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[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法-CN201910427781.5在审
发明人：兰叶;陶羽宇;常远;吴志浩 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：所述发光二极管芯片包括外延片、位于所述外延片上的电极和钝化保护层；所述钝化保护层包括依次层叠的第一氧化硅层、第二氧化硅层、超晶格层、第一氮化硅层和第二氮化硅层，所述第二氧化硅层的致密度低于所述第一氧化硅层的致密度，所述超晶格层包括交替层叠的多个第三氮化硅层和多个第三氧化硅层，所述第一氮化硅层的晶体质量差于所述第二氮化硅层的晶体质量。本发明通过第一氧化硅层、第二氧化硅层、超晶格层、第一氮化硅层、第二氮化硅层依次层叠形成的钝化保护层，可以提高LED芯片的可靠性。
氮化硅层氧化硅层发光二极管芯片钝化保护层二氧化硅层超晶格层依次层叠外延片半导体技术领域交替层叠质量差电极制作

[实用新型]一种硅片镀膜片-CN202021121990.1有效
发明人：张瑞麟;蔡林林;李江波;曹子玉;孙丹芳;汪平锋 -专利权人：利基光电科技（九江）有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅片镀膜片，包括硅片本体，其特征在于，硅片本体的端面上沉积有复合功能膜层，复合功能膜层包含硅片本体依次向外沉积的氮化硅膜层一、氮化硅膜层二、耐高温阻燃膜层及氧化硅膜层，氮化硅膜层一及氮化硅膜层二的厚度依次递增，氮化硅膜层一及氮化硅膜层二的折射率均大于氧化硅膜层的折射率，耐高温阻燃膜层设于氮化硅膜层二及氧化硅膜层之间。本实用新型的有益效果：本申请通过优化硅片膜层的结构以及厚度参数，使得硅片进行镀膜处理过程中的镀膜效果以及效率得以显著提高，采用本申请优化工艺，能够减少制绒、扩散步骤，降低了对硅片的损伤和硅片碎片率，减少了原料消耗
一种硅片镀膜

[发明专利]碳氮化硅点火器及其制作方法-CN200910048182.9有效
发明人：陈长明 -专利权人：上海汉源特种陶瓷有限公司
申请日： 2009-03-25 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： F23Q7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳氮化硅点火器及其制作方法。碳氮化硅点火器包括载体、带电极的发热钨丝和导线，载体为实体层状结构件，包括氮化硅内芯、碳化硅表层以及夹在氮化硅内芯和碳化硅表层之间的碳氮化硅过渡层，发热钨丝嵌装在氮化硅内芯中，发热钨丝电极设置在载体的一端制作方法包括制作氮化硅素坯、制作碳片、制作碳氮化硅点火器基体和焊接导线等步骤。采用本发明的制作方法制作的碳氮化硅点火器由于表层是碳化硅层，可在＞1400℃的温度工况下工作不会氧化，由于内芯是氮化硅，又保持了点火器的高温抗冲击、抗热震性能。
氮化点火器及其制作方法

[发明专利]一种层间耦合结构及其制备方法-CN202310076642.9在审
发明人：李彬;李志华;唐波;杨妍;张鹏;谢玲;刘若男;黄凯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请提供一种层间耦合结构及其制备方法，该结构包括：位于衬底上的第一波导；第一介质层覆盖第一波导；位于第一介质层远离衬底一侧的第一层氮化硅结构；第二介质层覆盖第一层氮化硅结构；位于第二介质层远离衬底一侧的第二层氮化硅结构；第一波导、第一层氮化硅结构和第二层氮化硅结构任意两者之间在衬底上的正投影具有重合区域；第二层氮化硅结构靠近第一波导的一端具有斜面结构。利用第一层氮化硅结构来提高层间耦合结构中膜层的质量，降低波导损耗，但第一层氮化硅结构的厚度不宜过厚，否则会产生裂纹，从而影响器件的整体性能，故在第一层氮化硅结构上形成第二层氮化硅结构以从整体上保证层间耦合结构中膜层厚度
一种耦合结构及其制备方法

[发明专利]一种BOX形氮化硅波导及其制备方法-CN202010370812.0有效
发明人：周章渝;肖寒;孙健;代天军;陈雨青;彭晓珊;王代强;张青竹;宁江华;张子砚 -专利权人：贵阳学院
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种BOX形氮化硅波导及其制备方法，属于光学材料技术领域，该方法包括：在半导体衬底上依次形成第一包覆层、第一牺牲层以及第二牺牲层；刻蚀第一牺牲层和第二牺牲层，去除第二牺牲层，形成条形槽；生长氮化硅材料，一部分生长在条形槽内，一部分覆盖在第一牺牲层上，表面平坦化，形成BOX氮化硅槽；生长第二包覆层，一部分填充满BOX氮化硅槽，一部分覆盖在第一牺牲层上，表面平坦化，形成光滑表面；生长氮化硅材料，覆盖光滑表面；刻蚀BOX氮化硅槽外的氮化硅材料，形成BOX氮化硅波导，刻蚀第一牺牲层；在第一包覆层和BOX氮化硅波导上生长第三包覆层，解决了传统工艺直接刻蚀介质材料SiO2
一种 box 氮化波导及其制备方法

[发明专利]减反射膜的制作方法及太阳能电池-CN202310399487.4在审
发明人：高纪凡;夏斯阳;李松江;冯德魁;董龙辉;潘闻景;郭超 -专利权人：天合光能股份有限公司;天合光能（常州）科技有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：减反射膜的制作方法包括：利用硅烷和氨气作为反应气体，在基底上形成第一氮化硅层；利用硅烷和氨气作为反应气体，在第一氮化硅层背离基底的一侧表面形成第二氮化硅层；利用硅烷、氨气和笑气作为反应气体，在第二氮化硅层背离第一氮化硅层的一侧表面形成氮氧化硅层；其中，在形成第一氮化硅层的步骤中，硅烷和氨气的流量比为1:5～1:3；在形成第二氮化硅层的步骤中，硅烷和氨气的流量比为1:9～1:7；在形成氮氧化硅层的步骤中，硅烷和氨气的流量比为1:5～1:3。本发明中，减反射膜的膜层均匀性较好、电性能较佳。
减反射膜制作方法太阳能电池

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和具有该薄膜晶体管的显示装置-CN201310212002.2有效
发明人：陈韦廷;黄俊杰 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种薄膜晶体管，包括绝缘基板、栅极、栅极绝缘层、有源半导体层和源电极/漏电极层，其中栅极绝缘层包括：第一氮化硅膜、设于第一氮化硅膜上的第二氮化硅膜、设于第二氮化硅膜上的第三氮化硅膜，第一与第三氮化硅膜的厚度小于第二氮化硅膜的厚度，且第一与第三氮化硅膜中的N‑H键含量低于第二氮化硅膜中的N‑H键含量。本发明通过改变栅极绝缘层的成膜结构和成膜膜质，改善了其耐击穿和防漏电性能，从而提高了薄膜晶体管的击穿耐压性和可靠性，进而提升了显示装置的良率和品质。
薄膜晶体管及其制造方法具有显示装置

[发明专利]一种X射线显微透镜成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法-CN201010167751.4有效
发明人：侯克玉;贺周同 -专利权人：上海纳腾仪器有限公司
申请日： 2010-05-06 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种X射线显微透镜成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法，在一硅晶片衬底的两面上分别沉积一层低应力氮化硅薄膜，利用一掩膜板将氮化硅窗口图形转移至之相应的覆盖在一氮化硅薄膜上的光刻胶上，并形成光刻胶的被曝光显影的光刻开口区、及未曝光显影的非光刻区，通过光刻开口区刻蚀该氮化硅薄膜并暴露硅晶片衬底，在硅晶片衬底上刻蚀出氮化硅窗口图形沟槽，并在氮化硅窗口图形沟槽的底部与另一层氮化硅薄膜之间形成一层硅残留层，最后利用湿法刻蚀移除硅残留层本发明使得氮化硅薄膜窗口的损伤减少并更加规则，可以任意调节硅衬底的厚度，缩短成品的制作周期时间，提高了成品率和生产效益。
一种射线显微透镜成像氮化薄膜窗口制作方法

[发明专利]一种氮化硅光栅耦合器及其制备方法、光器件-CN202210089673.3在审
发明人：李彬;李志华;谢玲;杨妍;李东浩;唐波;张鹏;刘若男 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化硅光栅耦合器及其制备方法、光器件，涉及光器件技术领域，用于提供一种采用低压化学气相淀积法与等离子体增强化学气相沉积相结合的方式有效提升光纤与光芯片的耦合效率的技术方案。氮化硅光栅耦合器包括：衬底；形成在衬底上的包层；形成在包层中的光栅耦合器；其中，光栅耦合器包括自下而上间隔设置的第一氮化硅光栅耦合层和第二氮化硅光栅耦合层，第一氮化硅光栅耦合层与第二氮化硅光栅耦合层之间形成有包层；其中，第一氮化硅光栅耦合层采用低压化学气相淀积法形成，第二氮化硅光栅耦合层采用等离子体增强化学气相沉积法形成。
一种氮化光栅耦合器及其制备方法器件

[发明专利]一种去除石墨烯上光刻胶的方法-CN201610459777.3在审
发明人：狄增峰;贾鹏飞;薛忠营;郑晓虎;王刚;马骏;张苗;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种去除石墨烯上光刻胶的方法，包括：提供表面具有石墨烯的衬底；在所述石墨烯上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上涂覆光刻胶，并进行需要光刻胶的后续工艺处理；利用丙酮浸泡去除部分所述光刻胶；利用氢氟酸浸泡去除所述氮化硅层及剩余的光刻胶本发明的方法，在石墨烯与光刻胶之间插入一层氮化硅层，利用氢氟酸去除氮化硅层，从而通过去除氮化硅层可有效带走其上难以去除的光刻胶。插入的氮化硅层不会影响后续带胶工艺，易腐蚀，方便去除，且不会对石墨烯造成不利影响，避免了传统打胶处理对石墨烯造成的损伤。
一种去除石墨光刻方法

[发明专利]用于制备受控应力的氮化硅膜的方法-CN200610149888.0有效
发明人： R·苏亚纳哈亚南·耶尔;萨恩吉夫·唐顿;雅各布·W·史密斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2006-10-27 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明提供了用于在半导体衬底上制备多层氮化硅膜的方法。在一个实施例中，用于在半导体衬底上制备多层氮化硅膜的方法包括：提供衬底，所述多层氮化硅膜将被形成在所述衬底上；以及在一个处理反应器中通过如下操作形成所述多层氮化硅膜：(a)在基底结构上沉积包括氮化硅的底部层；(b)在所述底部层上沉积包括应力控制材料的中间层；和(c)在所述中间层上沉积包括氮化硅的顶部层。与单独的氮化硅相比，所述应力控制材料选择性地增大或者减小多层氮化硅膜的应力。
用于制备受控应力氮化方法

[发明专利]用于3D NAND的掺杂氮化硅-CN202280012129.7在审
发明人：李天洋;D·帕德希;韩新海;于航;汪传颖 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：形成半导体结构的示例性方法可包括由含硅前驱物和含氧前驱物形成氧化硅层。方法可包括由含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物形成氮化硅层。氮化硅层可由大于或约5原子％的氧浓度表征。方法还可包括重复形成氧化硅层和形成氮化硅层以产生氧化硅和氮化硅的交替层的堆叠。
用于 nand 掺杂氮化

[实用新型]一种提升PERC电池转换效率的正面膜层结构-CN201820195401.0有效
发明人：张鹏;洪布双;杨蕾;王岚;闫涛 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提升PERC电池转换效率的正面膜层结构，包括硅片，所述硅片的正面依次沉积有第一层氮化硅膜、第二层氮化硅膜、第三层氮化硅膜以及第四层氮化硅膜；所述第一层氮化硅膜的厚度为10±2nm、折射率为2.67±0.05；所述第二层氮化硅膜的厚度为15±2nm、折射率为1.91±0.05；所述第三层氮化硅膜的厚度为5±2nm、折射率为1.33±0.05；所述第四层氮化硅膜的厚度为50±3nm、折射率为本实用新型的膜层结构能提升电池短波响应，提高电池光吸收，增加电池短路电流，最终实现电池光电转效率提高，实现提效将本的目的。
氮化硅膜折射率电池转换效率本实用新型电池层结构第三层第一层正面膜硅片电池短路电流短波响应膜层结构光吸收提效沉积

[发明专利]一种形成双应力刻蚀阻挡层的方法-CN201210158826.1有效
发明人：徐强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明一种形成双应力刻蚀阻挡层的方法，包括：具有NMOS区域与PMOS区域的半导体器件，其中，对PMOS区域上的高拉应力氮化硅层进行二次刻蚀，第一次为对PMOS区域上高拉应力氮化硅层进行部分干法刻蚀，使PMOS区域上残留部分高拉应力氮化硅层；第二次为对PMOS区域上的高拉应力氮化硅层3进行远端等离子体化学的刻蚀，将残留部分的高拉应力氮化硅层完全移除，同时使NMOS区域上未被光刻阻挡层覆盖的高拉应力氮化硅层侧面也被刻蚀一部分通过使用本发明一种形成双应力刻蚀阻挡层的方法，有效地改善了PMOS区域上方的高拉应力氮化硅层去除的方法，使高拉应力氮化硅层与高压应力氮化硅层之间的交叠区域平整，同时该方法能够很好的处理不同应力SiN薄膜的交叠区域
一种形成应力刻蚀阻挡方法

[发明专利]一种形成双应力刻蚀阻挡层的方法-CN201210158828.0有效
发明人：徐强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明一种形成双应力刻蚀阻挡层的方法，包括：具有PMOS区域与NMOS区域的半导体器件，其中，对NMOS区域上的高压应力氮化硅层进行二次刻蚀，第一次为对NMOS区域上高压应力氮化硅层进行部分干法刻蚀，使NMOS区域上残留部分高压应力氮化硅层；第二次为对NMOS区域上的高压应力氮化硅层3进行远端等离子体化学的刻蚀，将残留部分的高压应力氮化硅层完全移除，同时使PMOS区域上未被光刻阻挡层覆盖的高压应力氮化硅层侧面也被刻蚀一部分通过使用本发明一种形成双应力刻蚀阻挡层的方法，有效地改善了NMOS区域上方的高压应力氮化硅层去除的方法，使高压应力氮化硅层与高拉应力氮化硅层之间的交叠区域平整，同时该方法能够很好的处理不同应力SiN薄膜的交叠区域
一种形成应力刻蚀阻挡方法