片的方向依次减小。氮化硅膜的折射率沿远离硅基片的方向减小，使得相邻氮化硅膜的折射率不同，那么未被硅基片吸收的光线在通过相邻氮化硅膜的界面时便会发生折射或反射，进而重新返回硅基片而被硅基片吸收，避免了光线直接穿过氮化硅膜而损失；同时本领域技术人员可以控制不同氮化硅膜的折射率在合理的范围，避免过多的高折射率的氮化硅膜存在对光产生过多的吸收。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种基于多孔氮化硅毛细芯的环路热管蒸发器及其制造方法-CN202110844323.9有效
发明人：徐亚威;王甜甜;何江;刘畅;黄金印;张红星;苗建印 -专利权人：北京空间飞行器总体设计部
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： F28D15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多孔氮化硅毛细芯的环路热管蒸发器及其制造方法，该蒸发器包括：金属管壳、金属化层和氮化硅陶瓷毛细芯；氮化硅陶瓷毛细芯的一端为密封段，另一端加工有沿其轴向的蒸汽槽道；金属管壳同轴套装在氮化硅陶瓷毛细芯的外部；金属管壳内径与氮化硅陶瓷毛细芯外径的尺寸公差为过盈配合关系，且金属管壳内径与氮化硅陶瓷毛细芯的密封段外径之间设有一层金属化层，在金属管壳与氮化硅陶瓷毛细芯的过盈装配过程中，金属化层发生屈服变形，填充金属管壳与氮化硅陶瓷毛细芯的密封段之间的加工缺陷或缝隙；本发明能够实现金属管壳与氮化硅陶瓷毛细芯的装配，并在装配面形成密封，提高环路热管蒸发器毛细力，从而提高环路热管的传热能力。
一种基于多孔氮化硅毛细芯环路热管蒸发器及其制造方法

[发明专利]一种增强后段集成RRAM结构侧壁保护的方法-CN202210783762.8在审
发明人：郑科城;张武志;赵庆贺 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种增强后段集成RRAM结构侧壁保护的方法，氧化硅层中形成有贯通其上下表面的金属结构；在氧化硅层以及所述金属结构上形成NDC层，在金属结构上的NDC层中形成贯通其上下表面的钨结构；在NDC层上表面形成覆盖钨结构的RRAM结构，之后在RRAM结构上形成第一氮化硅层；在NDC层以及所述第一氮化硅层上覆盖第二氮化硅层，第二氮化硅层同时覆盖所述RRAM结构的侧壁；刻蚀去除NDC层上的所述第二氮化硅层，并保留RRAM结构侧壁的第二氮化硅层
一种增强后段集成 rram 结构侧壁保护方法

[发明专利]双位快闪存储器的制作方法-CN200910201186.6无效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一种双位快闪存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅介电层与栅电极层，刻蚀所述栅电极层及栅介电层，形成栅极结构；侧向刻蚀栅介电层的部分区域，在栅介电层两侧形成开口；在栅电极层与半导体衬底表面形成隔离层；在半导体衬底及栅极结构上形成氮化硅，所述氮化硅填充到栅介电层的开口中，栅电极层与半导体衬底表面的隔离层将所述氮化硅与栅电极层及半导体衬底隔离；刻蚀氮化硅，仅保留位于栅介电层开口处的氮化硅，所述开口处的氮化硅形成电荷俘获层
双位快闪存制作方法

[发明专利]一种钝化接触的P型MWT电池结构及制备方法-CN201910251039.3有效
发明人：张高洁;路忠林;吴仕梁;张凤鸣 -专利权人：江苏日托光伏科技股份有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种钝化接触的P型MWT电池结构，P型硅衬底背面由内往外依次为P型硅、二氧化硅层、掺磷多晶硅、氮化硅层以及设置氮化硅层表面的第一金属，第一金属穿透氮化硅层，与掺磷多晶硅层接触，氮化硅层表面覆盖有第二金属，且第二金属不穿透氮化硅；P型硅衬底受光面由内往外依次设置为P型硅,P型硅表面的氧化铝/氮化硅叠层膜；P型硅表面掺杂硼的P+以及氧化铝/氮化硅叠层膜；在氧化铝/氮化硅钝化叠层受光面设置有金属负电极，金属负电极通过电池上设置的孔洞绕穿到电池背面，使金属负电极覆盖在氮化硅层上面。本发明采用隧穿钝化层钝化电池的背面，金属电极不需要直接接触硅片，降低金属电极接触处的少子复合，提高电池效率，并且本发明结合MWT技术，电池的受光面主栅线通过孔洞绕穿到硅片背面，减小受光面主栅的遮光，进一步提高电池的效率
一种钝化接触 mwt 电池结构制备方法

[发明专利]一种自对准双层图形的形成方法-CN201410217691.0在审
发明人：崇二敏;黄君 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种自对准双层图形的形成方法，包括以下步骤，提供一半导体衬底，且在所述半导体衬底上依次形成有氧化硅层、多晶硅层、氮化硅层、底部抗反射层和光刻胶层，并对光刻胶层进行曝光显影；通过刻蚀工艺依次对底部抗反射层和氮化硅层进行刻蚀，直到暴露出多晶硅层上表面和氮化硅层的顶部表面；在氮化硅核心图形表面以及多晶硅层上表面形成氧化硅层；去除氮化硅核心图形顶部表面的氧化硅层，以及多晶硅层上表面的氧化硅层，以形成氧化硅侧墙；去除氮化硅核心图形，并以氧化硅侧墙为阻挡层对多晶硅层以及氧化硅层进行刻蚀；去除顶部氧化硅侧墙，形成自对准双层图形。
一种对准双层图形形成方法

[发明专利]半导体存储装置-CN201910147697.8在审
发明人：九鬼知博;滨田龙文 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置包含：衬底；所述衬底的上方的半导体；单元晶体管，包含形成在所述半导体中的部分；第1氮化硅层，设置在所述单元晶体管的上方；以及第2氮化硅层，设置在所述第1氮化硅层上，具有与所述第1氮化硅层的特性不同的特性。
氮化硅层单元晶体管衬底半导体半导体存储装置

[发明专利]制作半导体元件的方法-CN201810341858.2有效
发明人：林佶民;陈意维;郑存闵;陈品宏;刘志建;邱钧杰;陈姿洁;蔡志杰;黄怡安;张凯钧 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明公开一种制作半导体元件的方法，其主要先形成一硅层于一基底上，然后形成一金属氮化硅层于硅层上，形成一应力层于金属氮化硅层上，进行一热处理制作工艺，去除该应力层，形成一导电层于金属氮化硅层上，再图案化导电层、金属氮化硅层以及硅层以形成一栅极结构。
制作半导体元件方法

[实用新型]一种纳米复合涂层切削刀具-CN201721553456.6有效
发明人：付德君;李娜;曾晓梅 -专利权人：武汉江海行纳米科技有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纳米复合涂层切削刀具，涉及刀具加工技术领域，本实用新型中刀具表面设有纳米复合涂层，纳米复合涂层从内到外包括基础层、中间层、耐磨层和外覆层，其中：基础层为氮化锆硅层；中间层为交替沉积的氮化钛层、碳氮化钛层和氮铝化钛层；耐磨层为掺碳的氮化硅钛复合层；外覆层为掺铝的氮化硅钛复合层。交替沉积的氮化钛层、碳氮化钛层和氮铝化钛层的硬度较单一的氮化钛层、碳氮化钛层和氮铝化钛层更高，掺碳的氮化硅钛复合层比氮化硅钛具有更高的硬度且摩擦系数小，掺铝的氮化硅钛复合层抗高温氧化性能良好。
氮化硅钛纳米复合涂层复合层碳氮化钛层氮化钛层氮铝化钛本实用新型交替沉积切削刀具掺碳的基础层耐磨层外覆层中间层掺铝抗高温氧化性能刀具表面刀具加工摩擦系数氮化锆硅层

[发明专利]一种全熔高效坩埚的制备方法、全熔高效坩埚和应用-CN201811645255.8在审
发明人：周成;李建敏;何亮;毛伟;徐云飞 -专利权人：赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种全熔高效坩埚的制备方法，包括：提供坩埚基体；将所述坩埚基体预热至70℃－90℃；配置浆料，所述浆料包括氮化硅颗粒、硅溶胶和水，其中，所述氮化硅颗粒包括α相氮化硅晶粒和β相氮化硅晶粒，所述β相氮化硅晶粒的质量占所述氮化硅颗粒总质量的60％－90％，所述氮化硅颗粒、所述水和所述硅溶胶的质量比为(13－15)：(40－55)：(3－5)；采用喷涂法将所述浆料喷涂至所述预热后的坩埚基体内壁表面以形成氮化硅层该制备方法能够有效改善氮化硅层易脱离和坩埚对温度要求高，形核晶粒较大的缺点。本发明实施例还提供了全熔高效坩埚及其应用。
坩埚氮化硅颗粒氮化硅晶粒浆料制备氮化硅层基体内壁坩埚基体硅溶胶预热喷涂温度要求晶粒喷涂法质量比侧壁形核冷却应用脱离配置

[发明专利]一种低辐射镀膜玻璃及其制备方法-CN202110573861.9在审
发明人：陈天宝;史建国;廖云;谢昆峰;曾永华 -专利权人：广东旗滨节能玻璃有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本申请适用于玻璃技术领域，提供了一种低辐射镀膜玻璃及其制备方法，所述低辐射镀膜玻璃包括玻璃基片，氮化硅锆层，层叠结合于所述玻璃基片的表面，所述氮化硅锆层为氮化硅和氮化锆混合物；功能膜层，层叠结合于氮化硅锆层的外表面，所述氮化硅锆层和功能膜层采用真空磁控溅射沉积法依次沉积于玻璃基片的表面，在降低镀膜玻璃辐射率的前提下，同时降低其对可见光的反射率和透过率，实现低反低透的效果。
一种辐射镀膜玻璃及其制备方法

[发明专利]一种环路热管用铜合金/氮化硅复合毛细芯及其制备方法-CN202110523898.0在审
发明人：曾宇平;李雪晴;姚冬旭;左开慧;夏咏锋;尹金伟;梁汉琴 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： F28D15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种环路热管用铜合金/氮化硅复合毛细芯及其制备方法，所述环路热管用铜合金/氮化硅复合毛细芯包括：多孔氮化硅陶瓷毛细芯基体，以及连接在多孔氮化硅陶瓷毛细芯基体上的多孔金属层；所述多孔金属层的材质为铜合金
一种环路管用铜合金氮化复合毛细芯及其制备方法

[发明专利]制备氧化硅和氮化硅超晶格结构的方法-CN202011600486.4在审
发明人：马宏平;张园览 -专利权人：光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备氧化硅和氮化硅超晶格结构的方法。所述制备氧化硅和氮化硅超晶格结构的方法包括如下步骤：提供一衬底；交替进行第一沉积工艺和第二沉积工艺，于所述衬底表面形成氧化硅和氮化硅超晶格结构；所述第一沉积工艺包括重复执行若干次第一循环步骤；所述第一循环步骤包括：采用原子层沉积工艺形成一层氧化硅层于所述衬底表面；所述第二沉积工艺包括重复执行若干次第二循环步骤；所述第二循环步骤包括：采用原子层沉积工艺形成一层氮化硅层于所述氧化硅层表面。本发明达到了精确调控氧化硅层厚度和氮化硅层厚度的效果，实现了对超超晶格薄膜厚度原子层级可控，从而能够形成具有较高质量的氧化硅和氮化硅超晶格结构。
制备氧化氮化晶格结构方法