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[发明专利]氮化硅蚀刻方法-CN202210029447.6有效
发明人：廖军;张志敏 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化硅蚀刻方法，包括：提供一衬底，衬底上具有氮化硅层；执行氧化工艺，在氮化硅层上形成氮氧化硅层；形成图形化的掩模层，图形化的掩模层覆盖氮氧化硅层；对氮氧化硅层及氮化硅层执行干法蚀刻工艺，并以标准蚀刻终点时间监控干法蚀刻工艺，其中，标准蚀刻终点时间利用氮化硅层的厚度、氮氧化硅层的厚度、氮化硅层的蚀刻速率以及氮氧化硅层的蚀刻速率建立。本发明中，利用氮氧化硅层覆盖氮化硅层以防止氮化硅层在重工工艺中氧化，使得经重工的衬底和未重工的衬底具有相同的结构，从而可以利用标准蚀刻终点时间对干法蚀刻工艺进行监控，以达到解决干法蚀刻机台因重工图形化的掩模层的衬底报警的问题
氮化蚀刻方法

[发明专利]一种制造高拉应力氮化硅薄膜的方法-CN201110110367.5有效
发明人：徐强;张文广;郑春生;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/26 文献下载
摘要：本发明公开一种制造高拉应力氮化硅薄膜的方法，先在硅基板上沉积一层第一氮化硅薄膜层，利用等离子体对第一氮化硅薄膜进行处理；在第一氮化硅薄膜层之上沉积一层第二氮化硅薄膜层，并再次用等离子体对第二氮化硅薄膜进行处理；对多层氮化硅薄膜层进行紫外光照射。本发明提供制造方法可以在较低的制造成本下制造出应力最少为1.8GPa的氮化硅薄膜，将应用NMOS器件上将极大的增加的电迁移率且生产工艺也相当简单。
一种制造应力氮化薄膜方法

[发明专利]一种适用黑组件的晶硅太阳能电池正膜膜层结构及其制备方法-CN202210663188.2在审
发明人：刘贤金;彭碧;周塘华;易辉;郭英江;江庆 -专利权人：湖南红太阳新能源科技有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用黑组件的晶硅太阳能电池正膜膜层结构及其制备方法，该正膜膜层结构包括由下至上依次设置的氧化层、高折射率氮化硅膜层、低折射率氮化硅膜层、超低折射率氮化硅膜层和氧化硅膜层，高折射率氮化硅膜层、低折射率氮化硅膜层、超低折射率氮化硅膜层、氧化硅膜层的折射率依次递减。制备方法包括采用PECVD沉积方法在底层氧化层上先后制备高折射率氮化硅膜层、低折射率氮化硅膜层、超低折射率氮化硅膜层和氧化硅膜层。本发明的晶硅太阳能电池正膜膜层结构可改善片内和片间膜层均匀性，最大程度降低正面反射率，使组件外观效果呈现黑色，有效解决黑色电池片边缘发蓝和片间颜色差异问题。
一种适用组件太阳能电池正膜膜层结构及其制备方法

[发明专利]相变存储器及其制备方法-CN202111124084.6在审
发明人：贺祖茂;刘峻;杨红心;王恩博 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：通过对氮化硅层进行羟基化处理以在氮化硅层的表面上产生硅羟基，提高了氮化硅层和有机材料层之间的粘附性能，使得有机材料层可直接形成在氮化硅层上，从而可以省略有机材料层和氮化硅层之间的粘合层，有利于增大氮化硅层的厚度，提高对相变层的保护强度，改善所制备出的相变存储器的性能。
相变存储器及其制备方法

[发明专利]PIP电容的制作方法-CN201910781804.2有效
发明人：王卉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种PIP电容的制作方法，包括：提供一衬底，衬底分为存储区和逻辑区，在衬底上依次形成耦合氧化物层、浮栅层、第一介质层、控制栅层和浮栅氮化硅；使用浮栅氮化硅的刻蚀版图刻蚀浮栅氮化硅；形成覆盖刻蚀后的浮栅氮化硅外侧的浮栅侧壁，以及形成覆盖浮栅侧壁的浮栅位移侧墙和隧穿氧化层；形成字线；形成保护氮化硅和保护氧化硅覆盖字线；去除逻辑区的保护氮化硅和保护氧化硅，部分刻蚀浮栅氮化硅；在所述逻辑区形成逻辑栅氧化硅覆盖刻蚀后的浮栅氮化硅和字线；形成逻辑栅多晶硅覆盖逻辑栅氧化硅。本发明通过加入浮栅氮化硅的刻蚀版图刻蚀浮栅氮化硅，可以获得平整的多晶硅表面。
pip 电容制作方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法-CN202111409309.2在审
发明人：韩广涛 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括：在硅衬底表面依次形成第一氧化层、第一氮化硅层、第二氧化层和第二氮化硅层；形成贯穿第一氧化层、第一氮化硅层、第二氧化层和第二氮化硅层的窗口；在窗口侧面形成氮化硅侧墙；于所述窗口内刻蚀部分硅衬底，形成具有预定深度的沟槽；在第二氮化硅层表面、沟槽和窗口内沉积氧化物，并使用化学机械研磨去除多余的沉积的氧化物；去除第一氧化层、第一氮化硅层、第二氧化层和第二氮化硅层的剩余部分及氮化硅侧墙本发明优化了浅沟槽隔离结构的制备工艺，能够在不改变氮化硅单位体积内缺陷密度的情况下，极大程度的降低浅沟槽隔离结构中的硅残留，提高了产品良率。
沟槽隔离结构制备方法

[发明专利]一种液冷的IGBT变流装置和制造方法-CN201210202755.0无效
发明人：庄伟东 -专利权人：南京银茂微电子制造有限公司
申请日： 2012-06-18 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种液冷的IGBT变流装置和制造方法，一种液冷的IGBT变流装置包括氮化硅陶瓷基板、芯片和绝缘支架，所述氮化硅陶瓷基板包括第二铜层、氮化硅陶瓷板和第一铜层，所述第一铜层焊接在氮化硅陶瓷板的正面，所述第二铜层焊接在氮化硅陶瓷板的背面；在绝缘支架上端设有控制和驱动板，氮化硅陶瓷基板、绝缘支架和控制和驱动板共同形成密封腔；所述氮化硅陶瓷基板背面设有散热器。本发明直接以氮化硅陶瓷板作为基板，氮化硅陶瓷基板允许更厚的铜层，进而大幅度提高IGBT变流装置的电流输出能力。
一种 igbt 装置制造方法

[发明专利]在多晶硅膜层中形成窄沟槽结构的制备方法-CN200910055509.5无效
发明人：徐爱斌;李荣林;李栋;董耀旗;宗登刚 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-07-28 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在多晶硅膜层中形成窄沟槽结构的制备方法，包括如下步骤：在多晶硅膜层上淀积第一层氮化硅膜层；在第一层氮化硅膜层上涂布光刻胶，光刻定义沟槽区域；刻蚀曝光露出的第一层氮化硅膜层，去除剩余光刻胶；在刻蚀后的第一层氮化硅膜层上淀积第二层氮化硅膜层；干法刻蚀第二层氮化硅膜层，并在第一层氮化硅膜层中形成侧墙和隔离区；用刻蚀后剩余的氮化硅膜层作为硬掩膜层，刻蚀多晶硅膜层，在多晶硅膜层内形成窄沟槽结构；去除剩余的氮化硅膜层。本发明不需要改进光刻设备即可在多晶硅膜层中制备宽度＜＝0.10um的窄沟槽结构，且窄沟槽的宽度可以通过改变第二层氮化硅膜层的厚度控制。
多晶硅膜层中形成沟槽结构制备方法

[发明专利]一种多晶坩埚及其制备方法-CN201710812443.4在审
发明人：姚祥侠;李航;徐文静;杨小刚;苏光都 -专利权人：江西中昱新材料科技有限公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶坩埚的制备方法，包括A)将高纯层浆料刷涂在坩埚内壁上、干燥，得到高纯层；所述高纯层浆料由石英砂、硅溶胶和水制备得到；B)将氮化硅层浆料刷涂在所述高纯层上，干燥，得到多晶坩埚；所述氮化硅层浆料由氮化硅、胶水和水制备得到；所述氮化硅包括粒径为2～5μm的第一粒径氮化硅和粒径为1～2μm的第二粒径氮化硅。本发明采用毛刷刷涂的方式制备氮化硅层，并结合特定的粒径的氮化硅。提高了氮化硅层的致密性和牢固度，降低了硅锭的氧含量和红区，提升了制备得到电池片的光电转换效率。
一种多晶坩埚及其制备方法

[实用新型]一种太阳能电池正面减反膜及电池-CN202121124290.2有效
发明人：史元喆;杨二存;刘海泉;庞瑞卿;吕闯;赵小平;逯承承;时宝;陈刚 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池正面减反膜，包括由下至上依次设置的第一氮化硅薄膜层、第二氮化硅薄膜层、氧化硅薄膜层、第一氮氧化硅薄膜层、第二氮氧化硅薄膜层，所述第一氮化硅薄膜层、第二氮化硅薄膜层、氧化硅薄膜层、第一氮氧化硅薄膜层、第二氮氧化硅薄膜层相连接，所述第一氮化硅薄膜层与硅片相连；所述第一氮化硅薄膜层的折射率＞所述第二氮化硅薄膜层的折射率＞所述第一氮氧化硅薄膜层的折射率＞所述第二氮氧化硅薄膜层的折射率
一种太阳能电池正面减反膜电池

[发明专利]一种显示面板、薄膜晶体管及其制备方法-CN202110253417.9在审
发明人：夏玉明;卓恩宗;余思慧 -专利权人：滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种显示面板、薄膜晶体管及其制备方法，薄膜晶体管包括：基板以及设于基板上的栅极、栅极绝缘层、沟道层、源极、漏极以及绝缘保护层；栅极绝缘层包括第一氮化硅层、设于第一氮化硅层上的第二氮化硅层以及设于第二氮化硅层上的第三氮化硅层，其中，第三氮化硅层位于沟道层与第二氮化硅层之间，且第三氮化硅层中的氮硅的浓度比例小于1，通过使第三氮化硅层中的含硅量大于含氮量，促进栅极绝缘层与沟道层之间的界面处的硅原子的原子化学键接触更加紧密，同时也可以改善其界面应力
一种显示面板薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]制造具有绝缘性能提高的氮化膜的半导体器件的方法-CN200410045757.9无效
发明人：泷本俊英 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2004-05-21 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括通过下列步骤形成两层氮化硅膜作为绝缘膜：将含氮气体与二氯甲硅烷反应，形成一层氮化硅膜；将含氮气体与由硅和氯组成的化合物反应，形成另一层氮化硅膜。一层氮化硅膜的漏电流性能优越，而另一层氮化硅膜的沉积速度比一层氮化硅膜的沉积速度快，导致氮化硅膜的绝缘性能改善并使模拟膜的产量较高。
制造具有绝缘性能提高氮化半导体器件方法

[实用新型]一种晶体三极管芯片和电子器件-CN202220546478.4有效
发明人：李小东;李军军 -专利权人：成都亚光电子股份有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体三极管芯片和电子器件，包括外延片，设于外延片上表面依次层叠的氧化硅层和第一氮化硅层，贯穿氧化硅层和第一氮化硅层的基极电极和发射极电极，设于基极电极、发射极电极和第一氮化硅层上表面的第二氮化硅层本申请中基极电极和发射极电极的横向部分下表面与第一氮化硅层接触，基极电极、发射极电极与第一氮化硅层的结合力强于与二氧化硅层的结合力，且第一氮化硅层的致密性、阻挡钠离子能力、化学稳定性优于二氧化硅层，因此可以提升晶体三极管芯片电参数的稳定性，且本申请设置有第一氮化硅层和第二氮化硅层两层氮化硅层，可以更加有效阻止水汽和污染物的影响，提高可靠性。
一种晶体三极管芯片电子器件

[实用新型]一种绿色玻璃盖板-CN201821449896.1有效
发明人：尹凡华;周伟杰 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绿色玻璃盖板，包括：具有相对设置的第一表面和第二表面的玻璃基板；颜色膜层，设置在所述玻璃基板的第一表面，所述颜色膜层为绿色，所述颜色膜层为交叉层叠的多层第一氮化硅膜层和多层第二氮化硅膜层；所述第一氮化硅膜层与第二氮化硅膜层的折射率不同；黑色油墨层，设置在所述玻璃基板的第二表面。本实用新型中，通过多层折射率不同的第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层的反复叠加，合理调控第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层的层数和厚度，使得颜色膜层既能提高玻璃基板表面的硬度又能显示绿色，达到美观效果，由于只需使用氮化硅一种材料
一种绿色玻璃盖板

[实用新型]基于氮化硅光子晶体的光分路器-CN202120882537.0有效
发明人：佘小娟;廖涵;赵瑛璇;仇超;甘甫烷 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于氮化硅光子晶体的光分路器，该光分路器包括：自下而上依次设置的硅层、氧化硅层及氮化硅波导层；氮化硅波导层的中间部分形成有二维氮化硅光子晶体波导，两端分别形成有光栅发射器；二维氮化硅光子晶体波导包括一列沿氮化硅波导层长度方向呈周期性排布的圆形凹槽及中间部分氮化硅波导层采用氮化硅材料可应用的带宽大，且两个半圆环形镂空孔设计的氮化硅光栅光学损耗小，光出射效率高；另外，光分束器可实现对片外光波的收集同时对光波传输、分光形成片外出射光。
基于氮化光子晶体分路