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[发明专利]均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法-CN201110389200.7无效
发明人：魏峥颖 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法，该方法根据硅片表面图形线宽和所需氮化硅薄膜的厚度要求，分次沉积氮化硅形成氮化硅薄膜，包括如下步骤：1)在硅片表面的栅极结构上方及其两侧沉积氮化硅形成氮化硅薄膜；2)以惰性气体离子或氧离子轰击该氮化硅薄膜，以均匀化该氮化硅薄膜；重复步骤1)和步骤2)，直到氮化硅薄膜厚度达到所需的要求，刻蚀形成侧墙。本发明的方法可以打开小线宽要求的制程中形成的氮化硅封口，继续沉积氮化硅时易于达成侧墙厚度的均匀性；该方法在打开氮化硅封口的同时，不会除去该封口底部的氮化硅，从而不会影响氮化硅的沉积效果。
均匀沉积氮化形成方法

[发明专利]薄膜形成方法及装置-CN202110935574.8在审
发明人：韩奭俊;李太浣;洪荣俊 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜形成方法及装置，更详细地说，涉及形成栅氧化膜的方法及装置。本发明的薄膜形成方法的一实施例包括：氧化硅薄膜形成步骤，在基板上形成氧化硅薄膜；第一氧氮化硅薄膜形成步骤，在所述氧化硅薄膜上形成第一氧氮化硅薄膜，而且还包括调节所述第一氧氮化硅薄膜中的氮(N)含量的第一工艺条件来形成第一氧氮化硅薄膜；第二氧氮化硅薄膜形成步骤，在所述第一氧氮化硅薄膜上形成第二氧氮化硅薄膜，而且还包括调节所述第二氧氮化硅薄膜中的氮(N)含量的第二工艺条件来形成第二氧氮化硅薄膜；其中，调节所述第一工艺条件和所述第二工艺条件，以使所述第一氧氮化硅薄膜中的氮(N)含量大于所述第二氧氮化硅薄膜中的氮(N)含量。
薄膜形成方法装置

[发明专利]一种调整氮化硅折射率的方法-CN201210208995.1无效
发明人：徐强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：一种调整氮化硅折射率的方法，包括：执行步骤S1：提供衬底，所述衬底用于支撑所述基准氮化硅薄膜；执行步骤S2：基准氮化硅薄膜的制备，在所述衬底上沉积所述基准氮化硅薄膜，且所述基准氮化硅薄膜具有统一的折射率；执行步骤S3：通过紫外光照射所述基准氮化硅薄膜以进行折射率调整。通过本发明所述调整氮化硅折射率的方法所制备的基准氮化硅薄膜性质单一、折射率可控。利用本发明所述调整氮化硅折射率的方法调整所述基准氮化硅薄膜的折射率不仅减少了设备制程之间的频繁转换，维护方便，而且提高了设备的利用率和使用寿命。
一种调整氮化折射率方法

[发明专利]一种无水泡的低应力氮化硅薄膜制作方法-CN201910252107.8在审
发明人：陈曦;王俊力 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种无水泡的低应力氮化硅薄膜的制作方法，包括如下步骤：步骤1、使用CVD工艺在基底上淀积一层二氧化硅薄膜，作为中间层；步骤2.对步骤1得到二氧化硅薄膜进行快速退火处理；步骤3、继续在二氧化硅薄膜层上采用CVD工艺沉积一层氮化硅薄膜；步骤4、对氮化硅薄膜层进行紫外光刻，将所设计的薄膜图形转移到氮化硅层上；步骤5、在曝光显影过后对氮化硅薄膜层进行RIE即反应离子刻蚀，刻出氮化硅薄膜结构的形状，在氮化硅薄膜结构边缘刻蚀若干小孔，用于释放H₂；步骤6、刻出薄膜结构后对氮化硅薄膜进行快速退火，得到表面无水泡的低应力氮化硅薄膜。本发明方法既能够精确控制氮化硅薄膜应力，又能够保证薄膜的完整性。
氮化硅薄膜低应力氮化硅薄膜二氧化硅薄膜水泡氮化硅薄膜层快速退火反应离子刻蚀薄膜结构薄膜图形氮化硅层结构边缘曝光显影紫外光刻中间层淀积基底刻蚀小孔薄膜沉积制作释放保证

[实用新型]双层氮化硅减反膜-CN201220041652.6有效
发明人：吕加先;吴胜勇;宋令枝;张涌 -专利权人：苏州盛康光伏科技有限公司
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种双层氮化硅减反膜，其特征在于包括第一层氮化硅薄膜（1）和第二层氮化硅薄膜（2），所述第一层氮化硅薄膜（1）位于第二层氮化硅薄膜（2）下方，且所述第一层氮化硅薄膜（1）的硅氮比高于所述第二层氮化硅薄膜本实用新型双层氮化硅减反膜因为第一层氮化硅薄膜的硅氮比高于第二层氮化硅薄膜的硅氮比，因此第一层氮化硅薄膜的折射率高于第二层氮化硅薄膜的折射率，所以增大了对太阳光的光谱段的吸收，可以吸收到高宽的太阳光谱，增强了薄膜的减反射作用，同时第一层氮化硅薄膜折射率较高更有利于对硅片表面的钝化，对太阳光的反射率较低，吸收率较高，太阳电池的光电转换效率较高，具有较好的实用价值。
双层氮化硅减反膜

[发明专利]通孔刻蚀方法、集成电路制造方法和集成电路-CN201110379853.7有效
发明人：俞柳江 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-24 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：根据本发明的通孔刻蚀方法包括：二氧化硅薄膜沉积步骤，用于沉积一层二氧化硅薄膜；第一氮化硅薄膜沉积步骤，用于在沉积了所述碳化硅薄膜之后沉积一层第一氮化硅薄膜；第一氮化硅薄膜部分去除步骤，用于利用二氧化硅作为刻蚀停止层刻蚀PMOS器件区域的第一氮化硅薄膜；碳化硅薄膜沉积步骤，用于沉积碳化硅薄膜；第二氮化硅薄膜沉积步骤，用于沉积一层第二氮化硅薄膜；以及第二氮化硅薄膜部分去除步骤，用于利用干刻的方法去除NMOS区域的第二氮化硅薄膜
刻蚀方法集成电路制造

[发明专利]一种离子注入损伤深度的测试方法-CN201510213537.0在审
发明人：桑宁波;李润领;关天鹏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入损伤深度的测试方法，包括在硅片衬底上生长高应力的氮化硅薄膜，进行离子注入释放氮化硅薄膜的应力，对氮化硅薄膜进行若干次一定时间的湿法刻蚀并测厚，得出氮化硅损耗；将每次刻蚀后的氮化硅损耗与本征氮化硅损耗进行对比，当二者的差异落入一差异率限值内时，对氮化硅损耗进行加和，计算出总的氮化硅损耗量，该总的氮化硅损耗量即为所述氮化硅薄膜被离子注入损伤的深度值。本发明能监控离子注入工艺在氮化硅中的注入损伤深度，实现精确控制离子在氮化硅中的注入深度，为等离子注入释放应力应用到CESL高应力薄膜上提供了检测手段。
一种离子注入损伤深度测试方法

[发明专利]硅太阳能电池减反射薄膜-CN200710019794.6无效
发明人：励旭东 -专利权人：江苏艾德太阳能科技有限公司
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于太阳能电池的硅太阳能电池减反射薄膜，该薄膜在硅片正表面沉积有富硅的氮化硅薄膜，在富硅氮化硅薄膜上面沉积有接近理想配比的氮化硅薄膜。靠近硅片表面的氮化硅薄膜含量高，表面钝化效果优于接近理想配比氮化硅薄膜，表面复合速度比正常配比氮化硅薄膜低一倍以上。富硅的氮化硅薄膜较薄，光吸收损失较少，仅吸收20％～30％波长在300纳米左右的短波光，对中长波光几乎没有吸收。其余氮化硅薄膜组分接近理想化学配比，几乎没有光吸收损失。采用多层或渐变折射率的氮化硅薄膜以后，比单一折射率(折射率为1.9～2.1)的氮化硅表面光反射减少2％～4％，也有利于提高电池效率。
太阳能电池反射薄膜

[发明专利]一种制造高拉应力氮化硅薄膜的方法-CN201110110367.5有效
发明人：徐强;张文广;郑春生;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/26 文献下载
摘要：本发明公开一种制造高拉应力氮化硅薄膜的方法，先在硅基板上沉积一层第一氮化硅薄膜层，利用等离子体对第一氮化硅薄膜进行处理；在第一氮化硅薄膜层之上沉积一层第二氮化硅薄膜层，并再次用等离子体对第二氮化硅薄膜进行处理；对多层氮化硅薄膜层进行紫外光照射。本发明提供制造方法可以在较低的制造成本下制造出应力最少为1.8GPa的氮化硅薄膜，将应用NMOS器件上将极大的增加的电迁移率且生产工艺也相当简单。
一种制造应力氮化薄膜方法

[实用新型]一种太阳能电池正面减反膜及电池-CN202121124290.2有效
发明人：史元喆;杨二存;刘海泉;庞瑞卿;吕闯;赵小平;逯承承;时宝;陈刚 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池正面减反膜，包括由下至上依次设置的第一氮化硅薄膜层、第二氮化硅薄膜层、氧化硅薄膜层、第一氮氧化硅薄膜层、第二氮氧化硅薄膜层，所述第一氮化硅薄膜层、第二氮化硅薄膜层、氧化硅薄膜层、第一氮氧化硅薄膜层、第二氮氧化硅薄膜层相连接，所述第一氮化硅薄膜层与硅片相连；所述第一氮化硅薄膜层的折射率＞所述第二氮化硅薄膜层的折射率＞所述第一氮氧化硅薄膜层的折射率＞所述第二氮氧化硅薄膜层的折射率
一种太阳能电池正面减反膜电池

[发明专利]氮化硅薄膜去除方法及半导体器件的制作方法-CN201610340628.5在审
发明人：纪世良;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化硅薄膜去除方法，在使用刻蚀工艺去除氮化硅薄膜时，使用可以实现氮化硅对多晶硅和/或磷化硅高选择性的刻蚀气体，其中所述氮化硅对多晶硅和/或磷化硅的选择性高于50。本发明还提出一种半导体器件的制作方法，包括下述步骤提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成图形化的氮化硅薄膜；以所述图形化的氮化硅薄膜作为遮蔽层来进行后续工艺；使用本发明提出的氮化硅薄膜去除方法去除所述图形化的氮化硅薄膜本发明提出的氮化硅薄膜的去除方法及半导体器件的制作方法，可以实现氮化硅对多晶硅和/或磷化硅的高选择性，并且可以减少对已形成器件层造成的损伤和损失。
氮化薄膜去除方法半导体器件制作方法

[发明专利]一种提高晶圆键合程度的方法-CN201611178622.9有效
发明人：王喜龙;胡胜;邹文 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种提高晶圆键合程度的方法，包括：退火处理所述氮化硅薄膜，形成一金属层，覆盖所述氮化硅薄膜表面，图形化所述金属层，以于所述所述氮化硅薄膜表面形成金属栅格，并于图形化所述金属层时，去除位于所述金属层被去除部分下方的所述氮化硅薄膜，以于所述金属栅格之间暴露所述氧化物层。本发明方法通过形成一氮化硅薄膜，在氮化硅薄膜经过退火处理之后，使得氮化硅薄膜中的氢离子能够充分的与硅衬底界面硅原子的悬挂键键合，减少硅衬底中悬挂键个数，提高晶圆键合程度，去除传统工艺中于金属栅格形成之前刻蚀氮化硅薄膜过程，于金属栅格制程中去除金属层被去除部分下方的氮化硅薄膜，达到简化工艺的目的。
一种提高晶圆键合程度方法

[发明专利]氮化硅薄膜的沉积方法、氮化硅薄膜及PERC电池-CN201711023720.X有效
发明人：许烁烁;舒勇东;刘良玉 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅薄膜的沉积方法、氮化硅薄膜及PERC电池。该沉积方法包括将背面沉积有氧化铝薄膜的硅基体置于反应装置中，先后采用第一微波源、第二微波源、第三微波源、第四微波源、第五微波源和第六微波源进行氮化硅薄膜的沉积，经沉积工艺处理后，在氧化铝薄膜上制备得到氮化硅薄膜该氮化硅薄膜兼具高全反射功能和高致密性。本发明制备的氮化硅薄膜主要用作PERC电池的背面氮化硅薄膜。本发明的方法使得在不减少PERC电池转换效率的前提下，可将氮化硅薄膜的厚度降低至75纳米甚至以下，从而提高设备产能，扩展工艺窗口。
氮化薄膜沉积方法 perc 电池

[发明专利]基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法-CN200510085294.3有效
发明人：涂德钰;王丛舜;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-07-22 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法，其工艺步骤如下：1.在基片上双面淀积氮化硅薄膜；2.在基片上旋涂抗蚀剂，光刻得到镂空窗口；3.利用抗蚀剂作为掩膜刻蚀氮化硅薄膜；4.利用氮化硅作为掩膜，湿法腐蚀基片得到氮化硅镂空薄膜；5.在镂空的氮化硅薄膜上采用聚焦离子束刻蚀电极图形；6.利用所得到的镂空氮化硅薄膜做掩模，在衬底上蒸发或者溅射金属得到电极。
基于氮化镂空纳米电极制备方法

[发明专利]一种提高太阳能电池短波量子效率的叠层介质膜及生产工艺-CN202310570072.9在审
发明人：陈如意;王鑫;钱兵;周扬;江志峰 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种提高太阳能电池短波量子效率的叠层介质膜，包括依次沿着远离硅片方向设置在硅片表面且折射率递减的第一氮化硅薄膜，第二氮化硅薄膜，第三氮化硅薄膜，第四氮化硅薄膜，第五氮化硅薄膜，第一氮氧化硅薄膜，第二氮氧化硅薄膜，氧化硅薄膜。
一种提高太阳能电池短波量子效率介质生产工艺

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