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[发明专利]一种晶硅太阳能电池的制造工艺-CN201810276206.5在审
发明人：黎微明;糜珂 -专利权人：江苏微导纳米装备科技有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅太阳能电池的制造工艺，其包括如下工艺：激光打孔、制绒、扩散、背面刻蚀、原子层沉积或者等离子体原子层沉积钝化膜、正面减反层镀膜、印刷烧结；所述激光打孔可以在制绒、扩散、背面刻蚀任何一个工艺之前或者之后；所述原子层沉积或者等离子体原子层沉积钝化膜、正面减反层镀膜的工艺顺序可以根据工艺需要调整；采用原子层沉积或者等离子体原子层沉积工艺为电池片单面镀膜及在穿孔内壁上镀膜或者采用原子层沉积或者等离子体原子层沉积工艺为电池片的双面同时镀膜及在穿孔内壁上镀膜
等离子体原子层沉积镀膜原子层沉积硅太阳能电池背面刻蚀穿孔内壁激光打孔制造工艺电池片钝化膜减反层制绒种晶扩散单面镀膜烧结印刷

[发明专利]集成原子级工艺：ALD（原子层沉积）和ALE（原子层蚀刻）-CN201610017911.4在审
发明人：克伦·雅各布斯·卡纳里克;杰弗里·马克斯;哈梅特·辛格;萨曼莎·坦;亚历山大·卡班斯凯;杨文斌;特塞翁格·金姆;丹尼斯·M·豪斯曼;索斯藤·利尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
集成原子工艺 ald 沉积 ale 蚀刻

[发明专利]集成原子级工艺：ALD（原子层沉积）和ALE（原子层蚀刻）-CN202011156060.4在审
发明人：克伦·雅各布斯·卡纳里克;杰弗里·马克斯;哈梅特·辛格;萨曼莎·坦;亚历山大·卡班斯凯;杨文斌;特塞翁格·金姆;丹尼斯·M·豪斯曼;索斯藤·利尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
集成原子工艺 ald 沉积 ale 蚀刻

[发明专利]集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)-CN201810642746.0有效
发明人：克伦·雅各布斯·卡纳里克;杰弗里·马克斯;哈梅特·辛格;萨曼莎·坦;亚历山大·卡班斯凯;杨文斌;特塞翁格·金姆;丹尼斯·M·豪斯曼;索斯藤·利尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
集成原子工艺 ald 沉积 ale 蚀刻

[发明专利]原子层沉积设备、密封方法和用于沉积的喷嘴组-CN201210127050.7有效
发明人：金胜勋;徐祥准;金镇圹;千峻赫 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：公开了一种原子层沉积设备、一种使用该原子层沉积设备密封有机发光装置的方法以及一种用于沉积的喷嘴组。在一个实施例中，该原子层沉积设备改进了吹扫气体注射喷嘴的结构，从而提高原子层沉积工艺中的吹扫气体的排出效率，这提高了吹扫工艺的速度。因此，当通过使用该原子层沉积设备来实施用于密封有机发光装置的密封工艺时，可以提高沉积速度和密封膜的质量。
原子沉积设备密封方法用于喷嘴

[发明专利]沉积含钇膜的方法及设备-CN202310837902.X在审
发明人：拉克马尔·C·卡拉塔拉格;马克·沙丽;托马斯·奈斯利;本杰明·施密格;大卫·汤普森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：兹描述用于经由原子层沉积工艺来沉积含钇膜的方法。本公开内容的某些实施方式利用等离子体增强的原子层沉积工艺。亦描述用于执行含钇膜的原子层沉积的设备。
沉积含钇膜方法设备

[发明专利]沉积含钇膜的方法及设备-CN201880046778.2有效
发明人：拉克马尔·C·卡拉塔拉格;马克·沙丽;托马斯·奈斯利;本杰明·施密格;大卫·汤普森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：兹描述用于经由原子层沉积工艺来沉积含钇膜的方法。本公开内容的某些实施方式利用等离子体增强的原子层沉积工艺。亦描述用于执行含钇膜的原子层沉积的设备。
沉积含钇膜方法设备

[发明专利]原位原子层沉积工艺-CN202080037396.0在审
发明人： S·W·朴;X·崔;S·斯里尼瓦杉;R·丁德萨;Z·姚;L·于;O·卢艾莱;J·S·金 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了用于在图案化工艺之间、期间、之前或之后在基板上形成期望的材料层的方法和设备。在一个实施例中，一种用于在基板上形成材料层的方法包含以下步骤：使第一气体前驱物脉冲到基板的表面上，该第一气体前驱物包括有机硅化合物。
原位原子沉积工艺

[发明专利]一种原子层沉积修饰的锂离子电池及其制备方法-CN201610957447.7在审
发明人：顾海涛;周欣彬;谢朝香;简德超;田文生;王可 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）修饰的锂离子电池及其制备方法，本发明公开的原子层沉积修饰的锂离子电池正、负极活性物质材料至少择一表面形成有修饰层，所述修饰层采用原子层沉积工艺形成；或者正、负极极片至少择一表面形成有修饰层，所述修饰层采用原子层沉积工艺形成。
一种原子沉积修饰锂离子电池及其制备方法

[发明专利]ONO结构及ONO电容的制作方法-CN201410217609.4无效
发明人：雷通;桑宁波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明公开了一种ONO结构的制作方法，包括以等离子体增强原子层沉积工艺在晶圆表面生长第一氧化硅层；以等离子体增强原子层沉积工艺在所述第一氧化层上生长氮化硅层；以及以等离子体增强原子层沉积工艺在所述氮化层上生长第二氧化硅层上述步骤在等离子体增强原子层沉积设备中原位执行。本发明可以在同一设备同一工艺菜单中制作性能优越的ONO结构。
ono 结构电容制作方法

[发明专利]薄膜沉积设备-CN201811249125.2在审
发明人：申雄澈;崔圭政;白敏;楊澈勳 -专利权人： NCD有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜沉积设备，在一个外部腔室内装入多个盒子，而具有能够进行原子层沉积工艺的多个工艺腔室，对多张基板同时均匀地执行原子层沉积工艺。
薄膜沉积设备

[发明专利]一种原子层薄膜原位沉积制备工艺及制备系统-CN202211368248.4在审
发明人：张昱;陈乾;张冉远;黄文俊;崔成强;杨冠南 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层薄膜原位沉积制备工艺及制备系统，涉及材料工程技术领域。本发明原子层薄膜原位沉积制备工艺包括以下步骤：在惰性气体的环境下，向设置于沉积基板两侧的阳极电极和阴极电极施加电压和电流，且沉积基板通过导电胶固定于阴极电极的反应端面，阳极电极和阴极电极发生火花烧蚀反应，产生等离子体粒子，等离子体粒子在制备原位进行沉积，在沉积基板上形成原子层薄膜。本发明的原子层薄膜原位沉积制备工艺，在一个充满惰性气流的反应腔体内进行薄膜沉积，能够高效形成原子层薄膜，反应过程简单高效，解决了目前原子层薄膜制备方法需要使用昂贵的化学反应前驱体和薄膜生长速度慢的问题。
一种原子薄膜原位沉积制备工艺系统

[发明专利]一种原子层沉积系统及沉积方法-CN202110455179.X在审
发明人：茆胜 -专利权人：睿馨（珠海）投资发展有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种原子层沉积系统及沉积方法，其中，原子层沉积系统包括：缓冲腔室、预装载腔、反应腔室。其中，缓冲腔室与前道工艺设备的真空平衡腔体相连接，在所述缓冲腔室内设有装载臂，实现待沉积基板向后续工艺设备的传递；预装载腔与所述缓冲腔室一字型连接，在所述预装载腔内设有旋转夹具，以承接并固定由所述装载臂递送的待沉积基板，所述旋转夹具上内设有动力机构，实现将载有待沉积基板的旋转夹具向后续工艺设备的传递；反应腔室位于所述预装载腔的下方，在所述反应腔室内设有真空反应器。有益效果是：通过批量性的进行原子层沉积工艺，极大的提高了原子层沉积系统的生产效率，适合批量性工艺，对基底进行膜层沉积保护。
一种原子沉积系统方法

[实用新型]一种阀门和原子层沉积设备-CN202221251521.0有效
发明人：刘锦鹏;徐亚博;高少辉;刘文超 -专利权人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： F16K1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种阀门和原子层沉积设备，涉及阀门技术领域，用于保持原子层沉积设备的工艺腔室的处于密封的情况下，延长阀门的使用寿命。阀门具有空腔，空腔具有进口端、出口端和封闭端。原子层沉积设备包括工艺腔室、尾排管路和上述的阀门。工件在工艺腔室内进行原子层沉积工艺。尾排管路与工艺腔室连通，用于排出工件在工艺腔室内进行原子层沉积工艺时产生的尾气，阀门设置于尾排管路。
一种阀门原子沉积设备

[发明专利]无机封装薄膜、OLED封装薄膜的制作方法及相应装置-CN201710253084.3在审
发明人：崔富毅;孙泉钦;陈旭;肖昂 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及无机封装薄膜、OLED封装薄膜的制作方法及相应装置，用以解决目前OLED显示面板中的薄膜封装结构，采用化学气相沉积工艺制备的无机膜层致密性偏差，导致无机膜层的绝缘性和隔阻水氧的能力较差的问题。该方法包括采用化学气相沉积工艺，在待封装器件上形成第一无机封装薄膜；采用原子层沉积工艺，在第一无机封装薄膜上形成一整层的第二无机封装薄膜。本发明采用化学气相沉积工艺和原子层沉积工艺分别制作两层无机封装薄膜，原子层沉积工艺成膜单位微小，膜层的致密性更高，因而可以填补采用化学气相沉积工艺制备的无机封装薄膜中出现的细微孔洞缺陷，进而可以提高无机膜层的绝缘性和隔阻水氧的能力
无机封装薄膜 oled 制作方法相应装置

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