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[发明专利]半导体晶圆的连接结构-CN201811005315.X在审
发明人：郑绪成 -专利权人：广东威灵汽车部件有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体晶圆的连接结构，包括：晶圆，其上下表面具有电极；第一金属框架，设置在晶圆的上表面；第二金属框架，设置在晶圆的下表面；连接件，设置在晶圆的上表面和晶圆的下表面，连接件将设置在晶圆的上表面的电极和第一金属框架连通，以及设置在晶圆的下表面的电极和第二金属框架。本发明提供的半导体晶圆的连接结构，晶圆与第一金属框架及第二金属框架相连接，从而使得晶圆的上表面和下表面的热量可通过连接柱传递到第一金属框架及第二金属框架上，由于连接件增大了晶圆与第一金属框架及第二金属框架之间的连接面积，可有效地提升晶圆与第一金属框架及第二金属框架之间的导热能力，从而提升晶圆的散热效率。
半导体连接结构

[发明专利]晶圆检测方法-CN201910012475.5在审
发明人：王通 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆检测方法，包括如下步骤：建立量测程式，依据量测程式对晶圆的表面进行量测，以得到晶圆的表面与量测镜头之间的实际距离；获取量测过程中晶圆多个不同区域的焦距，并依据获取的多个焦距及晶圆的表面与量测镜头之间的实际距离得到晶圆的表面与量测镜头之间的虚拟距离；获取晶圆的表面与检测镜头之间的实际距离；调整检测镜头，使得检测镜头与晶圆的表面之间的实际距离等于虚拟距离，并使用检测镜头对晶圆的表面进行检测。本发明的晶圆检测方法可以有效避免由于晶圆表面的高度差带来的nuisance的影响，从而确保检测的精度。
检测方法

[发明专利]激光焦点自动追踪方法-CN202310161781.1在审
发明人：王怡鹏;刘庆京;朱凯 -专利权人：北京莱泽光电技术有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光焦点自动追踪方法，属于半导体加工技术领域，解决了传统晶圆切割存在的切割刀晶圆的上表面或下表面，产生粉尘的问题；激光焦点自动追踪方法，具体步骤包括：放置晶圆、调试激光切割设备、晶圆切割前检测、晶圆补偿切割、激光切割设备复位、变更晶圆位置和取下晶圆。本发明激光切割设备内的激光位移计和压电陶瓷之间的互相配合实现了激光焦点聚焦在晶圆内部，沿晶圆表面的形状对晶圆内部进行切割，避免了晶圆翘曲变形导致的传统激光切割容易出现焦点直线运动用到晶圆的上表面或下表面，产生粉尘，进而避免了对晶圆造成污染及影响后道工序。
激光焦点自动追踪方法

[实用新型]一种晶圆检测设备-CN201821620774.4有效
发明人：王晓东;许平康;刘命江 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆检测设备，所述晶圆检测设备包括：工作台，所述工作台用于承载晶圆；SEM镜头，所述SEM镜头位于所述晶圆的上方，且所述SEM镜头与所述晶圆平行设置；测距传感器，所述测距传感器的下表面与所述晶圆平行设置，所述测距传感器用于检测所述SEM镜头与所述晶圆表面之间的高度。通过具有测距传感器的晶圆检测设备，对晶圆表面的高度进行检测，从而调节SEM镜头与晶圆表面之间的距离，以补偿晶圆表面的高度差，提升SEM镜头拍摄的晶圆缺陷的照片的清晰度，用以提高检测晶圆缺陷的结果的准确度
测距传感器晶圆表面镜头晶圆晶圆检测设备检测设备晶圆缺陷平行设置工作台种晶检测本实用新型准确度高度差下表面承载拍摄

[发明专利]晶圆及其刻蚀方法-CN202211680179.0在审
发明人：岳金亮;罗海辉;谭灿健;罗湘;王志轮 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆及其刻蚀方法，该晶圆刻蚀方法包括：在晶圆的边缘制作抗刻蚀保护层，抗刻蚀保护层用于在刻蚀过程中保护晶圆的边缘不被刻蚀；对晶圆的表面涂覆光刻胶；对晶圆的表面进行刻蚀处理，晶圆的边缘在抗刻蚀保护层对应的位置形成隔断圈部，在晶圆的表面刻蚀出沟槽，至少一个沟槽被隔断圈部隔断；去除在晶圆的边缘的抗刻蚀保护层。通过在晶圆的表面设置抗刻蚀保护层，使得晶圆的边缘收到保护，使得晶圆表面的沟槽能够被隔断，阻挡沟槽贯穿至晶圆的边缘，使得该沟槽能够在晶圆的边缘得到隔断和封闭，避免沟槽内的填充物从沟槽内脱落，从而避免晶圆的边缘产生缺陷，提高晶圆的良率。
及其刻蚀方法

[发明专利]一种晶圆清洗方法-CN202011632162.9有效
发明人：邓信甫;吴海华;刘大威;陈丁堃 -专利权人：至微半导体（上海）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆清洗方法，包括以下步骤：利用晶圆夹取装置将晶圆放置在晶圆清洗设备内；根据当前工作模式，调整复合腔体结构内各层引流腔的腔室大小，使晶圆与其其中一层引流腔相对应；晶圆支撑结构在圆周方向旋转；利用喷淋管向晶圆上表面喷射清洗液，同时利用晶圆支撑结构向晶圆下表面喷射清洗液，晶圆上、下表面的清洗液会从其外围扩散流入当前工作的引流腔，从该引流腔排至晶圆清洗设备外部；待清洗完毕后，喷淋管和晶圆支撑结构停止喷液，晶圆支撑结构停止转动，通过晶圆夹取装置将晶圆转移至下一道工序。本发明能够同时清洗晶圆的上、下表面，不仅提高了晶圆的清洗效率，也提高了清洗效果，有效保证了晶圆品质。
一种清洗方法

[发明专利]一种晶圆表面撕金去胶方法-CN201410165571.0有效
发明人：王冲;洪旭东 -专利权人：沈阳芯源微电子设备有限公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆表面撕金去胶方法，属于半导体去胶技术以及晶圆表面金属剥离技术领域。该方法首先利用向晶圆表面喷射高压NMP的方式去除晶片表面残余光刻胶和金属，然后利用IPA溶解去除去胶后晶圆表面的NMP。本去胶方法适用于全自动晶圆表面去胶生产过程中的晶圆表面去胶和金属剥离工艺过程。本方法通过喷洒去胶液的方式，去除晶圆表面多余光刻胶；通过高压喷射的方式，剥离晶圆表面多余金属。本方法包括了去胶液的去除方法，以及晶圆背面的防护方法，以适用机械手取送晶圆，提高产能。
一种表面撕金去胶方法

[发明专利]改善光刻胶显影后晶圆表面电荷问题的方法-CN202310433695.1在审
发明人：李勇;余涛;陈希奎 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种改善光刻胶显影后晶圆表面电荷问题的方法，提供刻蚀机台和晶圆，晶圆上形成有图形化的光刻胶层，晶圆表面存在负电荷；刻蚀机台的刻蚀腔中设置有静电吸附卡盘，静电吸附卡盘用于吸附或解吸附晶圆；利用静电卡盘吸附晶圆，之后刻蚀晶圆；利用静电吸附卡盘解吸附晶圆，使得晶圆表面的的负电荷降低至目标值。本发明在晶圆刻蚀完成后，通过解吸附步骤释放电荷，使得晶圆表面的电荷范围控制在目标值。
改善光刻显影后晶圆表面电荷问题方法

[发明专利]晶圆检测装置及检测方法-CN202211300964.9在审
发明人：李向东;骆聪;朱怡;曹葵康 -专利权人：苏州天准科技股份有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆检测装置及检测方法，属于晶圆检测领域，包括照明模组产生的光斑经过物镜投射于待检测晶圆表面；自动对焦模组用于实时调节待检测晶圆表面与物镜之间的距离；运动模组用于对待检测晶圆进行多角度位置调节；线扫相机扫描在运动模组驱动下运动的晶圆表面，待检测晶圆表面的反射光经物镜投影至相机并成像，以得到晶圆表面的图像信息。该检测装置利用自动对焦模组使得晶圆表面即检测面在整个扫描过程中始终处于物镜成像范围内；利用照明模组使得投射于晶圆表面的光斑具有较强的照明光强；利用运动模组保证晶圆在检测过程中的稳定性与运动精度，进一步提高晶圆表面成像的清晰度，提高晶圆缺陷检测的准确性。
检测装置方法

[发明专利]一种有效达成单晶圆清洗过程旋转与喷淋的控制方法-CN202111674385.6有效
发明人：邓信甫;唐宝国;张九勤 -专利权人：至微半导体（上海）有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种有效达成单晶圆清洗过程旋转与喷淋的控制方法，涉及到晶圆清洗技术领域，包括S1、提供晶圆以及晶圆承载平台，并夹持晶圆，使得晶圆定位在晶圆承载平台上，然后通过晶圆承载平台驱动晶圆旋转；S2、提供第一化学清洗液，通过第一喷淋组件往复式摆动并将第一化学清洗液均匀喷在晶圆的表面；S3、提供第一超纯水清洗液，通过第二喷淋组件复式摆动并将第一超纯水清洗液喷洒在晶圆的表面；S4、提供干燥溶剂，通过第三喷淋组件喷射干燥溶剂，并将干燥溶剂覆盖在晶圆的表面。本发明中，能够增加清洗液与晶圆表面的粘附力，便于清洗液与晶圆表面反应更加彻底，且能够将晶圆表面杂质进行汇聚清除，可以有效去除杂质。
一种有效达成单晶圆清洗过程旋转喷淋控制方法

[发明专利]晶圆级芯片封装方法-CN201310697678.5在审
发明人：何作鹏;赵洪波;向阳辉;吴秉寰;陈怡骏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种晶圆级芯片封装方法，该封装方法包括：提供晶圆和基底，所述晶圆具有第一表面和第二表面，所述晶圆的第一表面具有导电结构；将所述晶圆的第一表面与所述基底粘结；沿所述晶圆的第二表面，在所述晶圆内形成沟槽；对所述晶圆和基底进行烘烤，所述烘烤的温度为第一温度；烘烤之后，在所述晶圆第二表面以及沟槽内形成低温氧化物层，形成所述低温氧化物层的温度为第二温度，所述第二温度小于第一温度。所述封装方法能够避免低温氧化物层从晶圆表面剥落的问题。
晶圆级芯片封装方法

[发明专利]晶圆转移设备及方法、晶圆加工装置及方法-CN202210900353.1在审
发明人：吕立平 -专利权人：希科半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本申请涉及半导体加工技术领域，具体公开一种晶圆转移设备、晶圆转移方法、晶圆加工装置以及晶圆加工方法。晶圆转移设备包括承载部件、输运部件及驱动部件，承载部件具有用于放置晶圆的承载区域；输运部件用于将所述承载部件移动至预设区域；驱动部件用于驱动所述输运部件移动；所述承载部件设置有出气孔，所述出气孔朝向所述晶圆的表面或上方由此，在晶圆的传输过程中，晶圆可以在其表面或上方的气幕的保护下，防止环境中的颗粒物附着在晶圆表面，尤其当晶圆在传输过程中路过尾气排放端上方时，晶圆表面或上方的气幕可以保护晶圆免受尾气排放端附近的颗粒物所附着，避免在晶圆表面形成缺陷，提高产品良率。
转移设备方法加工装置

[发明专利]一种将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法-CN201510383646.7有效
发明人：王强;涂招莲;王磊;朱琳 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法，包括：提供硅片，所述硅片表面固定有已完成表面工艺的晶圆；利用减薄工艺，对所述硅片远离所述晶圆的一面进行减薄，当硅片远离所述晶圆的一面减薄至露出所述晶圆时，取下所述晶圆；当硅片远离所述晶圆的一面减薄至距离所述晶圆剩余有预设厚度时，利用腐蚀工艺，对减薄后的硅片进行腐蚀，露出所述晶圆，并取下所述晶圆。本发明实施例提供的将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法能够在不影响晶圆表面电极形貌和正向电压参数及不破坏晶圆正面芯片图形的前提下，将晶圆卸下。
一种完成表面工艺硅片进行方法

[发明专利]一种背照图像传感器的制造方法-CN201310182844.8有效
发明人：张文奇 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照图像传感器的制造方法，包括：在中间晶圆的第一表面上制备TSV和微凸点；在BSI晶圆的第一表面上制备和微凸点匹配的金属互连；将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合；将中间晶圆进行减薄；在中间晶圆的第二表面上刻蚀露出TSV并制备凸点；在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆；将BSI晶圆进行减薄；在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程；去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆；划片并键合至基板上本发明中通过晶圆面对面键合，键合后可以利用BSI晶圆做载体来减薄模拟晶圆，省却了一次辅助晶圆的临时键合与去键合，可以降低成本；把不同模块进行三维堆叠，可以减小芯片面积，加快信号传输速度。
一种图像传感器制造方法

[发明专利]一种清洗装置-CN202210148676.X在审
发明人：朴英植;卢一泓;李琳;胡艳鹏;张月;王佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种清洗装置，该清洗装置用于清洗晶圆。该清洗装置包括清洗腔、以及设置在清洗腔内且用于固定晶圆的支撑台，且支撑台能够带动晶圆旋转。在清洗腔内还设置有用于向晶圆喷洒清洗剂的喷嘴组件，还设置有用于收集喷洒在晶圆表面后从晶圆表面溅起的清洗剂的吸附装置。在上述的方案中，通过设置吸附装置，以吸附喷嘴在晶圆表面后从晶圆表面溅起的清洗剂，从而防止从晶圆表面溅起的清洗剂附着在清洗腔或喷嘴组件上或逆向重新回到晶圆表面，防止污染清洗腔，防止晶圆被污染。
一种清洗装置