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[发明专利]一种化学机械抛光自动化试生产方法和装置-CN201010289464.0有效
发明人：刘毅;翟剑;陶克;杨建忠 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2010-09-21 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种化学机械抛光自动化试生产方法和装置，方法包括：步骤1：从整批晶片中分出一个晶片，整批晶片定义为母批，分出的一个晶片定义为子批；步骤2：以预定义的子批研磨厚度研磨子批；步骤3：获取当前晶片研磨后的当前厚度值，并将其与目标厚度值比较；步骤4：判断当前厚度值和目标厚度值之差是否小于预定值，是，计算第一重工研磨厚度，以该研磨厚度对当前晶片进行一次研磨，转步骤5；否，计算第二重工研磨厚度，以该研磨厚度继续研磨当前晶片，返步骤3；步骤5：利用子批的研磨数据计算母批的研磨厚度，以该研磨厚度对剩余晶片进行研磨；步骤6：结束。本发明简化了试生产过程，避免了过研磨情况的发生，实现了自动化试生产。
一种化学机械抛光自动化试生产方法装置

[发明专利]一种校正镭射头的装置及其校正方法-CN201010194495.8无效
发明人：杨洋;黄华;李猛;钟爱清 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： B23K26/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种校正镭射头的装置及其校正方法。该装置包括水平设置的横梁板，在横梁板一端的镭射头调整装置，在横梁板另一端的靶标，以及可以通过镭射光的透光装置。通过利用镭射光的单一方向性，在光轴准确的情况下定位透光孔，而校正维修好的镭射头时，只需要使得镭射光从透光孔射出就能够保证镭射头位置的准确度。本发明无需采用现有技术的电压测量法，具有节省人力、操作简单、无安全隐患等优点。
一种校正镭射装置及其方法

[发明专利]一种用于晶片加工机台的防呆计时报警方法和装置-CN201010194509.6无效
发明人：王浩;赵久嵩;吴恩涛;胡津;黎阳;施杰 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： B24B49/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶片加工机台的防呆计时报警方法和装置，属于半导体生产技术领域。所述方法包括：S1：在晶片加工过程中通过所述机台上的信号输出端子，判断所述机台是否无动作；S2：当判断出所述机台无动作时，发出报警。因此，本发明能够侦测到机台无动作并发出报警，通知工程师第一时间处理产品，降低产品报废风险，维护机台保证生产的连续。
一种用于晶片加工机台计时报警方法装置

[发明专利]一种制造高压NMOS管的方法-CN201010194522.1无效
发明人：陈国安;王向春;彭钦宏;李克寰;李明灿 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造高压NMOS管的方法，至少包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成高压P阱；在所述高压P阱上形成高压NMOS结构；在形成高压NMOS结构时，减小所述高压NMOS结构的漏极和源极附近的高压NMOS漂移区植入的掺杂浓度。本发明在高压NMOS管的制造过程中降低高压NMOS漂移区植入的掺杂浓度，实现了对器件进行Vt稳定性测试后漏电流明显增大的抑制。
一种制造高压 nmos 方法

[发明专利]一种铝导线的形成方法-CN201010194499.6无效
发明人：陈伏宏;韩冬 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝导线的形成方法，属于集成电路制造技术领域。所述方法包括：步骤(1)：在铝金属导线层的上方，设置光阻和硬膜介电层作为阻挡层；步骤(2)：不使用特殊保护性气体，直接对所述铝金属导线层进行蚀刻，形成铝导线。本发明能够得到良好的铝导线形状，并且反应室无颗粒问题，避免了产品发生铝导线桥接的缺陷，提高了产品良率。
一种导线形成方法

[发明专利]沟槽型功率晶体管中副产物的清洗方法-CN201010194533.X无效
发明人：石亮;胡明华 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提出了沟槽型功率晶体管中副产物的清洗方法，在形成沟槽后，进行第一次RCA清洗、第一次DHF清洗和第二次RCA清洗。本发明通过采用多次清洗相结合的方式，有利于彻底清除沟槽型晶体管中的副产物。可以提高栅氧化层厚度的均匀性，并有利于栅极多晶硅在沟槽中的填入，因此能显著提高晶体管的电性和良率。
沟槽功率晶体管副产物清洗方法

[发明专利]具有预警功能的离子植入机驱动机构及其预警方法-CN201010001275.9有效
发明人：孙伦郑;何伟;徐忠辉;金明 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2010-01-19 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有预警功能的离子植入机驱动机构及其预警方法，该驱动机构包括惰性轴承、惰性轴承轴、左右从动轮、三项交流马达、正时皮带、温度传感器、前置放大器、控制处理器、状态显示屏。通过对驱动机构中的惰性轴承或惰性轴承轴温度的测量，能够实现实时监控和预警的功能。
具有预警功能离子植入驱动机构及其方法

[发明专利]一种用于降低曝光时离焦几率的晶背清洁装置-CN201010002834.8有效
发明人：刘涛;程光中;刘刚;储著飞 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于降低曝光时离焦几率的晶背清洁装置，包括：安装在传送交换单元的传感器，所述传送交换单元将晶片从光阻机传送至曝光机；与所述传感器相连的气阀；与所述气阀相连的具有出气管的气管，所述气管位于所述传送交换单元上，且与晶片传送方向平行设置，以使所述传感器监测到晶片位于传送交换单元上时发出指示打开所述气阀时，所述气管连接的出气管喷出气流吹掉所述晶片的晶背上的微粒。本发明在曝光前通过气体将晶背上的微粒吹掉，降低了曝光时的离焦几率，提高了产品合格率。
一种用于降低曝光时离焦几率清洁装置

[发明专利]一种多步骤程式的一致性管理方法和装置-CN201010002832.9无效
发明人：陆鸣晔 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多步骤程式的一致性管理方法和装置，属于半导体生产技术领域。所述方法包括：S1：找出晶片加工机台程式中相同的步骤；S2：比较所找出的步骤之间的一致性，得到比较结果；S3：根据所述比较结果，管理所述步骤之间的一致性。本发明能够管理多步骤程式中步骤之间的一致性，从而确保生产中产品的良率。
一种步骤程式一致性管理方法装置

[发明专利]一种检测炉管温度分布的方法-CN201010002836.7无效
发明人：刘光 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测炉管温度分布的方法，包括：步骤1：准备电阻Rs控片；步骤2：将所准备的Rs控片放入炉管中进行热处理；步骤3：测量热处理后Rs控片的Rs结果；步骤4：根据所测量的Rs结果，得到炉管的温度分布状况。本发明利用Rs分布检测法，能够获得炉管的整个区域温度分布状况，从而用以调整晶片的加工，提高产品的质量。
一种检测炉管温度分布方法

[发明专利]一种离子植入机转盘及其清洗方法-CN201010001276.3无效
发明人：王智权 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2010-01-19 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提出了一种离子植入机转盘及其清洗方法，该离子植入机转盘包括第一转盘层、第二转盘层和碳化硅层。将该离子注入机转盘浸泡在NH4OH/H2O2/H2O的混合溶液中进行化学清洗，可以去除碳化硅层上附着的颗粒。本发明能减少转盘返回原厂处理的循环次数，大大提高了转盘的使用效率，降低了生产成本。
一种离子植入转盘及其清洗方法

[发明专利]一种控制抛光垫使用时数的方法和装置-CN201010002833.3无效
发明人：翟剑;刘毅;陶克;杨建忠 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制抛光垫使用时数的方法和装置，该方法包括：步骤1：获取晶片加工机台上抛光垫的使用时数；步骤2：将所获取的使用时数与预定值进行比较，当所述使用时数大于所述预定值时，发出警告，否则，转至步骤1。本发明通过将抛光垫的使用时数与预定值进行比较，当使用时数大于预定值时，发出警告，以提醒工作人员更换抛光垫。因此，本发明不需要工作人员去查看机台端信息，而可以自动控制抛光垫的使用时数，从而能够有效的防止因抛光垫使用时数超过管制上限而导致的产品报废。
一种控制抛光使用方法装置

[发明专利]一种单元栅蚀刻方法-CN201010002835.2无效
发明人：陶志波;陈伏宏 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种单元栅蚀刻方法，属于半导体制造技术领域。所述方法，包括：步骤(1)：控制单元栅上多晶硅1结构与多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的高度同步，同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的多晶硅1层和所述多晶硅1结构；步骤(2)：同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的氧化硅-氮化硅-氧化硅层和所述多晶硅1结构；步骤(3)：同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的多晶硅0层和所述多晶硅1结构。本发明的方法能够避免多晶硅残留，避免形成多晶硅桥，提高产品良率。
一种单元蚀刻方法

[发明专利]一种检验晶片对准的方法-CN200910261621.4有效
发明人：何如兵;陈鹏;吴广州;张聪 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种检验晶片对准的方法，以对准正常的晶片为标准，在机台中存储该晶片的图形信息，在该晶片上选取一个或多个检验点并在机台内建立程序，根据在目镜中观察到的被测晶片在检验点的图形，可以简单且精确地确定被测晶片的对准程度。提高实际生产过程中晶片对准不良的早期判断能力。
一种检验晶片对准方法

[发明专利]一种管路拆卸夹具-CN200910252770.4有效
发明人：徐忠辉;黄会刚;金明;何伟;孙伦郑 -专利权人： 和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： B23P19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种管路拆卸夹具，包括：底座；夹爪，分别位于所述底座的左右两侧，用于夹紧所述管路接口处两端的管路，并且所述夹爪在所述底座上是可轴向移动的；凸轮，位于所述底座中央腔体中，且所述凸轮与凸轮手柄相连，凸轮手柄的转动带动凸轮转动；其中，所述凸轮的转动使左右两侧的夹爪之间的间距变化，当凸轮位于第一位置时，左右两侧的夹爪之间的间距最小，当凸轮转动至第二位置时，左右夹爪之间的间距最大。使用本发明提出的管路拆卸夹具，能避免管路径向摩擦和碰撞，和密封环掉落引起的碰撞，可以减少损坏管路和引起安全事故的风险。
一种管路拆卸夹具

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