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[发明专利]阻气膜、膜沉积方法和膜沉积设备-CN201110054321.6有效
发明人：西田弘幸 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：所述阻气膜包含：基底膜；和沉积在所述基底膜的表面上的氮化硅层，其中在所述氮化硅层的厚度方向上，所述氮化硅层的更靠近基底膜侧并且具有所述氮化硅层的20％厚度的区域的第一平均密度低于与所述基底膜相反侧并且具有所述氮化硅层的20％厚度的区域的第二平均密度，并且具有所述氮化硅层的20％厚度的中间区域的第三平均密度介于所述第一平均密度和所述第二平均密度之间。
阻气膜沉积方法设备

[发明专利]阻气膜,膜沉积方法和膜沉积设备-CN201110054226.6无效
发明人：望月佳彦;西田弘幸 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：所述阻气膜包含：基底膜；和沉积在所述基底膜的表面上的氮化硅层，其中在所述氮化硅层的厚度方向上，所述氮化硅层的更靠近基底膜侧的并且具有所述氮化硅层的20％厚度的区域的第一平均密度高于与所述基底膜相反侧的并且具有所述氮化硅层的20％厚度的区域的第二平均密度，并且具有所述氮化硅层的20％厚度的中间区域的第三平均密度介于所述第一平均密度和所述第二平均密度之间。
阻气膜沉积方法设备

[发明专利]一种增大沟槽的底部和顶部曲率半径的工艺-CN201610010198.0在审
发明人：李宇柱 -专利权人：常州中明半导体技术有限公司
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种增大沟槽的底部和顶部曲率半径的工艺，先在半导体基板上形成第一层氧化硅和第一层氮化硅；然后通过光刻把第一层氧化硅和第一层氮化硅打开窗口；以第一层氧化硅和第一层氮化硅为掩膜，通过刻槽工艺，在半导体基板内形成沟槽；然后，在半导体基板上形成第二层氧化硅和第二层氮化硅；通过各向异性刻蚀工艺去除大部分第二层氧化硅和第二层氮化硅，只在沟槽的侧壁保留第二层氧化硅和第二层氮化硅；通过热氧化工艺在沟槽的底部和顶部形成热氧化层
一种增大沟槽底部顶部曲率半径工艺

[发明专利]浅沟槽隔离的制造方法-CN201110051917.0无效
发明人：王新鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离的制造方法，包括：提供硅衬底，所述硅衬底上顺次形成有垫氧化硅层、硅层和氮化硅层；依次刻蚀所述垫氧化硅层、硅层、氮化硅层和部分硅衬底，以形成沟槽；进行硅的氧化工艺，以在所述沟槽内形成第一二氧化硅层；在所述第一二氧化硅层和氮化硅层上形成第二二氧化硅层；通过化学机械研磨工艺去除所述氮化硅层上的第二二氧化硅层；依次去除所述氮化硅层和硅层，形成浅沟槽隔离。
沟槽隔离制造方法

[实用新型]用于合成高α相氮化硅粉体的反应器-CN201822132588.2有效
发明人：王艺馨;高礼文;孙百忠;孙兆江;尚庆刚;马振;邱章喜 -专利权人：泰晟新材料科技有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： B01J19/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及氮化硅合成装置技术领域，具体涉及一种用于合成高α相氮化硅粉体的反应器。所述反应器包括氮化硅筒体、外壳、底板和顶盖；所述氮化硅筒体外表面设有保温层；所述底板和氮化硅筒体之间依次设有底部氮化硅压环和底部多孔氮化硅板，所述底板与进气管道相连，进气管道上设有进气阀门；所述顶盖和氮化硅筒体之间依次设有顶部氮化硅压环和顶部多孔氮化硅板该反应器构造简单，操作简便，用于合成氮化硅粉体，反应周期短，合成效率高，合成的氮化硅粉体纯度高，α相氮化硅含量高。
氮化硅氮化硅粉体合成底板反应器顶盖筒体多孔氮化硅出气管道压环本实用新型反应器构造冷却水腔室筒体外表面出气阀门反应周期合成装置进气阀门进气管道保温层进气管底盖

[实用新型]一种用于MEMS热电堆的红外探测器-CN201822145473.7有效
发明人：张宾 -专利权人：广州奥松电子有限公司;张宾
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： G01J5/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于MEMS热电堆的红外探测器，包括单晶硅、上氧化硅层、下氧化硅层、上氮化硅层、下氮化硅层、热电堆层和红外吸收层；上氧化硅层生长在单晶硅层的上表面，上氮化硅层生长在上氧化硅层的上表面，热电堆层生长在上氮化硅层的上表面，红外吸收层生长在热电堆层的上表面，红外吸收层的厚度为1μm，下氧化硅层生长在单晶硅的下表面，下氮化硅层生长在下氧化硅层的下表面；红外探测器的底部设有凹槽，凹槽贯穿下氮化硅层、下氧化硅层和单晶硅，将上氧化硅层暴露出。本实用新型的红外探测器结构合理，而且其红外吸收层比较薄利于热传递，实现了红外吸收层易于图形化的目的，又降低了其制造难度和生产成本。
氮化硅层氧化硅层红外吸收层热电堆上表面单晶硅红外探测器生长氧化硅层生长本实用新型下表面红外探测器结构单晶硅层热传递图形化生产成本暴露贯穿制造

[发明专利]一种新型AMOLE结构-CN201710467974.4在审
发明人：白航空 -专利权人：合肥市惠科精密模具有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明的一种新型AMOLE结构，包括基板、封装盖板、AMOLED器件、固态胶膜、氮化硅层、框胶、第一阻挡层、缓冲层、第二阻挡层以及干燥剂层；A固态胶膜设置于基板上并覆盖于AMOLED器件外部，干燥剂层设置于固态胶膜外围，氮化硅层设置于封装盖板上且位于干燥剂层外围，框胶设置于基板上且与氮化硅层相对设置，氮化硅层和框胶相对端面相连接，封装盖板与固态胶膜粘结，氮化硅层、框胶与干燥剂层之间有空隙；氮化硅层、框胶与干燥剂层之间有空隙
一种新型 amole 结构

[发明专利]一种砷化镓晶圆的光刻工艺-CN201711215505.X在审
发明人：宋健 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓晶圆的光刻工艺，于待蚀刻砷化镓晶圆表面先沉积一层氮化硅层，再于氮化硅层上形成正光阻层，对正光阻层曝光、显影形成蚀刻窗口之后，对蚀刻窗口之内的氮化硅进行干法蚀刻至裸露砷化镓表面，然后对蚀刻窗口之内的砷化镓进行湿法蚀刻，剥离光阻后通过干法蚀刻去除余下的氮化硅。本发明在砷化镓晶圆表面先镀上一层氮化硅后再涂布正光阻，氮化硅与砷化镓和正光阻均具有较好的结合力，以氮化硅作为粘结层提高了光阻和砷化镓表面之间的粘附力，从而避免了因粘附力不够出现的侧蚀不良等问题，提高了产品的良率
砷化镓氮化硅蚀刻氮化硅层干法蚀刻光刻工艺晶圆表面正光阻光阻晶圆粘附湿法蚀刻正光阻层光阻层结合力粘结层侧蚀对正良率显影沉积去除剥离裸露曝光

[发明专利]TFT阵列基板结构及其制作方法-CN201610040034.2在审
发明人：陈辰 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供的一种TFT阵列基板结构及其制作方法，采用下氮化硅层(31)、氧化硅层(32)、和上氮化硅层(33)三层结构的层间介电层(3)，下氮化硅层(31)含氢为氢化工艺提供氢离子，上氮化硅层(33)提升层间介电层(3)对杂质离子的隔绝防护能力，相比于现有技术中仅包括一氧化硅层与一氮化硅层的双层结构的中间介电层，能够在不影响氢化效果的前提下，提升层间介电层对杂质离子的隔绝防护能力，避免杂质离子污染的风险，缩短氢化时间
tft 阵列板结及其制作方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法、静态随机存储器的形成方法-CN201410494936.4有效
发明人：吴亮;彭坤;赵连国;王峰;王海莲;李磊;呼翔 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-09-24 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其形成方法、静态随机存储器的形成方法，晶体管的栅极结构中的绝缘层为两层结构，即氧化硅绝缘层和氮化硅绝缘层，这两层绝缘层的是先干法刻蚀所述氮化硅绝缘层，接着再湿法刻蚀所述氧化硅绝缘层，在湿法刻蚀所述氧化硅绝缘层的过程的同时还可以去除掉干法刻蚀氮化硅绝缘层的过程中所残留的氮化硅颗粒，从而避免了残留的氮化硅颗粒导致栅极结构存在残留缺陷的问题，提高了产品良率。
半导体器件及其形成方法静态随机存储器

[发明专利]阵列基板制备方法、阵列基板、显示面板和显示器-CN202310357884.5在审
发明人：王辉;廖辉华;宋智辉;袁海江 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板制备方法、阵列基板、显示面板和显示器，所述阵列基板制备方法包括：在衬底上铺设氮化硅层，并确定氮化硅层上需要开孔的过孔区域，在氮化硅层上设置刻蚀保护层，并在刻蚀保护层上对应过孔区域的位置处开设刻蚀保护孔位，基于刻蚀保护孔位对氮化硅层进行刻蚀开孔，将刻蚀保护层去除，在包括氮化硅层的衬底上设置像素层，在包括像素层的衬底上设置有机光阻层，并在有机光阻层上对应过孔区域的位置处进行开孔；由于本发明是先基于刻蚀保护孔位对氮化硅层进行刻蚀，再对有机光阻层进行开孔，从而有效地提升了刻蚀开孔效率和刻蚀质量，避免了同时对氮化硅和有机光阻进行刻蚀产生的刻蚀质量差的问题。
阵列制备方法显示面板显示器

[发明专利]一种提升PERC电池背面转换效率的背面膜层结构以及制备方法-CN201810653461.7在审
发明人：张鹏;常青;谢耀辉;余波;张元秋 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升PERC电池背面转换效率的背面膜层结构，包括电池片；所述第一层氮化硅膜的厚度为15±2nm、折射率为1.44±0.05；所述第二层氮化硅膜的厚度为15±2nm、折射率为1.14±0.05；所述第三层氮化硅膜的厚度为5±2nm、折射率为0.96±0.05；所述第四层氮化硅膜的厚度为60±3nm、折射率为0.9±0.05。一种制备方法，包括以下步骤：S1、电池片前处理；S2、背面制备第一层氮化硅膜；S3、背面制备第二层氮化硅膜；S4、背面制备第三层氮化硅膜；S5、背面制备第四层氮化硅膜。本发明通过优化和改进背面氮化硅镀膜工艺，提升双面PERC电池背面转换效率，提升工业化生产中良率，提高企业效益，而且该工艺完全可以在现有的设备上实现，不需增加任何成本，实用性较强。
氮化硅膜制备背面折射率电池背面转换效率背面膜层结构第三层第一层电池片镀膜工艺企业效益氮化硅前处理良率改进优化

[实用新型]一种提升PERC电池背面转换效率的背面膜层结构-CN201820970167.4有效
发明人：张鹏;常青;谢耀辉;余波;张元秋 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提升PERC电池背面转换效率的背面膜层结构，包括电池片；所述第一层氮化硅膜的厚度为15±2nm、折射率为1.44±0.05；所述第二层氮化硅膜的厚度为15±2nm、折射率为1.14±0.05；所述第三层氮化硅膜的厚度为5±2nm、折射率为0.96±0.05；所述第四层氮化硅膜的厚度为60±3nm、折射率为0.9±0.05。一种制备方法，包括以下步骤：S1、电池片前处理；S2、背面制备第一层氮化硅膜；S3、背面制备第二层氮化硅膜；S4、背面制备第三层氮化硅膜；S5、背面制备第四层氮化硅膜。本实用新型通过优化和改进背面氮化硅镀膜工艺，提升双面PERC电池背面转换效率，提升工业化生产中良率，提高企业效益，而且该工艺完全可以在现有的设备上实现，不需增加任何成本，实用性较强。
氮化硅膜制备背面折射率电池背面转换效率本实用新型背面膜层结构第三层第一层电池片镀膜工艺企业效益氮化硅前处理良率改进优化

[实用新型]一种用于TVS隔离的沟槽结构-CN202022962274.2有效
发明人：陆亚斌;吴昊;王成 -专利权人：傲威半导体无锡有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于TVS隔离的沟槽结构，包括沟槽侧壁、氮化硅层和多晶poly层，所述沟槽侧壁内侧由外向内依次设置有增厚氧化层、氮化硅层、多晶poly层，多晶poly层顶部设有氧化硅层，其中沟槽侧壁、增厚氧化层和氮化硅层均呈凹字形，多晶poly层中部不存在裂缝；所述多晶poly层的厚度大于等于沟槽的宽度；所述多晶poly的高度低于氮化硅层；所述氧化硅层的高度高于氮化硅层；本实用新型的有益效果是沟槽结构的隔离效果更佳
一种用于 tvs 隔离沟槽结构

[发明专利]一种太阳能电池的背面结构和含该背面结构的太阳能电池-CN202011594855.3有效
发明人：李红博;何胜;单伟;徐伟智;曾鑫林;赵迎财 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池背面结构技术领域，为满足太阳能电池的钝化需求趋势，公开一种太阳能电池的背面结构，包括设置在硅片基底上的氧化铝膜层、氧化铝膜层上由内向外依次设置的第一氮化硅膜层、第一氮氧化硅膜层，还包括设置在第一氮氧化硅膜层上的第二氮化硅膜层；第一氮化硅膜层的折射率大于第二氮化硅膜层，第二氮化硅膜层的折射率大于第一氮氧化硅膜层。本发明通过设置氮化硅膜层和氮氧化硅膜层，并使氮氧化硅膜层与氮化硅膜层相对交替布置，可以满足太阳能电池的钝化需求，重点提升太阳能电池的Uoc、Isc、FF和Eta等性能指标，应用于双面或单面PERC太阳能电池
一种太阳能电池背面结构